SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
VC-801-EAB-KAAN-24M0000000 Microchip Technology VC-801-EAB-KAAN-24M0000000 -
सराय
ECAD 3909 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000
DSC6011JI2A-026.0000T Microchip Technology DSC6011JI2A-026.0000T -
सराय
ECAD 2300 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO २६ सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1103CL5-106.2500 Microchip Technology DSC1103CL5-106.2500 -
सराय
ECAD 4038 0.00000000 तमाम DSC1103 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1103 106.25 तंग LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 तमाम (तंगर शेर) 32ma एमईएमएस ± 10ppm - - 95 ओना
DSC1001BI2-002.4576T Microchip Technology DSC1001BI2-002.4576T -
सराय
ECAD 2213 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 २.४५ of6 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 6.3MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1001DE1-040.0000 Microchip Technology DSC1001DE1-040.0000 -
सराय
ECAD 8385 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 40 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 7.2ma एमईएमएस ± 50ppm - - 15
DSC1123CI2-085.0000 Microchip Technology DSC1123CI2-085.0000 -
सराय
ECAD 8157 0.00000000 तमाम DSC1123 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1123 85 सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 22ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1033DI1-064.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-064.0000 -
सराय
ECAD 6730 0.00000000 तमाम DSC1033, PURESILICON ™ नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६४ तंग सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 4ma एमईएमएस ± 50ppm - - 1
DSC1103DL5-027.0000T Microchip Technology DSC1103DL5-027.0000T -
सराय
ECAD 2824 0.00000000 तमाम DSC1103 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1103 27 सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1103DL5-027.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 32ma एमईएमएस ± 10ppm - - 95 ओना
DSC1201DL3-50M00000 Microchip Technology DSC1201DL3-50M00000 -
सराय
ECAD 1815 0.00000000 तमाम Dsc12x1 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO ५० सभा सीएमओएस 2.5V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1201DL3-50M00000 Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 27ma एमईएमएस ± 20ppm - - 5
DSC6011HI2A-020.0000 Microchip Technology DSC6011HI2A-020.0000 -
सराय
ECAD 2229 0.00000000 तमाम DSC60XX कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO २० सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 100 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6011HI2B-432K000 Microchip Technology DSC6011HI2B-432K000 -
सराय
ECAD 4962 0.00000000 तमाम Dsc60xxb कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6011 432 kHz सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 100 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस - ± 25ppm - -
DSC6301JI2AA-048.0000T Microchip Technology DSC6301JI2AA-048.0000T -
सराय
ECAD 2987 0.00000000 तमाम DSC63XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO ४ yathaurautautun LVCMOS 1.8V ~ 3.3V तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस - - - 80 (अस्तम)
VX-805-EAE-GEAN-156M250000 Microchip Technology VX-805-EEE जीन -156M250000 -
सराय
ECAD 1216 0.00000000 तमाम VX-805 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना VX-805 156.25 तंग सीएमओएस 3.3 तंग तमाम 150-em-805-जीन-जीन -156M250000 Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 25ma तिहाई ± 20ppm ± 30ppm - -
DSC1121CI1-025.0000T Microchip Technology DSC1121CI1-025.0000T -
सराय
ECAD 2878 0.00000000 तमाम DSC1121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1121 २५ सभा सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 50ppm - - 22ma
DSC1001BI3-050.0000T Microchip Technology DSC1001BI3-050.0000T -
सराय
ECAD 8819 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSC1001 ५० सभा सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 10.5ma एमईएमएस ± 20ppm - - 15
DSC1121AL5-100.0000 Microchip Technology DSC1121AL5-100.0000 -
सराय
ECAD 7918 0.00000000 तमाम DSC1121 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO DSC1121 100 सराय सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 10ppm - - 22ma
DSC1121CI2-133.3330T Microchip Technology DSC1121CI2-133.3330T -
सराय
ECAD 6505 0.00000000 तमाम DSC1121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1121 133.333 अय्यर सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 25ppm - - 22ma
HT-MM900AF-6E-JE-29M5000000 Microchip Technology HT-MM900AF-6E-JE-29M5000000 -
सराय
ECAD 1037 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000
DSC1004CI5-016.0000 Microchip Technology DSC1004CI5-016.0000 -
सराय
ECAD 1051 0.00000000 तमाम DSC1004 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1004 16 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 तमाम (तंगर शेर) 6.5ma एमईएमएस ± 10ppm - - 15
DSC1122BI2-148.5000 Microchip Technology DSC1122BI2-148.5000 -
सराय
ECAD 2796 0.00000000 तमाम DSC1122 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1122 148.5 तंग LVPECL 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 72 अकmuth सक 58ma एमईएमएस ± 25ppm - - 22ma
DSC1103DL2-122.8800T Microchip Technology DSC1103DL2-122.8800T -
सराय
ECAD 2454 0.00000000 तमाम DSC1103 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1103 122.88 अय्यहम LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 32ma एमईएमएस - ± 25ppm - 95 ओना
DSC6331JI1DB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JI1DB-025.0000 -
सराय
ECAD 7727 0.00000000 तमाम Dsc63xxb नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO DSC6331 २५ सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6331JI1DB-025.0000 Ear99 8542.39.0001 140 - 3ma एमईएमएस ± 50ppm - And 1.50%, पचुर -
VC-714-0003-200M000000TR Microchip Technology VC-714-0003-200M000000TR -
सराय
ECAD 2087 0.00000000 तमाम वीसी -714 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO २०० सराय - 2.5V ~ 3.3V - तमाम 150-VC-714-0003-200M000000TR Ear99 8542.39.0001 1,000 - 70ma तिहाई - - - -
DSA1001DL2-024.5760VAO Microchip Technology DSA1001DL2-024.5760VAO -
सराय
ECAD 5649 0.00000000 तमाम DSA1001 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 24.576 तंग सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DL2-024.5760VAO Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1033BC2-012.0000T Microchip Technology DSC1033BC2-012.0000T -
सराय
ECAD 8372 0.00000000 तमाम DSC1033, PURESILICON ™ R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 12 सराय सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - 1
DSC1522MI2A-19M20000 Microchip Technology DSC1522MI2A-19M20000 -
सराय
ECAD 9386 0.00000000 तमाम DSC152X कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO १ ९। LVCMOS 2.5V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1522MI2A-19M20000 Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 7.5ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1001DE5-045.1584T Microchip Technology DSC1001DE5-045.1584T -
सराय
ECAD 6073 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSC1001 45.1584 सोरकम सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1001DE5-045.1584TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 10.5ma एमईएमएस ± 10ppm - - 15
DSC6101CE2A-050.0000 Microchip Technology DSC6101CE2A-050.0000 -
सराय
ECAD 5475 0.00000000 तमाम DSC61XX कसना शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO ५० सभा सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - 80 (अस्तम)
DSC1001CI2-100.8000T Microchip Technology DSC1001CI2-100.8000T -
सराय
ECAD 9119 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 100.8 सरायम सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 11.9ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1033DI2-024.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-024.0000 -
सराय
ECAD 2880 0.00000000 तमाम DSC1033, PURESILICON ™ नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २४ सराय सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम