SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
VT-860-JFE-5070-26M0000000 Microchip Technology VT-860-JFE-5070-26M0000000 -
सराय
ECAD 1471 0.00000000 तमाम वीटी -860 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना २६ सभा सीन वेव 1.8V - तमाम Ear99 8542.39.0001 100 - 2.3MA तिहाई ± 500ppb - - -
VT-822-0004-39M0000000 Microchip Technology VT-822-0004-39M0000000 -
सराय
ECAD 5234 0.00000000 तमाम VT-822 कांपना शिर - - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.059 "(1.50 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना ३ ९ सीएमओएस 2.5V ~ 3.3V तंग तमाम Ear99 8541.60.0080 300 अकmuth सक 7MA तिहाई - - - -
VCC1-1575-125M000000 Microchip Technology VCC1-1575-125M000000 -
सराय
ECAD 1514 0.00000000 तमाम VCC1 कांपना शिर - - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.075 "(1.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १२५ सराय सीएमओएस 1.8v ~ 5v तंग तमाम Ear99 8541.60.0080 100 अकmuth सक 60ma तिहाई - - - 30
VCC1-A3D-5M00000000 Microchip Technology VCC1-A3D-5M00000000 -
सराय
ECAD 7587 0.00000000 तमाम VCC1 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.075 "(1.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५ सभा सीएमओएस 5V तंग तमाम Ear99 8541.60.0080 100 अकmuth सक 10ma तिहाई ± 50ppm - - 30
VC-820-JAE-FAAN-100M000000 Microchip Technology VC-820-JAE-FAAN-100M000000 -
सराय
ECAD 5402 0.00000000 तमाम वीसी -820 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 100 सराय सीएमओएस 1.8V - तमाम 150-VC-820-JAE-FAAN-100M000000 Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 20ma तिहाई ± 25ppm - - 10μA
VC-840-JAE-KAAN-156M250000 Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-156M250000 -
सराय
ECAD 3709 0.00000000 तमाम वीसी -840 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 156.25 तंग LVCMOS 1.8V तंग तमाम Ear99 8541.60.0080 3,000 अकmuth सक 20ma तिहाई ± 50ppm - - 10μA
VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR Microchip Technology VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR -
सराय
ECAD 9143 0.00000000 तमाम वीसी -820 R टेप ray ryील (ther) शिर -10 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा सीएमओएस 1.8V - तमाम 150-VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 2.5MA तिहाई ± 50ppm - - 10μA
VC-840-EAE-FAAN-2M04800000TR Microchip Technology VC-840-EEE-FAAN-2M04800000TR -
सराय
ECAD 5437 0.00000000 तमाम वीसी -840 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २.०४8 LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-VC-840-EEE-FAAN-2M04800000TR Ear99 8541.60.0080 3,000 अकmuth सक 7MA तिहाई ± 25ppm - - 10μA
VC-840-EAE-FAAN-100M000000TR Microchip Technology VC-840-EEE-FAAN-100M000000TR -
सराय
ECAD 6570 0.00000000 तमाम वीसी -840 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 100 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-VC-840-EEE-FAAN-100M000000TR Ear99 8541.60.0080 3,000 अकmuth सक 25ma तिहाई ± 25ppm - - 10μA
VCC1-A1C-16M0000000TR Microchip Technology VCC1-A1C-16M0000000TR -
सराय
ECAD 2315 0.00000000 तमाम VCC1 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.075 "(1.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 16 सराय सीएमओएस 5V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-VCC1-A1C-16M0000000TR Ear99 8541.60.0080 1,000 अकmuth सक 10ma तिहाई ± 100ppm - - 30
VC-889-EAE-KAAN-32K7680000TR Microchip Technology VC-889-EEE-KAAN-32K7680000TR -
सराय
ECAD 7882 0.00000000 तमाम वीसी -889 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.023 "(0.58 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 32.768 kHz सीएमओएस 3.3 - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-VC-889-EEE-KAAN-32K7680000TR Ear99 8541.60.0080 3,000 अकmuth सक 32 ओना तिहाई ± 50ppm - - 5
VC-830-ECF-GAAN-156M250000TR Microchip Technology VC-830-ECF-GAAN-156M250000TR -
सराय
ECAD 7023 0.00000000 तमाम वीसी -830 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 156.25 तंग LVPECL 3.3 - तमाम 150-VC-830-ECF-GAAN-156M250000TR Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 66ma तिहाई ± 30ppm - - -
VC-708-EDE-FNXN-157M980800TR Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-157M980800TR -
सराय
ECAD 1242 0.00000000 तमाम वीसी -708 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 157.9808 अय्योर LVDS 3.3 - तमाम 150-VC-708-EDE-FNXN-157M980800TR Ear99 8542.39.0001 3,000 - 48ma तिहाई ± 25ppm - - -
VCC1-B3C-133M000000TR Microchip Technology VCC1-B3C-133M000000TR -
सराय
ECAD 4060 0.00000000 तमाम VCC1 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.075 "(1.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १३३ सराय सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-VCC1-B3C-133M000000TR Ear99 8541.60.0080 1,000 अकmuth सक 50mA तिहाई ± 100ppm - - 30
VCC6-RCF-120M000000TR Microchip Technology VCC6-RCF-120M000000TR -
सराय
ECAD 3263 0.00000000 तमाम VCC6 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.063 "(1.60 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO १२० सराय LVPECL 2.5V - तमाम 150-VCC6-RCF-120M000000TR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 98ma तिहाई ± 25ppm - - -
