SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
DSA1224CL1-156M2500VAO Microchip Technology DSA1224CL1-156M2500VAO -
सराय
ECAD 1371 0.00000000 तमाम Dsa12x4 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO 156.25 तंग एचसीएसएल 2.5V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1224CL1-156M2500VAO Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 40ma एमईएमएस ± 50ppm - - 23ma
DSA1001BL3-025.0000VAO Microchip Technology DSA1001BL3-025.0000VAO -
सराय
ECAD 9109 0.00000000 तमाम DSA1001 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO २५ सभा सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग तमाम 150-DSA1001BL3-025.0000VAO Ear99 8542.39.0001 72 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 20ppm - - 15
DSA1123CA3-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1123CA3-100.0000TVAO -
सराय
ECAD 4764 0.00000000 तमाम DSA1123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO 100 सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1123CA3-100.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 20ppm - - 22ma
DSA1123CA3-250.0000VAO Microchip Technology DSA1123CA3-250.0000VAO -
सराय
ECAD 8398 0.00000000 तमाम DSA1123 नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO २५० तंग LVDS 3.3 तंग तमाम 150-DSA1123CA3-250.0000VAO Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 20ppm - - 22ma
DSA1121DL2-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1121DL2-020.0000TVAO -
सराय
ECAD 8939 0.00000000 तमाम DSA1121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO २० सभा सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V तंग तमाम 150-DSA1121DL2-020.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 25ppm - - 22ma
DSA1001DI1-012.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI1-012.0000TVAO -
सराय
ECAD 9215 0.00000000 तमाम DSA1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO 12 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग तमाम 150-DSA1001DI1-012.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 50ppm - - 15
DSA1121CA3-020.0000VAO Microchip Technology DSA1121CA3-020.0000VAO -
सराय
ECAD 5911 0.00000000 तमाम DSA1121 नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO २० सभा सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V तंग तमाम 150-DSA1121CA3-020.0000VAO Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 20ppm - - 22ma
DSA1121CI2-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CI2-020.0000TVAO -
सराय
ECAD 3075 0.00000000 तमाम DSA1121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO २० सभा सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1121CI2-020.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 25ppm - - 22ma
VX-805-0033-153M600000TR Microchip Technology VX-805-0033-153M600000TR -
सराय
ECAD 5797 0.00000000 तमाम VX-805 R टेप ray ryील (ther) शिर - - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना १५३.६ तंग - 3.3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-VX-805-0033-153M600000TR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक - तिहाई - - - -
OX-221-9115-10M000 Microchip Technology OX-221-9115-10M000 -
सराय
ECAD 6277 0.00000000 तमाम Ox-221 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 1.000 "एल X 0.866" किलमग्यूट (25.40 मिमी x 22.00 मिमी) 0.486 "(12.35 मिमी) सतह rurcur 7-कोई, कोई लीड नहीं OCXO 10 सराय LVCMOS 3.3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 100 - 700ma तिहाई ± 3PPB - - -
OX-4011-EAE-0580-25M000 Microchip Technology Ox-4011-EAE-0580-25M000 -
सराय
ECAD 2552 0.00000000 तमाम ऑकmun-401 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.800 "of x 0.500" डब32 (20.32 मिमी x 12.70 मिमी) 0.433 "(11.00 मिमी) सतह rurcur 14-कोई, कोई लीड नहीं, 4 लीड OCXO २५ सभा एचसीएमओएस 3.3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - - तिहाई ± 5ppb - - -
OX-5021-EAE-1080-25M000 Microchip Technology OX-5021-EEE-1080-25M000 -
सराय
ECAD 8247 0.00000000 तमाम ऑकmuth -502 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.563 "एल x 0.370" डबthutum (14.30 मिमी x 9.40 मिमी) 0.256 "(6.50 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं OCXO २५ सभा एचसीएमओएस 3.3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 400 - - तिहाई ± 10ppb - - -
DSC1001CL2-080.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-080.0000T -
सराय
ECAD 2169 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO 80 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V - तमाम 150-DSC1001CL2-080.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 16.6ma एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC6011JI2B-040.0000T Microchip Technology DSC6011JI2B-040.0000T -
सराय
ECAD 2914 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 40 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6011JI2B-040.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - १.५) (स्यांत्र)
VT-807-0001-26M0429680TR Microchip Technology VT-807-0001-26M0429680TR -
सराय
ECAD 9590 0.00000000 तमाम वीटी -807 R टेप ray ryील (ther) शिर - - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.059 "(1.50 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 26.042968 - 2.5V ~ 3.3V - तमाम 150-VT-807-0001-26M0429680TR Ear99 8541.60.0080 1,000 - - तिहाई - - - -
DSC6101JL2B-032K768T Microchip Technology DSC6101JL2B-032K768T -
सराय
ECAD 7870 0.00000000 तमाम DSC61XXB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 32.768 kHz सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग तमाम 150-DSC6101JL2B-032K768TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
VC-830-EDE-FAAN-156M250000 Microchip Technology VC-830-EDE-FAAN-156M250000 -
सराय
ECAD 8789 0.00000000 तमाम वीसी -830 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 156.25 तंग LVDS 3.3 - तमाम 150-VC-830-EDE-FAAN-156M250000TR Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 29ma तिहाई ± 25ppm - - -
VC-820-EAE-FAAN-8M70400000 Microchip Technology VC-820-EEE-FAAN-8M70400000 -
सराय
ECAD 9490 0.00000000 तमाम वीसी -820 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 8.704 दार्य सीएमओएस 3.3 - तमाम 150-VC-820-EEE-FAAN-8M70400000 Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 25ppm - - 5
DSA6101JA2B-500K000TVAO Microchip Technology DSA6101JA2B-500K000TVAO -
सराय
ECAD 7956 0.00000000 तमाम DSA61XXB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 500 kHz सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V - तमाम 150-DSA6101JA2B-500K000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6011JI2B-032.0000T Microchip Technology DSC6011JI2B-032.0000T -
सराय
ECAD 2093 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO ३२ सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग तमाम 150-DSC6011JI2B-032.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - १.५) (स्यांत्र)
DSC6011MI2B-033.0000T Microchip Technology DSC6011MI2B-033.0000T -
सराय
ECAD 2677 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO ३३ सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग तमाम 150-DSC6011MI2B-033.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - १.५) (स्यांत्र)
DSC6011HI2B-008.0000T Microchip Technology DSC6011HI2B-008.0000T -
सराय
ECAD 1765 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO 8 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग तमाम 150-DSC6011HI2B-008.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - १.५) (स्यांत्र)
VCC1-1575-125M000000TR Microchip Technology VCC1-1575-125M000000TR -
सराय
ECAD 1327 0.00000000 तमाम VCC1 R टेप ray ryील (ther) शिर - - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.075 "(1.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १२५ सराय सीएमओएस 1.8v ~ 5v तंग तमाम 150-VCC1-1575-125M000000TR Ear99 8541.60.0080 1,000 अकmuth सक 60ma तिहाई - - - 30
VT-860-JFE-5070-26M0000000TR Microchip Technology VT-860-JFE-5070-26M0000000TR -
सराय
ECAD 2454 0.00000000 तमाम वीटी -860 R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना २६ सभा सीन वेव 1.8V - तमाम 150-VT-860-JFE-5070-26M0000000TR Ear99 8542.39.0001 3,000 - 2.3MA तिहाई ± 500ppb - - -
VCC1-1548-20M0000000 Microchip Technology VCC1-1548-20M0000000 -
सराय
ECAD 4585 0.00000000 तमाम VCC1 कांपना शिर - - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा सीएमओएस 1.8v ~ 5v तंग तमाम 150-VCC1-1548-20M0000000 Ear99 8541.60.0080 100 अकmuth सक 30ma तिहाई - - - 30
DSC1505AI3A-66M66670T Microchip Technology DSC1505AI3A-66M66670T -
सराय
ECAD 9875 0.00000000 तमाम DSC150X R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur ४-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को XO 66.6667 अय्योर LVCMOS 1.8V तंग तमाम 150-DSC1505AI3A-66M66670TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 7.5ma एमईएमएस ± 20ppm - - 1 ए (स्यां)
DSC6301JE1EB-001.0000T Microchip Technology DSC6301JE1EB-001.0000T -
सराय
ECAD 2315 0.00000000 तमाम Dsc63xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 1 सराय LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - तमाम 150-DSC6301JE1EB-001.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 50ppm - And 2.00%, पचरा -
DSA6101HL2B-020.0000TVAO Microchip Technology DSA6101HL2B-020.0000TVAO -
सराय
ECAD 9261 0.00000000 तमाम DSA61XXB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO २० सभा सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V - तमाम 150-DSA6101HL2B-020.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1103CE2-167.7722T Microchip Technology DSC1103CE2-167.7722T -
सराय
ECAD 7682 0.00000000 तमाम DSC1103 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO 167.7722 सरायम LVDS 3.3 - तमाम 150-DSC1103CE2-167.7722TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 32ma एमईएमएस ± 25ppm - - 95 ओना
VT-822-0007-39M0000000TR Microchip Technology VT-822-0007-39M0000000TR -
सराय
ECAD 8043 0.00000000 तमाम VT-822 R टेप ray ryील (ther) शिर - - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.043 ”(1.10 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना ३ ९ सीएमओएस 2.5V ~ 3.3V तंग तमाम 150-VT-822-0007-39M0000000TR Ear99 8541.60.0080 3,000 अकmuth सक 7MA तिहाई - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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