SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
VPDR302W151K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR302W151K1GV001E -
सराय
ECAD 7515 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 10% 3000V (3KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR302 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDF102G681K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF102G681K1GF001E -
सराय
ECAD 6455 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDF102 C0G, NP0 - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDCF500W222K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500W222K1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 6 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF160W223K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF160W223K1GV001T 0.1400
सराय
ECAD 13 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
VPDD202G221J1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G221J1GF001E -
सराय
ECAD 5394 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMCF500G1R8C1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500G1R8C1GV001T -
सराय
ECAD 3971 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1.8 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMDD101W223M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDD101W223M1GV001E 0.4900
सराय
ECAD 9 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.124 "एल x 0.063" डबthutum (3.15 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) कम कम (x2Y) X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCP500W104K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W104K1GV001T -
सराय
ECAD 5658 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
RLFH102W473M3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLFH102W473M3QN001B -
सराय
ECAD 3106 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.047 µf ± 20% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.375 "(9.53 मिमी) 0.472 "एल X 0.320" डब extum (12.00 मिमी x 8.13 मिमी) 0.404 "(10.25 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
VPCT501W102K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT501W102K1GV001T 0.2300
सराय
ECAD 45 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल X7R 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500G102F1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500G102F1GV001T 0.1096
सराय
ECAD 2932 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 1% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD202W471K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202W471K1GF001E -
सराय
ECAD 2420 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDD202 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD202G330J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G330J1GV001E 0.6900
सराय
ECAD 29 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
RLDM202G500J3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLDM202G500J3QN001B -
सराय
ECAD 8619 0.00000000 तंगता - थोक शिर 50 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.170 "(4.32 मिमी) 0.250 "एल x 0.270" डबmuthut (6.35 मिमी x 6.86 मिमी) 0.222 "(5.64 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
VPDD501G561J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD501G561J1GV001E 0.8200
सराय
ECAD 11 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 560 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMCT500W153M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT500W153M1GV001E 0.4300
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.015 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VBDD501W331K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VBD501W331K1GV001E 0.5100
सराय
ECAD 10 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VBDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDP102W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP102W102K1GV001E 0.9800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP102 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDCP500W222K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W22222K1GV001T 0.1600
सराय
ECAD 5 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500W473K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500W473K1GV001T -
सराय
ECAD 7469 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
S0AU500A471K1S2001W Johanson Dielectrics Inc. S0AU500A471K1S2001W 2.5755
सराय
ECAD 1370 0.00000000 तंगता - शिर शिर 470 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.025 "एल x 0.025" PARCAUTH (0.64 मिमी x 0.64 मिमी) - अफ़संद सराय -तन उचth -leci, कम rana, बॉनthun kana, कम प प प प प जीबीबीएल - 0.009 "(0.23 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.23.0020 100
EMCT500G331M1GF001B Johanson Dielectrics Inc. EMCT500G331M1GF001B -
सराय
ECAD 8567 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) C0G, NP0 - 0.040 "(1.02 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1
EMDF500W104M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDF500W104M1GV001E -
सराय
ECAD 2292 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.125 "एल x 0.098" डबthutum (3.18 मिमी x 2.49 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) कम कम (x2Y) X7R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCEF502W472K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCEF502W472K4GV001E 3.6100
सराय
ECAD 581 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X1, Y2 सराय - 0.225 "एल X 0.200" डब expriguth (5.72 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2220 (5750 पचुर) - SCEF502 X7R - 0.150 "(3.81 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
RLER501W204M3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLER501W204M3QN001B -
सराय
ECAD 9245 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.2 µf ± 20% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.275 "(6.99 मिमी) 0.370 "एल x 0.270" डबmuntum (9.40 मिमी x 6.86 मिमी) 0.302 ”(7.67 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
M4EM501W824K3SL001F Johanson Dielectrics Inc. M4EM501W824K3SL001F -
सराय
ECAD 4639 0.00000000 तंगता पी शिर Sic में बंद r क rur kay 0.82 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म 0.100 "(2.54 मिमी) 0.250 "एल X 0.190" डबthuthut (6.34 मिमी x 4.83 मिमी) 0.545 "(13.84 मिमी) होल के kaytaumauth से - उचmun कthu, कम rana, उचthun वोल e वोल X7R - कसना तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
S2AP101B220M1S2001W Johanson Dielectrics Inc. S2AP101B220M1S2001W 1.1312
सराय
ECAD 9024 0.00000000 तंगता - शिर शिर 22 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.020 "of x 0.020" डब51 (0.51 मिमी x 0.51 मिमी) - अफ़संद सराय -तन उचth -leci, कम rana, बॉनthun kana, कम प प प प प बी - 0.008 "(0.20 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.23.0020 100
VPDF102W103K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF102W103K1GF001E 0.1401
सराय
ECAD 2684 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDF102 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
RLDT500G563J3QN001T Johanson Dielectrics Inc. RLDT500G563J3QN001T -
सराय
ECAD 1565 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.056 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.200 "(5.08 मिमी) 0.300 "of x 0.200" डबthuthuth (7.62 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) 0.302 ”(7.67 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
M1EH251W105K1L1003W Johanson Dielectrics Inc. M1EH251W105K1L1003W -
सराय
ECAD 6237 0.00000000 तंगता मिनी-स शिर Sic में बंद r क rur kay 1 µf ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.280 "एल X 0.270" डबthutum (7.11 मिमी x 6.86 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 6-स अणु X7R 0.095 "(2.41 मिमी) एल लीड - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम