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अरे (15893)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
DSC1001CE5-002.0000 Microchip Technology DSC1001CE5-002.0000 -
सराय
 ECAD 9043 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 २ सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 तमाम (तंगर शेर) 6.3MA एमईएमएस ± 10ppm - - -
DSC1001BI1-080.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-080.0000 -
सराय
 ECAD 5736 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 80 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 72 तमाम (तंगर शेर) 11.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC1033BC1-026.1000 Microchip Technology DSC1033BC1-026.1000 -
सराय
 ECAD 5549 0.00000000 तमाम DSC1033, PURESILICON ™ नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २६.१ तंग सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 72 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001JI1A-013.5600 Microchip Technology DSC6001JI1A-013.5600 -
सराय
 ECAD 4099 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 13.56 तंग सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6011JE2A-008.0000 Microchip Technology DSC6011JE2A-008.0000 -
सराय
 ECAD 6910 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 8 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1123BE1-100.0000 Microchip Technology DSC1123BE1-100.0000 -
सराय
 ECAD 3957 0.00000000 तमाम DSC1123 नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1123 100 सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 72 अकmuth सक 22ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001HE1A-018.7500 Microchip Technology DSC6001HE1A-018.7500 -
सराय
 ECAD 3286 0.00000000 तमाम DSC60XX कसना शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 18.75 तंग सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001HI1A-032.7680 Microchip Technology DSC6001HI1A-032.7680 -
सराय
 ECAD 9425 0.00000000 तमाम DSC60XX कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 32.768 अराध्य सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6331HI1BA-027.0000 Microchip Technology DSC6331HI1BA-027.0000 -
सराय
 ECAD 9348 0.00000000 तमाम DSC63XX कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 27 सराय LVCMOS 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 100 - 3ma एमईएमएस ± 50ppm - ± 0.50%, पचुर -
DSC6001MI1A-025.0000 Microchip Technology DSC6001MI1A-025.0000 -
सराय
 ECAD 7228 0.00000000 तमाम DSC60XX कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001MI1A-037.1250 Microchip Technology DSC6001MI1A-037.1250 -
सराय
 ECAD 6313 0.00000000 तमाम DSC60XX कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 37.125 तंग सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001MI1A-070.0000 Microchip Technology DSC6001MI1A-070.0000 -
सराय
 ECAD 7483 0.00000000 तमाम DSC60XX कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 70 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6011MI2A-048.0000T Microchip Technology DSC6011MI2A-048.0000T -
सराय
 ECAD 6618 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४ yathaurautautun सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6101MI2A-013.5600T Microchip Technology DSC6101MI2A-013.5600T -
सराय
 ECAD 9289 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 13.56 तंग सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6331MI1BA-024.0000T Microchip Technology DSC6331MI1BA-024.0000T -
सराय
 ECAD 3151 0.00000000 तमाम DSC63XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २४ सराय LVCMOS 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 - 3ma एमईएमएस ± 50ppm - ± 0.50%, पचुर -
DSC6001JE1A-050.0000T Microchip Technology DSC6001JE1A-050.0000T -
सराय
 ECAD 9250 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001JE2A-016.0000T Microchip Technology DSC6001JE2A-016.0000T -
सराय
 ECAD 1804 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 16 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6001JI1A-020.0000T Microchip Technology DSC6001JI1A-020.0000T -
सराय
 ECAD 3929 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001JI1A-050.0000T Microchip Technology DSC6001JI1A-050.0000T -
सराय
 ECAD 9711 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6001JI2A-019.2000T Microchip Technology DSC6001JI2A-019.2000T -
सराय
 ECAD 6644 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १ ९। सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6003JI1A-020.0000T Microchip Technology DSC6003JI1A-020.0000T -
सराय
 ECAD 9099 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6011JE1A-024.0000T Microchip Technology DSC6011JE1A-024.0000T -
सराय
 ECAD 1868 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २४ सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6101JE1A-001.0000T Microchip Technology DSC6101JE1A-001.0000T -
सराय
 ECAD 8935 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 1 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC6101JI2A-019.2000T Microchip Technology DSC6101JI2A-019.2000T -
सराय
 ECAD 8133 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १ ९। सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6111JI2A-100.0000T Microchip Technology DSC611111JI2A-100.0000T -
सराय
 ECAD 6977 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 100 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
MX554EBC20M0000-TR Microchip Technology MX554EBC20M0000-TH -
सराय
 ECAD 3365 0.00000000 तमाम MX55 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.055 "(1.40 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO MX554EBC20M0000 २० सभा LVCMOS 2.375V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 95ma तिहाई ± 50ppm - - -
MX555ABA15M0000-TR Microchip Technology MX555ABA15M0000-TH -
सराय
 ECAD 1760 0.00000000 तमाम MX55 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.055 "(1.40 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO MX555ABA15M0000 15 सराय LVPECL 2.375V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 120ma तिहाई ± 50ppm - - -
MX555ABB850M000-TR Microchip Technology MX5555ABB850M00000000-TR -
सराय
 ECAD 7550 0.00000000 तमाम MX55 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.055 "(1.40 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO MX555ABB850M000 850 तंग LVDS 2.375V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 90ma तिहाई ± 50ppm - - -
MX555ANM100M000-TR Microchip Technology MX555ANM100M000-TR -
सराय
 ECAD 2110 0.00000000 तमाम MX55 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.055 "(1.40 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO MX555ANM100M000 100 सराय LVDS 2.375V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 90ma तिहाई ± 50ppm - - -
DSC1123DL5-135.0000T Microchip Technology DSC1123DL5-135.0000T -
सराय
 ECAD 4087 0.00000000 तमाम DSC1123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1123 १३५ सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 22ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
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