SIC
close

सियार (555)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
EMCP500W101M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W101M1GV001T 0.0740
सराय
 ECAD 3068 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
M2EH101W305M3J1001F Johanson Dielectrics Inc. M2EH101W305M3J1001F -
सराय
 ECAD 5627 0.00000000 तंगता मिनी-स शिर Sic में बंद r क rur kay 3 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.280 "एल X 0.270" डबthutum (7.11 मिमी x 6.86 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 6-स अणु X7R 0.190 "(4.83 मिमी) जे-जे - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
M3FP101W126K3J1001W Johanson Dielectrics Inc. M3FP101W126K3J1001W -
सराय
 ECAD 3262 0.00000000 तंगता पी शिर Sic में बंद r क rur kay 12 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.387 "एक एल lectus 0.310" डबthauti (9.84 मिमी x 7.87 मिमी) - अणु, एमएलसीसी सmuntum एसएमडी, 8 जे-लीड कम ray X7R 0.425 "(10.80 मिमी) जे-जे तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
VPDD202G470J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G470J1GV001E 0.6600
सराय
 ECAD 245 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल C0G, NP0 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TCCT6R3X226M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCCT6R3X226M1GV001E -
सराय
 ECAD 6995 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R 0.060 "(1.52 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCT500G100J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500G100J1GV001T 0.1500
सराय
 ECAD 21 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
SCED502W471K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCED502W471K4GV001E 0.3427
सराय
 ECAD 9754 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C X1, Y2 अफ़सतर, शिरमक्यमक्यूलस, - 0.225 "एल X 0.110" डब expriguth (5.72 मिमी x 2.80 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2211 (5728 कनर) अणु X7R - 0.115 "(2.92 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TCDF6R3X476M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDF6R3X476M1GV001E -
सराय
 ECAD 4426 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
VPDD501W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W102K1GV001E 0.4700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
QGCT102Q180G3GU001M Johanson Dielectrics Inc. QGCT102Q180G3GU001M 1.0100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तंगता - थोक शिर 18 पीएफ ± 2% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल QGCT102 C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 1
VPDP302W151K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP302W151K1GV001E 0.1624
सराय
 ECAD 6086 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 10% 3000V (3KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP302 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
160R18W105KV4E Johanson Dielectrics Inc. 160R18W105KV4E -
सराय
 ECAD 1926 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPCT102W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPCT102W102K1GV001E 0.3800
सराय
 ECAD 37 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल Vpct102 X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD501W681K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W681K1GV001E -
सराय
 ECAD 7837 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMCF500W101M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500W101M1GV001T -
सराय
 ECAD 1958 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) X7R 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPCT501G102K1GF001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT501G102K1GF001T -
सराय
 ECAD 1235 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPCT501 X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDF202W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF202W102K1GV001E 0.5000
सराय
 ECAD 31 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF202 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDCT160W104K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT160W104K1GV001T 0.2000
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TCDD6R3X335K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDD6R3X335K1GV001E 2.1300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X5R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPEF602W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPEF602W102K1GV001E 3.6700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 6000V (6KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.225 "एल X 0.200" डब expriguth (5.72 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2220 (5750 पचुर) उचmuth वोल Vpef602 X7R - 0.150 "(3.81 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
TDCT500W102K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500W102K1GV001T -
सराय
 ECAD 7682 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMDD500W104M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDD500W104M1GV001E 0.6700
सराय
 ECAD 152 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.124 "एल x 0.063" डबthutum (3.15 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) कम कम (x2Y) X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDP102W183K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP102W183K1GV001E 1.2400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.018 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.189 "एल X 0.080" PARCAUTUN (4.80 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल X7R 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDCT500G120J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500G120J1GV001T -
सराय
 ECAD 6154 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 12 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF500G470J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G470J1GV001T -
सराय
 ECAD 4409 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
VPDR102W103K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR102W103K1GF001E 0.2235
सराय
 ECAD 1098 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDR102 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
EMCF500W102M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500W102M1GV001T 0.3400
सराय
 ECAD 135 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) X7R 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCT500W102M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT500W102M1GV001E 0.3600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP100W224M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP100W224M1GV001T 0.4300
सराय
 ECAD 80 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCT101W103M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT101W103M1GV001E 0.4100
सराय
 ECAD 209 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें