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एलmuth - बहुलक कैपेसिट r (22)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) Sabasapak @ टेम सरायना रत्न शिर Rurिपल rayrंट @ उचthun आवृत लेड स सराय सदाबह (सवार) सतह rurcur भूमि भूमि भूमि तमाम सवार शराबी अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग
SVF1EM101E09E00REX24 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVF1EM101E09E00REX24 0.3100
सराय
 ECAD 95 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीएफ R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 25 वी 33MOHM 3000 of @ 105 डिगthir सेल -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 2.1 A @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.374 "(9.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना Ear99 8532.22.0020 400
SVL1CM331GCRE00REX15 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVL1CM331GCRE00REX15 0.5300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीएल R टेप ray ryील (ther) शिर 330 µf ± 20% 16 वी - 10000 बजे @ 105 किलोयस -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.512 "(13.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVL1CM331GCRE00REX15CT Ear99 8532.22.0020 500
HSA1JM470GCRE00RAXXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group HSA1JM470GCRE00RAXXX 0.8900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एसए R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 63 वी - 4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.512 "(13.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तमाम Ear99 8532.22.0020 500
SVL1CM101E06E00RS153 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVL1CM101E06E00RS153 0.3500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीएल R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 16 वी - 10000 बजे @ 105 किलोयस -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.256 "(6.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVL1CM101E06E00RS153DKR Ear99 8532.22.0020 1,000
SVF1VM390E06E00REX30 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVF1VM390E06E00REX30 1.0900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीएफ R टेप ray ryील (ther) शिर 39 µf ± 20% 35 वी - 3000 of @ 105 डिगthir सेल -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.256 "(6.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVF1VM390E06E00REX30TR Ear99 8532.22.0020 1,000
SVZ0JM102FBRE00REX11 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVZ0JM102FBRE00REX11 0.6500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 µf ± 20% 6.3 वी 15mohm २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 4.3 ए @ 100 kHz - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.472 "(12.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVZ0JM102FBRE00REX11TR Ear99 8532.22.0020 500
SA10EM331A19R09XXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SA10EM331A19R09XXX 0.2400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग ए 1 R टेप ray ryील (ther) शिर 330 µf ± 20% 2.5 वी 9MOHM २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 3.5 ए @ 100 kHz - 0.287 "एक एल lectut 0.169" डबthautun (7.30 मिमी x 4.30 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) - सतह rurcur 2917 (7343 अट्योर) एक प्रकार का होना 3 (168 घंटे) 3222-SA10EM331A19R09XXXDKR Ear99 8532.22.0020 3,500
SA10JM151A19R15XXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SA10JM151A19R15XXX 0.2800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग ए 1 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 µf ± 20% 6.3 वी 15mohm २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 3 ए @ 100 kHz - 0.287 "एक एल lectut 0.169" डबthautun (7.30 मिमी x 4.30 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) - सतह rurcur 2917 (7343 अट्योर) एक प्रकार का होना 3 (168 घंटे) 3222-SA10JM151A19R15XXXDKR Ear99 8532.22.0020 3,500
SVF1CM271F9RE00REX22 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVF1CM271F9RE00REX22 0.2900
सराय
 ECAD 12 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीएफ R टेप ray ryील (ther) शिर 270 µf ± 20% 16 वी 27mohm 3000 of @ 105 डिगthir सेल -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 2.5 ए @ 100 kHz - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.394 "(10.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVF1CM271F9RE00REX22TR Ear99 8532.22.0020 600
SVZ1CM181E09E00RERF4 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVZ1CM181E09E00RRRRF4 1.1100
सराय
 ECAD 10 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 180 µf ± 20% 16 वी 25mohm २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 2.7 ए @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.374 "(9.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVZ1CM181E09E00RRRRF4CT Ear99 8532.22.0020 800
