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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) Sabasapak @ टेम सरायना सराय रत्न शिर Rus rurंट @ कम कम आवृत Rurिपल rayrंट @ उचthun आवृत लेड स सराय सदाबह (सवार) सतह rurcur भूमि भूमि भूमि तमाम सवार तंग अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग
EMK1EM101E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1EM101E83D00R 0.3000
सराय
 ECAD 70 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 25 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 102.5 MA @ 120 शायर 205 ma @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1JM100E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1JM100E83D00R 0.7900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 63 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1EM101FB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1EM101FB0D00R 0.5100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 25 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - 3222-EMK1EM101FB0D00RDKR Ear99 8532.22.0020 550
EMK1AM221E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1AM221E83D00R 0.3200
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 220 µf ± 20% 10 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 90 MA @ 120 शत्रु 180 ma @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMH1JM221WG5D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMH1JM221WG5D00R 0.3100
सराय
 ECAD 6 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 220 µf ± 20% 63 वी - ५००० @ @ @ १२५ सटरी -55 ° C ~ 125 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 300 MA @ 120 शत्रु 600 ma @ 100 kHz - 0.492 "अराय (12.50 वें) 0.630 "(16.00 मिमी) 0.539 "एल x 0.512" डबthutum (13.70 मिमी x 13.00 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तंग Ear99 8532.22.0020 150
EMK1CM471FB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1CM471FB0D00R 0.3100
सराय
 ECAD 382 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 470 µf ± 20% 16 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 550
EMK1VM470E61D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1VM470E61D00R 0.3100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 35 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1HM470E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1HM470E83D00R 0.7300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 50 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 95 वें @ 120 शेर 190 Ma @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1CM221E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1CM221E83D00R 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 220 µf ± 20% 16 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1HM330E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1HM330E83D00R 0.4600
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 33 µf ± 20% 50 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 90 MA @ 120 शत्रु 180 ma @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - 3222-EMK1HM330E83D00RDKR Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1VM100D80D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1VM100D80D00R 0.1600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 35 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 52.5 MA @ 120 शेर 105 mA @ 100 kHz - 0.197 "अराय (5.00 मिमी) 0.323 ”(8.20 मिमी) 0.209 "एल x 0.209" डब30 (5.30 मिमी x 5.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1AM101E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1AM101E83D00R 2.0500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 10 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 87.5 MA @ 120 शेर 175 MA @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK0JM331FB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK0JM331FB0D00R 0.3000
सराय
 ECAD 10 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 330 µf ± 20% 6.3 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 170 MA @ 120 शत्रु 340 ma @ 100 kHz - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 550
EMA1CM101E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMA1CM101E83D00R 0.2600
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमए R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 16 वी - 10000 बजे @ 105 किलोयस -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 122.5 MA @ 120 शेर 245 ma @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK0JM221E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK0JM221E83D00R 0.2500
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 220 µf ± 20% 6.3 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 80 MA @ 120 परत्गी 160 ma @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - 3222-EMK0JM221E83D00RCT Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1VM470E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1VM470E83D00R 0.3100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 35 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 105 MA @ 120 शत्रु 210 ma @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - 3222-EMK1VM470E83D00RCT Ear99 8532.22.0020 1,000
EMF1HM151GB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMF1HM151GB0D00R 0.8000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग म म फंड फंड R टेप ray ryील (ther) शिर 150 µf ± 20% 50 वी - 6000 of @ 105 कांफरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 550
EMK1CM101E61D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1CM101E61D00R 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 16 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1VM220E61D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1VM220E61D00R 1.1000
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 35 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK0JM101E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK0JM101E83D00R 0.2500
सराय
 ECAD 5593 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1HM100E61D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1HM100E61D00R 0.5800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 50 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK0JM471FB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK0JM471FB0D00R 0.2500
सराय
 ECAD 6864 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 470 µf ± 20% 6.3 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 550
EMK1HM101FB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1HM101FB0D00R 0.2600
सराय
 ECAD 8492 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 50 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 300 MA @ 120 शत्रु 600 ma @ 100 kHz - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तंग Ear99 8532.22.0020 550
EMH2DM100GB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMH2DM100GB0D00R 0.2300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 200 वी - 3000 of @ 130 डिगthirी सेलthum -40 ° C ~ 130 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 49.5 MA @ 120 शत्रु 90 ma @ 100 kHz - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 550
EMK1CM470D80D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1CM470D80D00R 1.9000
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 16 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 52.5 MA @ 120 शेर 105 mA @ 100 kHz - 0.197 "अराय (5.00 मिमी) 0.323 ”(8.20 मिमी) 0.209 "एल x 0.209" डब30 (5.30 मिमी x 5.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
EMK1EM471GB0D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1EM471GB0D00R 0.2500
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 470 µf ± 20% 25 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 550
EMK1VM101E83D00R Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group EMK1VM101E83D00R 0.4900
सराय
 ECAD 3119 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एमके R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 35 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C शिर एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.335 "(8.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी - Ear99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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