SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
C1608X7R1H223K080AE TDK Corporation C1608X7R1H223K080AE 0.1800
सराय
ECAD 4 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
C1005X7R1C224K050BE TDK Corporation C1005x7R1C224K050BE 0.1800
सराय
ECAD 21 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ अणु X7R - 0.024 "(0.60 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
C2012X7R2A473K125AE TDK Corporation C2012X7R2A473K125AE 0.2500
सराय
ECAD 179 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
C1608X8R1H104K080AE TDK Corporation C1608X8R1H104K080AE 0.2400
सराय
ECAD 391 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C - सराय - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
C3216X7R2J222K115AE TDK Corporation C3216X7R2J2222K115AE 0.3000
सराय
ECAD 1 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X7R - 0.051 "(1.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
C1608X7R1V474K080AE TDK Corporation C1608X7R1V474K080AE 0.2400
सराय
ECAD 5 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 35V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
C3216X8R2A104K115AE TDK Corporation C3216X8R2A104K115AE 0.4800
सराय
ECAD 5 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 150 ° C - सराय - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X8r - 0.051 "(1.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA6L2X7R1H105K160AE TDK Corporation CGA6L2X7R1H105K160AE 0.4000
सराय
ECAD 2 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) अणु X7R - 0.075 "(1.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA5L3X8R1C475K160AE TDK Corporation CGA5L3X8R1C475K160AE 0.8300
सराय
ECAD 1 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X8r - 0.075 "(1.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA3E2X7R2A102K080AE TDK Corporation CGA3E2X7R2A102K080AE 0.1800
सराय
ECAD 9 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E3X8R1E224K080AE TDK Corporation CGA3E3X8R1E224K080AE 0.3200
सराय
ECAD 6448 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
C3216X7R1E225M160AE TDK Corporation C3216X7R1E225M160AE 0.3600
सराय
ECAD 1 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं २.२ µf ± 20% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X7R - 0.075 "(1.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
C3225X7R2J683K200AE TDK Corporation C3225x7R2J683K200AE 0.6300
सराय
ECAD 2682 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.068 µf ± 10% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) अणु X7R - 0.091 "(2.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CGA6P3X8R1E475K250AE TDK Corporation CGA6P3X8R1E475K250AE 2.0600
सराय
ECAD 200 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) अणु X8r - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
C1608X8R1H222K080AE TDK Corporation C1608X8R1H22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 0.1700
सराय
ECAD 12 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C - सराय - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
C1608X7R2A472M080AE TDK Corporation C1608X7R2A472M080AE 0.1800
सराय
ECAD 1302 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 4700 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA4J3X8R1H224K125AE TDK Corporation CGA4J3X8R1H224K125AE 0.3900
सराय
ECAD 4 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
C2012X8R1E474K125AE TDK Corporation C2012X8R1E474K125AE 0.4000
सराय
ECAD 2853 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 150 ° C - सराय - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
C1608X8R1C474K080AE TDK Corporation C1608X8R1C474K080AE 0.2900
सराय
ECAD 6 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 150 ° C - सराय - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA2B2X8R1E103K050BE TDK Corporation CGA2B2X8R1E103K050BE 0.2100
सराय
ECAD 111 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 25V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ अणु X8r - 0.024 "(0.60 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
C2012X7R2A223M125AE TDK Corporation C2012X7R2A223M125AE 0.2200
सराय
ECAD 8167 0.00000000 अफ़सतर सी R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0.022 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA3E2X8R2A222K080AE TDK Corporation CGA3E2x8R2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 0.2400
सराय
ECAD 1 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
FA14C0G1H153JNU06 TDK Corporation FA14C0G1H153JNU06 0.6600
सराय
ECAD 7 0.00000000 अफ़सतर तंग करना कट कट टेप (सीटी) शिर 0.015 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - C0G, NP0 - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
FA14C0G2A103JNU06 TDK Corporation Fa14C0G2A103JNU06 0.4600
सराय
ECAD 6 0.00000000 अफ़सतर तंग करना कट कट टेप (सीटी) शिर 10000 पीएफ ± 5% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - C0G, NP0 - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
FA14C0G2A472JNU06 TDK Corporation Fa14C0G2A472JNU06 0.4500
सराय
ECAD 7 0.00000000 अफ़सतर तंग करना कट कट टेप (सीटी) शिर 4700 पीएफ ± 5% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - C0G, NP0 - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
FA14NP02A562JNU06 TDK Corporation FA14NP02A562JNU06 0.1374
सराय
ECAD 7385 0.00000000 अफ़सतर तंग करना टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 5600 पीएफ ± 5% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न अफ़सीर C0G, NP0 - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
FA14NP02A682JNU06 TDK Corporation FA14NP02A682JNU06 0.5600
सराय
ECAD 1 0.00000000 अफ़सतर तंग करना कट कट टेप (सीटी) शिर 6800 पीएफ ± 5% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न अफ़सीर C0G, NP0 - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
FA14X7R1H224KNU06 TDK Corporation Fa14x7R1H224KNU06 0.3300
सराय
ECAD 7 0.00000000 अफ़सतर तंग करना कट कट टेप (सीटी) शिर 0.22 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - X7R - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
FA14X7R2A104KNU06 TDK Corporation Fa14x7R2A104KNU06 0.4900
सराय
ECAD 5 0.00000000 अफ़सतर तंग करना कट कट टेप (सीटी) शिर 0.1 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - X7R - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
FA14X8R1H224KRU06 TDK Corporation FA14x8R1H224KRU06 0.4000
सराय
ECAD 2 0.00000000 अफ़सतर तंग करना कट कट टेप (सीटी) शिर 0.22 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव 0.098 "(2.50 मिमी) 0.177 "एक एल lectus 0.118" letcunt (4.50 मिमी x 3.00 मिमी) 0.217 "(5.50 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न अफ़सीर X8r - - गठित लीड तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8532.24.0060 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम