दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
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![]() | 501ACA10M0000DAG | - | ![]() | 3661 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2879 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501HCA12M0000BAGR | - | ![]() | 8219 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 12 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501BCA16M0000CAG | - | ![]() | 1672 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 16 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2895 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501AAA27M0000DAF | 0.8400 | ![]() | 201 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 27 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2956 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501JCA10M0000CAF | - | ![]() | 5431 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2882 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501BCA16M0000BAGR | - | ![]() | 2428 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 16 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501JCAM032768CAGR | - | ![]() | 7358 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501HCAM032768BAF | - | ![]() | 2507 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2862 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501JCAM032768BAFR | - | ![]() | 3204 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501JCA100M000DAF | - | ![]() | 9542 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 100 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2998 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 8.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501JCA10M0000DAGR | - | ![]() | 8680 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501ABA8M00000DAF | - | ![]() | 8388 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 8 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2872 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | 2.5MA |
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