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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
TDCP500W104K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W104K1GV001T -
सराय
ECAD 5658 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
RLFH102W473M3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLFH102W473M3QN001B -
सराय
ECAD 3106 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.047 µf ± 20% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.375 "(9.53 मिमी) 0.472 "एल X 0.320" डब extum (12.00 मिमी x 8.13 मिमी) 0.404 "(10.25 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
VPCT501W102K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT501W102K1GV001T 0.2300
सराय
ECAD 45 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल X7R 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500G102F1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500G102F1GV001T 0.1096
सराय
ECAD 2932 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 1% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
RLDM202G500J3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLDM202G500J3QN001B -
सराय
ECAD 8619 0.00000000 तंगता - थोक शिर 50 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.170 "(4.32 मिमी) 0.250 "एल x 0.270" डबmuthut (6.35 मिमी x 6.86 मिमी) 0.222 "(5.64 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
EMCP500W221M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W221M1GV001T 0.0740
सराय
ECAD 3178 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF500G3R3C1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G3R3C1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 648 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF500G101J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G101J1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF160W103K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF160W103K1GV001T 0.1800
सराय
ECAD 27 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCP500W473K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W473K1GV001T 0.1400
सराय
ECAD 153 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500W224K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500W224K1GV001T -
सराय
ECAD 4079 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD202G101J1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G101J1GF001E -
सराय
ECAD 7776 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR501W223K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR501W223K1GF001E 0.2179
सराय
ECAD 9636 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDR501 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPEH102W104K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPEH102W104K1GF001E 1.2486
सराय
ECAD 2670 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.225 "एल X 0.255" डबthutum (5.72 मिमी x 6.48 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2225 (5763 कनम) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPEH102 X7R - 0.160 "(4.06 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPCT502G500J2GF001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT502G500J2GF001T -
सराय
ECAD 8212 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 50 पीएफ ± 5% 5000V (5KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPCT502 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMCF500G100M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500G100M1GV001T 0.4000
सराय
ECAD 13 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
SCDP302W102K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302W102K4GV001E 1.0000
सराय
ECAD 26 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP302 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMCP500W103M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W103M1GV001T 0.3400
सराय
ECAD 126 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TCCT160W105K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TCCT160W105K1GV001T -
सराय
ECAD 7340 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.060 "(1.52 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD202W102M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD202W102M1GV001E 1.0400
सराय
ECAD 8 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD202 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMDK101W404M1GF001E Johanson Dielectrics Inc. EMDK101W404M1GF001E 1.0600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता X2Y® PERCANE® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.4 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सवार - 0.140 "एल x 0.098" डबthutum (3.56 मिमी x 2.49 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1410 (3524 कनर) कम ईएसएल (x2y), rayr म X7R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCDP302G100K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302G100K4GV001E 0.5900
सराय
ECAD 6 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP302 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCED502W222K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCED502W22222K4GV001E 1.8500
सराय
ECAD 159 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C Y2 सराय - 0.225 "एल X 0.110" डब expriguth (5.72 मिमी x 2.80 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2211 (5728 कनर) - X7R 0.115 "(2.92 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
VPDD501G331J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501G331J1GV001E 0.1376
सराय
ECAD 7593 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD501G102J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501G102J1GV001E 0.5677
सराय
ECAD 3266 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR501W473K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR501W473K1GV001E 1.2200
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR501 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDR102W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR102W102K1GV001E 0.2340
सराय
ECAD 2905 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR102 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDR202W682K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR202W682K1GV001E 0.9700
सराय
ECAD 43 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 6800 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR202 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
TCCP6R3X475M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TCCP6R3X475M1GV001T 0.2300
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X5R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMDR501W393M1GF001E Johanson Dielectrics Inc. EMDR501W393M1GF001E 2.1300
सराय
ECAD 1975 0.00000000 तंगता X2Y® PERCANE® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.039 µf ± 20% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सवार - 0.174 "एल X 0.125" डबthutum (4.42 मिमी x 3.18 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) कम ईएसएल (x2y), rayr म X7R 0.090 "(2.29 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम