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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम तमाम सवार शराबी तमाम Chana @ kthun सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग सराय क्योरस - रयरा वोलmume - बthurana वोलmus - कthलैंपिंग (अधिकतम) @ आईपीपी आईपीपी सराफक - पीक पल पलtum (10/1000) एस) तंग - पीक पल तंग द द चैनल चैनल
DF2S5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5SL, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2S5 0.6pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 3.3V (अधिकतम) 3.6V 16v 2.5a (8/20) s) 37W नहीं
DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU, H3XHF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना 9pf @ 1MHz यूएससी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 12v (अधिकतम) 16.2V 33V 2.5a (8/20) s) 80W नहीं 1
CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ36V, H3F 0.3600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना 105pf @ 1MHz US2H तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 41.2V 23 ए (8/20) एस) 2100W (2.1KW) नहीं
DF3A6.8LCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LCT, L3F 0.3700
सराय
 ECAD 4598 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a6.8 6pf @ 1MHz Cst3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 - 6.5V - - - नहीं
MSZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ12V, LF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 44pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12v 11.4v 26v 7 ए (8/20) एस) 200W नहीं
MUZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage मुज़ 12 वी, एलएफ 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 44pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12v 11.4v 26v 7 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CEZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ20V, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 29pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 20 वी 18.8v 30.5v 5 ए (8/20) एस) 200W नहीं
MSZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ30V, LF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 21pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28 वी 47.5V 4 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ20V, H3F 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना 29pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 20 वी 18.8v 30.5v 5 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CEZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ16V, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 35pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 16 वी 15.3v 27 ए वी 5.5a (8/20) s) 200W नहीं
CEZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ12V, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 23 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 44pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 12v 11.4v 26v 7 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CUZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ8V2, H3F 0.3500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना 67PF @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 8.2v 7.7v 16.5v 8.5a (8/20) s) 200W नहीं
MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage मुज़ 24 वी, एलएफ 0.3500
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 26pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8v 36.5V 4.5a (8/20) s) 200W नहीं
DF2B36FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU, H3F 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2B36 6.5pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 28 वी 32V 40V 1 ए (8/20) एस) 150W नहीं 1
DF3D18FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU, LF 0.3900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना DF3D18 9pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 12v 16.2V 33V 2.5a (8/20) s) 80W नहीं 2
DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU, H3F 0.2200
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2B7 8.5pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.8v 20 वी 4 ए (8/20) एस) 80W नहीं 1
DF2S20FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S20FS, L3M 0.1800
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S20 9pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 15V (अधिकतम) 18.8v - - - नहीं
DF2B6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4CT, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना Df2b6 0.2pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 1
CEZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ8V2, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 67PF @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 8.2v 7.7v 16.5v 8.5a (8/20) s) 200W नहीं
DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6F (TE85L, F) 0.0845
सराय
 ECAD 6930 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-74A, SOT-753 एक प्रकार का होना DF5A3.6 110pf @ 1MHz एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - नहीं
DF2S6.8UFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS, L3M 0.3400
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S6.8 1.6pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 5.3 वी, 22 वी - - - नहीं
CSLZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V2, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 30pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 5V (अधिकतम) 5.8v 10.5v 2.5a (8/20) s) 87W नहीं
CSLZ10V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 16pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 8v (अधिकतम) 9.4v 18v 2.5a (8/20) s) 60W नहीं
DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FV, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur एसओटी -723 एक प्रकार का होना Df3a3.3 115pf @ 1MHz Vesm - रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 - 3.1V - - - नहीं
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT, L3F 0.4800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना 0.3pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 3.3V (अधिकतम) 3.6V 15V 2.5a (8/20) s) 37W नहीं 1
DF5A5.6CFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CFUTE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना DF5A5.6 29pf @ 1MHz यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 3.5V 5.3v - - - नहीं
DF2S8.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2FS, L3M 0.1800
सराय
 ECAD 52 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S8.2 20pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 6.5V (अधिकतम) 7.7v - - - नहीं
DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4CT, L3F 0.2900
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S6 0.35pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं
DF2B7AE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना DF2B7 8.5pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.8v 20 वी 4 ए (8/20) एस) 80W नहीं 1
DF5A6.2LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Df5a6.2lfute85lf 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना Df5a6.2 6.5pf @ 1MHz यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V 5.9v - - - नहीं
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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