SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
VPDR602W221K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR602W221K1GV001E 0.6700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 10% 6000V (6KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR602 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
TDCF500G3R0B1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G3R0B1GV001T -
सराय
ECAD 2827 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 3 पीएफ ± 0.1pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
EMCF500G220M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500G220M1GV001T 0.4000
सराय
ECAD 8 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 22 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF250W102K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF250W102K1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 5 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
QSCT251Q0R2A1GV001E Johanson Dielectrics Inc. QSCT251Q0R2A1GV001E 0.9700
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
102H42W151KQ4 Johanson Dielectrics Inc. 102H42W151KQ4 -
सराय
ECAD 8967 0.00000000 तंगता - थोक शिर 150 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.170 "(4.32 मिमी) 0.250 "एल x 0.270" डबmuthut (6.35 मिमी x 6.86 मिमी) 0.222 "(5.64 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
EMCT500W103M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT500W103M1GV001E 0.4100
सराय
ECAD 27 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMDF500W104M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDF500W104M1GV001E -
सराय
ECAD 2292 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.125 "एल x 0.098" डबthutum (3.18 मिमी x 2.49 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) कम कम (x2Y) X7R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TCDF100Y226X1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDF100Y226X1GV001E -
सराय
ECAD 6685 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 22 µf -20%, +80% 10V -30 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - Y5v (f) 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDDD201W333K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TDD201W333K1GV001E -
सराय
ECAD 6078 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.033 µf ± 10% 200V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TCDR160X226M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDR160X226M1GV001E -
सराय
ECAD 4345 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.175 "एल x 0.125" डबmuthut (4.45 मिमी x 3.18 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) - X5R 0.140 "(3.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
TCDF6R3X107M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDF6R3X107M1GV001E -
सराय
ECAD 8975 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDD501G561J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD501G561J1GV001E 0.8200
सराय
ECAD 11 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 560 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMCP101W471M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP101W471M1GV001T 0.3500
सराय
ECAD 9 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD501W471K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W471K1GV001E 0.5000
सराय
ECAD 6 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMCT101G100M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT101G100M1GV001E 0.1077
सराय
ECAD 9560 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDDV251W105K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TDDV251W105K1GV001E -
सराय
ECAD 2315 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1 µf ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.180 "एल X 0.250" डब exprum (4.57 मिमी x 6.35 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1825 (4564 कनम) - X7R 0.140 "(3.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
SCED502G330J4GF001E Johanson Dielectrics Inc. SCED502G330J4GF001E -
सराय
ECAD 9275 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 5% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C Y2 अफ़सतर, शिरमक्यमक्यूलस, - 0.225 "एल X 0.110" डब expriguth (5.72 मिमी x 2.80 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2211 (5728 कनर) अणु C0G, NP0 0.115 "(2.92 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCED502W681K4GF001E Johanson Dielectrics Inc. SCED502W681K4GF001E -
सराय
ECAD 3640 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C Y2 अफ़सतर, शिरमक्यमक्यूलस, - 0.225 "एल X 0.110" डब expriguth (5.72 मिमी x 2.80 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2211 (5728 कनर) अणु X7R 0.115 "(2.92 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDCF500G1R8B1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G1R8B1GV001T 0.0304
सराय
ECAD 1992 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1.8 पीएफ ± 0.1pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
VPDP102W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP102W102K1GV001E 0.9800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP102 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDP202G471K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP202G471K1GV001E 0.5211
सराय
ECAD 8693 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP202 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMDF101W104M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDF101W104M1GV001E 0.6900
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.125 "एल x 0.098" डबthutum (3.18 मिमी x 2.49 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) कम कम (x2Y) X7R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDD202W221K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202W221K1GF001E -
सराय
ECAD 8147 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDD202 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
RLER501W204M3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLER501W204M3QN001B -
सराय
ECAD 9245 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.2 µf ± 20% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.275 "(6.99 मिमी) 0.370 "एल x 0.270" डबmuntum (9.40 मिमी x 6.86 मिमी) 0.302 ”(7.67 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
TDCP160W104K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP160W104K1GV001T -
सराय
ECAD 3381 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD501G122K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD501G122K1GV001E 0.8100
सराय
ECAD 511 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1200 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल C0G, NP0 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCT500W472K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500W472K1GV001T 0.1300
सराय
ECAD 6 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDF102G681K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF102G681K1GF001E -
सराय
ECAD 6455 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDF102 C0G, NP0 - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDCF500W222K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500W222K1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 6 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम