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सींग (312)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी कांपना तमाम वोलmume - अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
501HCA27M0000DAGR Silicon Labs 501HCA27M0000DAGR -
सराय
 ECAD 7044 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501ABA8M00000BAF Silicon Labs 501ABA8M00000BAF -
सराय
 ECAD 3048 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 8 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2868 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 30ppm - - 2.5MA
501AAA24M0000DAF Silicon Labs 501AAA24M0000DAF -
सराय
 ECAD 1000 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2914 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA24M0000DAG Silicon Labs 501JAA24M0000DAG -
सराय
 ECAD 2476 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2921 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501JCA10M0000BAG Silicon Labs 501JCA10M0000BAG -
सराय
 ECAD 7470 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2881 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501BCAM032768BAG Silicon Labs 501BCAM032768BAG -
सराय
 ECAD 6128 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2851 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501AAA25M0000BAG Silicon Labs 501AAA25M0000BAG -
सराय
 ECAD 7134 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2929 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501EAA48M0000DAG Silicon Labs 501EAA48M0000DAG -
सराय
 ECAD 2960 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ४ yathaurautautun LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2975 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA40M0000CAGR Silicon Labs 501JAA40M0000CAGR -
सराय
 ECAD 4248 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 40 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501BAA50M0000CAF Silicon Labs 501BAA50M0000CAF -
सराय
 ECAD 8669 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ५० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2984 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501EAA48M0000CAF Silicon Labs 501EAA48M0000CAF -
सराय
 ECAD 3824 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ४ yathaurautautun LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2972 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501HCAM032768CAGR Silicon Labs 501HCAM032768CAGR -
सराय
 ECAD 1590 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCAM032768DAFR Silicon Labs 501JCAM032768DAFR -
सराय
 ECAD 5361 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501BAA50M0000DAGR Silicon Labs 501BAA50M0000DAGR -
सराय
 ECAD 6195 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ५० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JCA24M0000DAFR Silicon Labs 501JCA24M0000DAFR -
सराय
 ECAD 3452 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCAM032768CAFR Silicon Labs 501JCAM032768CAFR -
सराय
 ECAD 4101 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JAA24M0000CAFR Silicon Labs 501JAA24M0000CAFR -
सराय
 ECAD 4047 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501BCA16M0000DAFR Silicon Labs 501BCA16M0000DAFR -
सराय
 ECAD 1866 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501AAA24M0000DAG Silicon Labs 501AAA24M0000DAG -
सराय
 ECAD 4716 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2915 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA40M0000CAFR Silicon Labs 501JAA40M0000CAFR -
सराय
 ECAD 8916 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 40 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501JCA25M0000BAFR Silicon Labs 501JCA25M0000BAFR -
सराय
 ECAD 8895 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA100M000DAFR Silicon Labs 501JCA100M000DAFR -
सराय
 ECAD 9823 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 100 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 8.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA25M0000DAGR Silicon Labs 501JCA25M0000DAGR -
सराय
 ECAD 6715 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501EAA48M0000BAGR Silicon Labs 501EAA48M0000BAGR -
सराय
 ECAD 6557 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ४ yathaurautautun LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JCA25M0000DAG Silicon Labs 501JCA25M0000DAG -
सराय
 ECAD 1596 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2945 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501AAA27M0000DAG Silicon Labs 501AAA27M0000DAG 0.8900
सराय
 ECAD 292 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2957 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA25M0000CAG Silicon Labs 501JAA25M0000CAG -
सराय
 ECAD 1995 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2937 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501JCAM032768BAF Silicon Labs 501JCAM032768BAF -
सराय
 ECAD 8053 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2856 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA20M0000CAF Silicon Labs 501JCA20M0000CAF -
सराय
 ECAD 9817 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2906 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501ACA100M000BAFR Silicon Labs 501ACA100M000BAFR -
सराय
 ECAD 1354 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 100 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 6.5ma एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
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