SVZ1CM101E06E00RAXXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVZ1CM101E06E00RAXXX 0.4700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 16 वी 30mohm २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 2.4 ए @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.256 "(6.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVZ1CM101E06E00RAXXXDKR Ear99 8532.22.0020 1,000
HSA1JM560GCRE00RAXXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group HSA1JM560GCRE00RAXXX 0.4300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एसए R टेप ray ryील (ther) शिर 56 µf ± 20% 63 वी - 4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.512 "(13.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तमाम Ear99 8532.22.0020 500
HSA1HM121GCRE00RAXXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group HSA1HM121GCRE00RAXXX 0.5800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एसए R टेप ray ryील (ther) शिर 120 µf ± 20% 50 वी - 4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.512 "(13.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तमाम Ear99 8532.22.0020 500
HSC1HM680FARE00RS103 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group HSC1HM680FARE00RS103 0.4300
सराय
 ECAD 384 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 68 µf ± 20% 50 वी - 10000 बजे @ 105 किलोयस -55 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तमाम Ear99 8532.22.0020 500
HSA1JM330FARE00RAXXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group Hsa1jm330fare00raxxx 0.8200
सराय
 ECAD 1130 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग एसए R टेप ray ryील (ther) शिर 33 µf ± 20% 63 वी 50mohm 4000 बजे @ 125 डिगthirी सेलchut -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 1 ए @ 100 kHz - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तमाम Ear99 8532.22.0020 500
SVZ1AM471F9RE00RAXXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVZ1AM471F9RE00RAXXX 0.6000
सराय
 ECAD 95 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 470 µf ± 20% 10 वी 22mohm २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 3.4 A @ 100 kHz - 0.315 "अराय (8.00 मिमी) 0.394 "(10.00 मिमी) 0.327 "एल x 0.327" डबthutum (8.30 मिमी x 8.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना Ear99 8532.22.0020 600
SVZ1AM121E06E00RAXXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVZ1AM121E06E00RAXXX 0.3600
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 120 µf ± 20% 10 वी 30mohm २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 2.7 ए @ 100 kHz - 0.248 "अराय (6.30 मिमी) 0.256 "(6.50 मिमी) 0.260 "एल X 0.260" PANTUMATH (6.60 मिमी x 6.60 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVZ1AM121E06E00RAXXXXXCT Ear99 8532.22.0020 1,000
HSC1HM101GARE00RS103 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group HSC1HM101GARE00RS103 0.4100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 50 वी - 10000 बजे @ 105 किलोयस -55 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.512 "(13.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी तमाम 3222-HSC1HM101GARE00RS103DKR Ear99 8532.22.0020 500
SA10JM470A19R25XXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SA10JM470A19R25XXX 0.2300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग ए 1 R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3 वी 25mohm २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 1.8 A @ 100 kHz - 0.287 "एक एल lectut 0.169" डबthautun (7.30 मिमी x 4.30 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) - सतह rurcur 2917 (7343 अट्योर) एक प्रकार का होना Ear99 8532.22.0020 3,500
SVZ0JM272GCRE00REX12 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVZ0JM272GCRE00REX12 1.8900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 2700 µf ± 20% 6.3 वी - २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.512 "(13.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना Ear99 8532.22.0020 500
SA10BM331A19R09XXX Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SA10BM331A19R09XXX 1.5000
सराय
 ECAD 10 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग ए 1 R टेप ray ryील (ther) शिर 330 µf ± 20% 2 वी 9MOHM २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम 3.5 ए @ 100 kHz - 0.287 "एक एल lectut 0.169" डबthautun (7.30 मिमी x 4.30 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) - सतह rurcur 2917 (7343 अट्योर) एक प्रकार का होना 3 (168 घंटे) 3222-SA10BM331A19R09XXXXXTR Ear99 8532.22.0020 3,500
SVF1JM560GCRE00RS302 Aishi Capacitors (Hunan Aihua Group SVF1JM560GCRE00RS302 1.9700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 ऐशि rayr (tama ऐहुआ ऐहुआ ग ग वीएफ R टेप ray ryील (ther) शिर 56 µf ± 20% 63 वी - 3000 of @ 105 डिगthir सेल -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.394 "अराय (10.00 मिमी) 0.512 "(13.00 मिमी) 0.406 "एल x 0.406" डबmuthut (10.30 मिमी x 10.30 मिमी) सतह rurcur रत्न, कैन - एसएमडी एक प्रकार का होना 3222-SVF1JM560GCRE00RS302TR Ear99 8532.22.0020 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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