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टैंटलम rur (93)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) Sabasapak @ टेम सरायना रत्न लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तंग तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़वाह
TCFGA1C335M8R Rohm Semiconductor TCFGA1C335M8R -
सराय
 ECAD 8960 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCTCL0J227MCR Rohm Semiconductor TCTCL0J227MCR -
सराय
 ECAD 6368 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 220 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.236 "एल x 0.126" डबmuthut (6.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.059 "(1.50 मिमी) सतह rurcur २३१२ (६०३२ सटरी) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira 511-TCTCL0J227MCRTR Ear99 8532.21.0050 1,000 -
TCFGP1A475M8R Rohm Semiconductor TCFGP1A475M8R -
सराय
 ECAD 7571 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 पी
TCFGP1C105M8R Rohm Semiconductor TCFGP1C105M8R -
सराय
 ECAD 7406 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 पी
TCP1E105M8R Rohm Semiconductor TCP1E105M8R -
सराय
 ECAD 5235 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 25 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCP1E105M8RTR Ear99 8532.21.0050 3,000 पी
TCSM0G107M8R-V1 Rohm Semiconductor TCSM0G107M8R-V1 0.6109
सराय
 ECAD 6362 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 4 वी 4OHM @ 100kHz - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCSM0G107M8R-V1TR Ear99 8532.21.0050 3,000 एम
TCFGA0J106M8R Rohm Semiconductor TCFGA0J106M8R -
सराय
 ECAD 6467 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCFGA0J156M8R Rohm Semiconductor TCFGA0J156M8R -
सराय
 ECAD 5049 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 15 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCFGA0J685M8R Rohm Semiconductor TCFGA0J685M8R -
सराय
 ECAD 1792 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 6.8 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCFGP0G335M8R Rohm Semiconductor TCFGP0G335M8R -
सराय
 ECAD 8729 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 µf ± 20% 4 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 पी
TCFGP1A105M8R Rohm Semiconductor TCFGP1A105M8R -
सराय
 ECAD 1291 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 पी
TCFGD1C107MCR Rohm Semiconductor TCFGD1C107MCR -
सराय
 ECAD 9719 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.287 "एक एल lectut 0.169" डबthautun (7.30 मिमी x 4.30 मिमी) 0.118 "(3.00 मिमी) सतह rurcur 2917 (7343 अट्योर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8532.21.0050 500 डी
TCA0G156M8R Rohm Semiconductor TCA0G156M8R -
सराय
 ECAD 6774 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 15 µf ± 20% 4 वी 4ohm - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCA0J685M8R Rohm Semiconductor TCA0J685M8R -
सराय
 ECAD 7207 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 6.8 µf ± 20% 6.3 वी 4.2hm - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCFGA0J226M8R Rohm Semiconductor TCFGA0J226M8R -
सराय
 ECAD 8523 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCFGA1A106M8R Rohm Semiconductor TCFGA1A106M8R -
सराय
 ECAD 8698 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCFGB1C226M8R Rohm Semiconductor TCFGB1C226M8R -
सराय
 ECAD 7692 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCFGB1C685M8R Rohm Semiconductor TCFGB1C685M8R -
सराय
 ECAD 7949 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 6.8 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCA1E475M8R Rohm Semiconductor TCA1E475M8R -
सराय
 ECAD 7687 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 25 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCA1E475M8RTR Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCSP0G227M8R-V1 Rohm Semiconductor TCSP0G227M8R-V1 0.3903
सराय
 ECAD 8303 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 220 µf ± 20% 4 वी 3OHM @ 100kHz - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCSP0G227M8R-V1TR Ear99 8532.21.0050 3,000 पी
TCM1E105M8R Rohm Semiconductor TCM1E105M8R -
सराय
 ECAD 4932 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 25 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8532.21.0050 4,000 एम
TCSM1A226M8R Rohm Semiconductor TCSM1A226M8R -
सराय
 ECAD 4937 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 10 वी 5OHM @ 100kHz - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCSM1A226M8RTR Ear99 8532.21.0050 3,000 एम
TCP0J226M8R Rohm Semiconductor TCP0J226M8R -
सराय
 ECAD 9014 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 पी
TCP0G156M8R Rohm Semiconductor TCP0G156M8R -
सराय
 ECAD 7134 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 15 µf ± 20% 4 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 पी
TCFGA1A475M8R Rohm Semiconductor TCFGA1A475M8R -
सराय
 ECAD 7720 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCTAS1A476M8R Rohm Semiconductor TCTAS1A476M8R -
सराय
 ECAD 1767 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTAS1A476M8RTR Ear99 8532.21.0050 3,000 -
TCA0G107M8R Rohm Semiconductor TCA0G107M8R -
सराय
 ECAD 9937 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 4 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCA0G107M8RTR Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCFGB1A107M8R Rohm Semiconductor TCFGB1A107M8R -
सराय
 ECAD 7351 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCFGB1A336M8R Rohm Semiconductor TCFGB1A336M8R -
सराय
 ECAD 4859 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 33 µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCFGA1E475M8R Rohm Semiconductor TCFGA1E475M8R -
सराय
 ECAD 2796 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 25 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
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AD9208BBPZ-3000

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