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कmun lectirauraurauraurach (of) (236)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम Chana @ kthun सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग सराय क्योरस - रयरा वोलmume - बthurana वोलmus - कthलैंपिंग (अधिकतम) @ आईपीपी आईपीपी सराफक - पीक पल पलtum (10/1000) एस) तंग - पीक पल तंग द द चैनल चैनल
DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU, H3XHF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना 9pf @ 1MHz यूएससी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 12v (अधिकतम) 16.2V 33V 2.5a (8/20) s) 80W नहीं 1
DF3A6.8LCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LCT, L3F 0.3700
सराय
 ECAD 4598 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a6.8 6pf @ 1MHz Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 - 6.5V - - - नहीं
MSZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ12V, LF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 44pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12v 11.4v 26v 7 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CEZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ16V, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 35pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 16 वी 15.3v 27 ए वी 5.5a (8/20) s) 200W नहीं
DF3D18FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU, LF 0.3900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना DF3D18 9pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 12v 16.2V 33V 2.5a (8/20) s) 80W नहीं 2
DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU, H3F 0.2200
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2B7 8.5pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.8v 20 वी 4 ए (8/20) एस) 80W नहीं 1
DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6F (TE85L, F) 0.0845
सराय
 ECAD 6930 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-74A, SOT-753 एक प्रकार का होना DF5A3.6 110pf @ 1MHz एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - नहीं
DF2S6.8UFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS, L3M 0.3400
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S6.8 1.6pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 5.3 वी, 22 वी - - - नहीं
CSLZ10V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 16pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 8v (अधिकतम) 9.4v 18v 2.5a (8/20) s) 60W नहीं
DF5A5.6CFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CFUTE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना DF5A5.6 29pf @ 1MHz यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 3.5V 5.3v - - - नहीं
DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4CT, L3F 0.2900
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S6 0.35pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं
DF2B7AE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना DF2B7 8.5pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.8v 20 वी 4 ए (8/20) एस) 80W नहीं 1
DF2S6.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2CT, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 66 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S6.2 32pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V 5.8v - - - नहीं
DF2S10FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S10FS, L3M 0.1700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S10 16pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 8v (अधिकतम) 9.4v - - - नहीं
DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LJE, LM 0.3300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना Df5a6.2 6.5pf @ 1MHz तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.9v - - - नहीं
DF5A6.2JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2JE, LM 0.3100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना Df5a6.2 55pf @ 1MHz तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 3 वी 5.8v - - - नहीं
DF2S24FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S24FS, L3M 0.1800
सराय
 ECAD 27 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S24 8.5pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 22.8v - - - नहीं
CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ24V, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 3601 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 26pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 24V 22.8v 36.5V 4.5a (8/20) s) 200W नहीं
DF2B5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5SL, L3F 0.3600
सराय
 ECAD 9925 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2B5 0.3pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 3.3V (अधिकतम) 3.6V 25v 2.5a (8/20) s) 37W नहीं 1
CSLZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 18pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 6.5V (अधिकतम) 7.7v 17v 2.5a (8/20) s) 55W नहीं
DF2B6USL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6USL, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना Df2b6 1.5pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.7v 20 वी 1.5a (8/20) s) 30W नहीं 1
DF3A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FU (TE85L, F) 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना DF3A 115pf @ 1MHz कांपना - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.1V - - - नहीं
DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2FS, L3M 0.1800
सराय
 ECAD 125 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S6.2 32pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V 5.8v - - - नहीं
DF2B6.8AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8AFS, L3M -
सराय
 ECAD 2977 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना Df2b 9pf @ 1MHz Sod-923 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 5V (अधिकतम) 5.8v 7V 1 ए (8/20) एस) - नहीं 1
DF3A5.6LFV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFV (TPL3, Z) 0.3900
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur एसओटी -723 एक प्रकार का होना Df3a5.6 8pf @ 1MHz Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 3.5V 5.3v - - - नहीं
DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8ASL, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 67 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2S6.8 25pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V (अधिकतम) 6.4V - - - नहीं
DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CFU (TE85L, F 0.4400
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना Df5a6.2 25pf @ 1MHz यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V 5.8v - - - नहीं
DF2S6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5SL, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2S6 0.6pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V (अधिकतम) 5.5V 17v 2.5a (8/20) s) 37W नहीं
CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ36V, H3F 0.3600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना 105pf @ 1MHz US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 41.2V 23 ए (8/20) एस) 2100W (2.1KW) नहीं
DF2B6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4CT, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना Df2b6 0.2pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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