दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 18QHTF21-1.12896-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 1.12896 अय्योर | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-1.12896-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF57-168.000-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 168 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF57-168.000-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF32-75.405-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 75.405 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-75.405-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF22-41.665-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४१.६६५ तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-41.665-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF32-117.675-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 117.675 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-117.675-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 28MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | VMQF326T25-133.000-1.0/-40+85 | 35.7500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.067 "(1.70 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | १३३ सराय | सीएमओएस | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | २ (१ सींग) | तमाम | 2425-VMQF326T25-133.000-1.0/-40+85 | Ear99 | 8541.60.0060 | 3 | तंग | 25ma | तिहाई | ± 1ppm | ± 8ppm | - | 18ma | |
![]() | 3QHTF53-188.500-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 188.5 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-188.500-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF32-18.5625-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 18.5625 तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-18.5625-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF57-58.320-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 58.32 तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF57-58.320-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | QMQF326P25-2.5B-62.000 | 33.7500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.067 "(1.70 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | ६२ सराय | LVPECL | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-QMQF326P25-2.5B-62.000 | Ear99 | 8541.60.0060 | 3 | - | 30ma | तिहाई | ± 2.5ppm | - | - | - | |
![]() | 3QHTF21-9.909116-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.909116 | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-9.909116-PD | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF57-58.250-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 58.25 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF57-58.250-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF21-27.78726-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27.78726 सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-27.78726-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF21-116.480-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 116.48 अफ़रपित | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-116.480-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 28MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF32-164.355-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 164.355 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-164.355-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF22-24.395-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २४.३ ९ ५ तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-24.395-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF22-49.4667-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 49.4667 अराध्य | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF22-49.4667-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | QMQF326D25-2.0A-161.000 | 34.7500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.067 "(1.70 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | 161 सराय | LVDS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-QMQF326D25-2.0A-161.000 | Ear99 | 8541.60.0050 | 3 | - | 23ma | तिहाई | ± 2ppm | - | - | - | |
![]() | 3QHTF32-169.475-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 169.475 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-169.475-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF53-30.200-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३०.२ तंग | LVCMOS | 3.3 | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-30.200-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF53-29.568-PD | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 29.568 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-29.568-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-83.330-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 83.33 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-83.330-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-5.376-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 5.376 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-5.376-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-19.660-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १ ९। | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-19.660-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF21-50.2367-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.२३६7 | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-50.2367-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-66.700-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.7 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-66.700-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF21-7.3828-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.3828 अराध्य | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-7.3828-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF57-31.608-PD | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 31.608 अय्यहम | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF57-31.608-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | QVMQF576D33333-2.5B-32.768 | 35.7500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.102 "(2.60 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | 32.768 अराध्य | LVDS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-QVMQF576D33333-2.5B-32.768 | Ear99 | 8541.60.0050 | 3 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 2.5ppm | ± 8ppm | - | 18ma | |
![]() | 25QHTF32-187.510-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 187.51 अफ़रपित | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-187.510-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - |
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