DSA1223CL3-100M0000VAO Microchip Technology DSA1223CL3-100M0000VAO -
सराय
ECAD 5217 0.00000000 तमाम Dsa12x3 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO 100 सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1223CL3-100M0000VAO Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 20ppm - - 23ma
DSC1121AM1-024.0000T Microchip Technology DSC1121AM1-024.0000T -
सराय
ECAD 4152 0.00000000 तमाम DSC1121 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO २४ सराय सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1121AM1-024.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 22ma एमईएमएस ± 50ppm - - 35ma
DSA6112JL2B-025.0000TVAO Microchip Technology DSA6112JL2B-025.0000TVAO -
सराय
ECAD 3348 0.00000000 तमाम Dsa61xx R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO २५ सभा सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA6112JL2B-025.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) - एमईएमएस ± 25ppm - - १.५) (स्यांत्र)
DSC1003BI2-050.0000T Microchip Technology DSC1003BI2-050.0000T -
सराय
ECAD 5053 0.00000000 तमाम DSC1003 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO ५० सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1003BI2-050.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1004BI2-025.0000 Microchip Technology DSC1004BI2-025.0000 -
सराय
ECAD 2163 0.00000000 तमाम DSC1004 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO २५ सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1004BI2-025.0000 Ear99 8542.39.0001 72 तमाम (तंगर शेर) 6.5ma एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1001AI1-125.0000 Microchip Technology DSC1001AI1-125.0000 -
सराय
ECAD 2780 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur ४-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को XO १२५ सराय सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1001AI1-125.0000 Ear99 8542.39.0001 50 तमाम (तंगर शेर) 10.5ma एमईएमएस ± 50ppm - - 15
DSC1222CI3-164M4257 Microchip Technology DSC1222CI3-164M4257 -
सराय
ECAD 4773 0.00000000 तमाम DSC1222 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO 164.4257 LVPECL 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1222CI3-164M4257 Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 50ma एमईएमएस ± 20ppm - - 23ma
DSA6101JA3B-012.0000TVAO Microchip Technology DSA6101JA3B-012.0000TVAO -
सराय
ECAD 3182 0.00000000 तमाम Dsa61xx R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 12 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA6101JA3B-012.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक - एमईएमएस ± 20ppm - - -
DSA1204CI3-100M0000VAO Microchip Technology DSA1204CI3-100M0000VAO -
सराय
ECAD 7846 0.00000000 तमाम Dsa12x4 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO 100 सराय एचसीएसएल 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1204CI3-100M0000VAO Ear99 8542.39.0001 110 तमाम (तंगर शेर) 40ma एमईएमएस ± 20ppm - - 5
DSC1001DI1-028.6364 Microchip Technology DSC1001DI1-028.6364 -
सराय
ECAD 8732 0.00000000 तमाम DSC1004 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO 28.6364 तंग सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1001DI1-028.6364 Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 50ppm - - 15
DSC1001CL2-066.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-066.0000T -
सराय
ECAD 9310 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO ६६ सराय सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1001CL2-066.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1003BI2-050.0000 Microchip Technology DSC1003BI2-050.0000 -
सराय
ECAD 2349 0.00000000 तमाम DSC1003 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO ५० सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1003BI2-050.0000 Ear99 8542.39.0001 72 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSA1204CI3-100M0000TVAO Microchip Technology DSA1204CI3-100M0000TVAO -
सराय
ECAD 2277 0.00000000 तमाम Dsa12x4 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO 100 सराय एचसीएसएल 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1204CI3-100M0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 40ma एमईएमएस ± 20ppm - - 5
DSC1004BI2-025.0000T Microchip Technology DSC1004BI2-025.0000T -
सराय
ECAD 8678 0.00000000 तमाम DSC1004 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO २५ सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1004BI2-025.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 6.5ma एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1001BI1-002.0480T Microchip Technology DSC1001BI1-002.0480T -
सराय
ECAD 5098 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO २.०४8 सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1001BI1-002.0480TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 6.5ma एमईएमएस ± 50ppm - - 15
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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