आरएफक्यू
बीओएम
हमसे संपर्क करें

दूरभाष: +86-0755-83501315

ईमेल:sales@sic-components.com

दाखिल करना

हिंदी

एलmut - बहुलक कैपेसिट कैपेसिट कैपेसिट

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	तमाम	कसना	कांप -रन	R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur)	Sabasapak @ टेम	सरायना	रत्न	शिर	Rus rurंट @ कम कम आवृत	Rurिपल rayrंट @ उचthun आवृत	तंग करना	लेड स	सराय	सदाबह (सवार)	सतह rurcur भूमि भूमि भूमि	तमाम	सवार	शराबी	तंग	रत्य	अफ़र	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग
HBV101M1ET-0608S	0.9400	सराय	1	आवेश	एचबीवी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	100 µf	± 20%	25 वी		10000 बजे @ 105 किलोयस	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	200 MA @ 120 परत्गी	2 ए @ 100 kHz	३०	-	0.248 "अराय (6.30 मिमी)	0.315 "(8.00 मिमी)	0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	1,000
HBW101M1HTR-1010S	1.4000	सराय	5320	आवेश	शिलालेख	R टेप ray ryील (ther)	शिर	100 µf	± 20%	50 वी		4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut	-55 ° C ~ 125 ° C	-	तमाम	160 MA @ 120 शत्रु	1.6 A @ 100 kHz	28 कांपो	-	0.394 "अराय (10.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
OVK470M1ET-0606S	0.5200	सराय	1519	आवेश	तंग	R टेप ray ryील (ther)	शिर	47 µf	± 20%	25 वी		५००० @ @ १०५ सटरी	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	65 MA @ 120 शत्रु	1.3 A @ 100 kHz	४ ९	-	0.248 "अराय (6.30 मिमी)	0.236 "(6.00 मिमी)	0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	एक प्रकार का होना	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	1,000
HBW101M1ET-0608S	0.9400	सराय	1	आवेश	शिलालेख	R टेप ray ryील (ther)	शिर	100 µf	± 20%	25 वी	30mohm	4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut	-55 ° C ~ 125 ° C	-	तमाम	140 MA @ 120 शत्रु	1.4 ए @ 100 kHz		-	0.248 "अराय (6.30 मिमी)	0.315 "(8.00 मिमी)	0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira			3A001	8532.22.0020	1,000
HBV101M1HTR-1010S	1.4600	सराय	500	आवेश	एचबीवी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	100 µf	± 20%	50 वी		10000 बजे @ 105 किलोयस	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	200 MA @ 120 परत्गी	2 ए @ 100 kHz	28 कांपो	-	0.394 "अराय (10.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
HBW221M1ET-0810S	1.1600	सराय	465	आवेश	शिलालेख	R टेप ray ryील (ther)	शिर	220 µf	± 20%	25 वी		4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut	-55 ° C ~ 125 ° C	-	तमाम	160 MA @ 120 शत्रु	1.6 A @ 100 kHz	27 कांपो	-	0.315 "अराय (8.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
HBW331M1ET-1010S	1.4400	सराय	300	आवेश	शिलालेख	R टेप ray ryील (ther)	शिर	330 µf	± 20%	25 वी		4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut	-55 ° C ~ 125 ° C	-	तमाम	200 MA @ 120 परत्गी	2 ए @ 100 kHz	२ re	-	0.394 "अराय (10.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
HBV221M1ET-0810S	1.1600	सराय	465	आवेश	एचबीवी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	220 µf	± 20%	25 वी		10000 बजे @ 105 किलोयस	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	230 MA @ 120 शत्रु	2.3 A @ 100 kHz	27 कांपो	-	0.315 "अराय (8.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
HBW471M1CTR-1010S	1.4000	सराय	970	आवेश	शिलालेख	R टेप ray ryील (ther)	शिर	470 µf	± 20%	16 वी		4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut	-55 ° C ~ 125 ° C	-	तमाम	200 MA @ 120 परत्गी	2 ए @ 100 kHz	२ re	-	0.394 "अराय (10.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
HBV331M1ET-1010S	1.4800	सराय	7926	आवेश	एचबीवी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	330 µf	± 20%	25 वी		10000 बजे @ 105 किलोयस	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	250 MA @ 120 शत्रु	2.5 ए @ 100 kHz	२ re	-	0.394 "अराय (10.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
OCV220M1CTR-0506S	0.5000	सराय	2	आवेश	ओसीवी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	22 µf	± 20%	16 वी		२००० @ @ १०५ सटरी	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	60.5 MA @ 120 शत्रु	1.21 A @ 100 kHz	४५ सिपाही	-	0.197 "अराय (5.00 मिमी)	0.236 "(6.00 मिमी)	0.209 "एल x 0.209" डब30 (5.30 मिमी x 5.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	एक प्रकार का होना	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	1,000
HBV471M1CTR-1010S	1.4000	सराय	6881	आवेश	एचबीवी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	470 µf	± 20%	16 वी		10000 बजे @ 105 किलोयस	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	250 MA @ 120 शत्रु	2.5 ए @ 100 kHz	२ re	-	0.394 "अराय (10.00 मिमी)	0.413 ”(10.50 मिमी)	0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	तमाम	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग		3A001	8532.22.0020	500
OCV470M1CTR-0606S	0.4600	सराय	990	आवेश	ओसीवी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	47 µf	± 20%	16 वी	50mohm	२००० @ @ १०५ सटरी	-55 ° C ~ 105 ° C	-	तमाम	82.5 MA @ 120 परिक	1.65 A @ 100 kHz		-	0.248 "अराय (6.30 मिमी)	0.236 "(6.00 मिमी)	0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी)	सतह rurcur	रत्न, कैन - एसएमडी	एक प्रकार का होना	तंग	Rohs3 आजthabaira		2616-OCV470M1CTR-0606S	3A001	8532.22.0020	1,000