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टैंटलम - बहुलक कैपेसिट कैपेसिट कैपेसिट कैपेसिट

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कड़ा कांप -रन R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) Sabasapak @ टेम सरायना रत्न लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़वाह
TCOA0J226M8R Rohm Semiconductor TCOA0J226M8R -
सराय
 ECAD 8138 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3 वी 200mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCSOM0J476M8R-ZM1 Rohm Semiconductor TCSOM0J476M8R-ZM1 0.9000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी टीसीएसओ R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3 वी 300mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 एम
TCTOA0J107M8R-ZS1 Rohm Semiconductor TCTOA0J107M8R-ZS1 0.3954
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3 वी 45mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCSOPL1E475M8R-ZT1 Rohm Semiconductor TCSOPL1E475M8R-ZT1 0.5294
सराय
 ECAD 4121 0.00000000 रोटी टीसीएसओ R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 25 वी 500mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 पी एल
TCOB1A476M8R Rohm Semiconductor TCOB1A476M8R -
सराय
 ECAD 1792 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 10 वी 150mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCOB1A476M8RTR Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCTOA0J157M8R Rohm Semiconductor TCTOA0J157M8R -
सराय
 ECAD 8193 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 150 µf ± 20% 6.3 वी 200mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTOA0J157M8RTR Ear99 8532.21.0050 2,000 -
TCOA0J106M8R Rohm Semiconductor TCOA0J106M8R -
सराय
 ECAD 8344 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 6.3 वी 200mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCOB0J157M8R Rohm Semiconductor TCOB0J157M8R -
सराय
 ECAD 7853 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 150 µf ± 20% 6.3 वी 150mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCOB0J157M8RTR Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCSOM1A106M8R-ZM1 Rohm Semiconductor TCSOM1A106M8R-ZM1 0.2232
सराय
 ECAD 6519 0.00000000 रोटी टीसीएसओ R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 10 वी 300mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 एम
TCSOPL0J476M8R-ZF1 Rohm Semiconductor TCSOPL0J476M8R-ZF1 -
सराय
 ECAD 4818 0.00000000 रोटी टीसीएसओ R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3 वी 150mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 पी एल
TCOB0J107M8R-D Rohm Semiconductor TCOB0J107M8R-D 0.5090
सराय
 ECAD 8955 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCOB0J107M8R-DTR Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCTOAS1A476M8R-ZB1 Rohm Semiconductor TCTOAS1A476M8R-ZB1 1.6500
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 10 वी 100mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 कसना
TCOA1A106M8R Rohm Semiconductor TCOA1A106M8R -
सराय
 ECAD 6432 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 10 वी 200mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCTOA1A476M8R Rohm Semiconductor TCTOA1A476M8R -
सराय
 ECAD 9815 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 10 वी 200mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTOA1A476M8RTR Ear99 8532.21.0050 2,000 -
TCTOP1A106M8R Rohm Semiconductor TCTOP1A106M8R -
सराय
 ECAD 2784 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 10 वी 300mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTOP1A106M8RTR Ear99 8532.21.0050 3,000 पी
TCTOA0J107M8R-ZW1 Rohm Semiconductor TCTOA0J107M8R-ZW1 0.3860
सराय
 ECAD 4728 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3 वी 35MOHM @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTOA0J107M8R-ZW1TR Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
TCSOPS0J476M8R-ZF1 Rohm Semiconductor TCSOPS0J476M8R-ZF1 1.0200
सराय
 ECAD 443 0.00000000 रोटी टीसीएसओ R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3 वी 150mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 पी.एस.
TCTOAS0J107M8R-ZW1 Rohm Semiconductor TCTOAS0J107M8R-ZW1 1.3500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3 वी 70mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 कसना
TCTOBL1V685M8R-ZF1 Rohm Semiconductor TCTOBL1V685M8R-ZF1 1.8500
सराय
 ECAD 928 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 6.8 µf ± 20% 35 वी 150mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 कसना
TCTOM1A225M8R Rohm Semiconductor TCTOM1A225M8R -
सराय
 ECAD 3744 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 20% 10 वी 500mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTOM1A225M8RTR Ear99 8532.21.0050 4,000 एम
TCOB0J227M8R-EN1 Rohm Semiconductor TCOB0J227M8R-EN1 1.2500
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 220 µf ± 20% 6.3 वी 35MOHM @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCTOBL0J157M8R-ZN1 Rohm Semiconductor TCTOBL0J157M8R-ZN1 1.9900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी TCTO R टेप ray ryील (ther) शिर 150 µf ± 20% 6.3 वी 35MOHM @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 कसना
TCOB0J107M8R-ES1 Rohm Semiconductor TCOB0J107M8R-ES1 1.5800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3 वी 45mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCOA0G336M8R Rohm Semiconductor TCOA0G336M8R -
सराय
 ECAD 2398 0.00000000 रोटी TCO R टेप ray ryील (ther) शिर 33 µf ± 20% 4 वी 200mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 ए
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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