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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी कांपना तमाम वोलmume - तंग अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
501BCAM032768CAG Silicon Labs 501BCAM032768CAG -
सराय
 ECAD 3510 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2853 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501BAA16M0000BAG Silicon Labs 501BAA16M0000BAG -
सराय
 ECAD 8664 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2899 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
SI50122-A6-GM Silicon Labs SI50122-A6-GM -
सराय
 ECAD 3165 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI50122-A6 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 10-वीएफडीएफएन CMEMS® 100 सराय HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग २ (१ सींग) 336-3074 Ear99 8542.39.0001 100 - 23ma एमईएमएस +100ppm - - -
SI50122-A1-GMR Silicon Labs SI50122-A1-GMR -
सराय
 ECAD 8743 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI50122-A1 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 10-वीएफडीएफएन CMEMS® 100 सराय HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 - 23ma एमईएमएस +100ppm - - -
SI50122-A5-GMR Silicon Labs SI50122-A5-GMR -
सराय
 ECAD 1404 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI50122-A5 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 10-वीएफडीएफएन CMEMS® 100 सराय HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 - 23ma एमईएमएस +100ppm - - -
SI50122-A2-GM Silicon Labs SI50122-A2-GM -
सराय
 ECAD 8910 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI50122-A2 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 10-वीएफडीएफएन CMEMS® 100 सराय HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग २ (१ सींग) 336-3070 Ear99 8542.39.0001 100 - 23ma एमईएमएस +100ppm - - -
SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4-GM -
सराय
 ECAD 2504 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI50122-A4 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 10-वीएफडीएफएन CMEMS® 100 सराय HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V - २ (१ सींग) 336-3072 Ear99 8542.39.0001 100 - 23ma एमईएमएस +100ppm - - -
501JAA25M0000CAGR Silicon Labs 501JAA25M0000CAGR -
सराय
 ECAD 4207 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501JCA100M000BAG Silicon Labs 501JCA100M000BAG -
सराय
 ECAD 8714 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 100 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2995 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 8.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501ACA100M000DAF Silicon Labs 501ACA100M000DAF -
सराय
 ECAD 3599 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 100 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2992 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 6.5ma एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501ACA10M0000DAF Silicon Labs 501ACA10M0000DAF -
सराय
 ECAD 7515 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2878 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501HCA27M0000CAGR Silicon Labs 501HCA27M0000CAGR -
सराय
 ECAD 4042 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501ABA8M00000CAFR Silicon Labs 501ABA8M00000CAFR -
सराय
 ECAD 1206 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 8 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 30ppm - - 2.5MA
501BCAM032768BAGR Silicon Labs 501BCAM032768BAGR -
सराय
 ECAD 8651 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501BCAM032768CAGR Silicon Labs 501BCAM032768CAGR -
सराय
 ECAD 2720 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501HCAM032768DAFR Silicon Labs 501HCAM032768DAFR -
सराय
 ECAD 5116 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501ABA8M00000BAFR Silicon Labs 501ABA8M00000BAFR -
सराय
 ECAD 2078 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 8 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 30ppm - - 2.5MA
501ABA8M00000DAGR Silicon Labs 501ABA8M00000DAGR -
सराय
 ECAD 8653 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 8 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 30ppm - - 2.5MA
501JCA10M0000DAFR Silicon Labs 501JCA10M0000DAFR -
सराय
 ECAD 9427 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501BAA16M0000CAGR Silicon Labs 501BAAAA16M0000CAGR -
सराय
 ECAD 8470 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JCA20M0000DAFR Silicon Labs 501JCA20M0000DAFR -
सराय
 ECAD 9840 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २० सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501AAA24M0000CAFR Silicon Labs 501AAA24M0000CAFR -
सराय
 ECAD 8468 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA24M0000BAGR Silicon Labs 501JAA24M0000BAGR -
सराय
 ECAD 6378 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501JAA24M0000DAGR Silicon Labs 501JAA24M0000DAGR -
सराय
 ECAD 9072 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501AAA25M0000CAGR Silicon Labs 501AAA25M0000CAGR -
सराय
 ECAD 7083 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA25M0000DAFR Silicon Labs 501AAA25M0000DAFR -
सराय
 ECAD 9048 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA25M0000DAGR Silicon Labs 501AAA25M0000DAGR -
सराय
 ECAD 9595 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA25M0000BAFR Silicon Labs 501JAA25M0000BAFR -
सराय
 ECAD 9672 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
501JAA25M0000DAFR Silicon Labs 501JAA25M0000DAFR -
सराय
 ECAD 8763 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501HCA26M0000BAFR Silicon Labs 501HCA26M0000BAFR -
सराय
 ECAD 4129 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २६ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
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