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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी कांपना तमाम वोलmume - तंग अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
501JCA10M0000BAF Silicon Labs 501JCA10M0000BAF -
सराय
 ECAD 5799 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2880 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA10M0000CAG Silicon Labs 501JCA10M0000CAG -
सराय
 ECAD 1705 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2883 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA10M0000DAF Silicon Labs 501JCA10M0000DAF -
सराय
 ECAD 2047 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2884 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501BAA16M0000DAG Silicon Labs 501BAA16M0000DAG -
सराय
 ECAD 8772 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2903 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JCA20M0000CAG Silicon Labs 501JCA20M0000CAG -
सराय
 ECAD 7618 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २० सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2907 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JAA24M0000CAF Silicon Labs 501JAA24M0000CAF -
सराय
 ECAD 1806 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2918 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501JCA24M0000CAF Silicon Labs 501JCA24M0000CAF -
सराय
 ECAD 8665 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2924 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501AAA25M0000CAG Silicon Labs 501AAA25M0000CAG -
सराय
 ECAD 7592 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2931 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA25M0000BAF Silicon Labs 501JAA25M0000BAF 0.8700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2934 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
501JAA25M0000DAF Silicon Labs 501JAA25M0000DAF -
सराय
 ECAD 3987 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2938 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501JCA25M0000CAF Silicon Labs 501JCA25M0000CAF -
सराय
 ECAD 9928 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2942 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA25M0000CAG Silicon Labs 501JCA25M0000CAG -
सराय
 ECAD 4267 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2943 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501HCA26M0000CAF Silicon Labs 501HCA26M0000CAF -
सराय
 ECAD 4654 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २६ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2948 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501HCA26M0000CAG Silicon Labs 501HCA26M0000CAG -
सराय
 ECAD 3495 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २६ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2949 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501HCA26M0000DAF Silicon Labs 501HCA26M0000DAF -
सराय
 ECAD 3403 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २६ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2950 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501AAA27M0000BAG Silicon Labs 501AAA27M0000BAG 0.9100
सराय
 ECAD 10 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2953 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA27M0000CAF Silicon Labs 501AAA27M0000CAF 0.8700
सराय
 ECAD 44 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2954 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA27M0000CAG Silicon Labs 501AAA27M0000CAG -
सराय
 ECAD 2924 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2955 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501HCA27M0000CAG Silicon Labs 501HCA27M0000CAG -
सराय
 ECAD 9509 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2961 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JAA40M0000CAG Silicon Labs 501JAA40M0000CAG -
सराय
 ECAD 2706 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 40 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2967 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 50ppm - - 4.9ma
501EAA48M0000CAG Silicon Labs 501EAA48M0000CAG -
सराय
 ECAD 8958 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ४ yathaurautautun LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2973 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA50M0000BAF Silicon Labs 501AAA50M0000BAF -
सराय
 ECAD 7460 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ५० सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2976 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA50M0000BAG Silicon Labs 501AAA50M0000BAG -
सराय
 ECAD 2040 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ५० सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2977 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA50M0000CAF Silicon Labs 501AAA50M0000CAF -
सराय
 ECAD 7170 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ५० सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2978 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501BAA50M0000DAF Silicon Labs 501BAA50M0000DAF -
सराय
 ECAD 8952 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ५० सभा LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2986 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501ACA100M000CAF Silicon Labs 501ACA100M000CAF -
सराय
 ECAD 1625 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 100 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V - २ (१ सींग) 336-2990 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 6.5ma एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501JCA100M000BAF Silicon Labs 501JCA100M000BAF -
सराय
 ECAD 6868 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 100 सराय LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2994 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 8.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCAM032768DAG Silicon Labs 501JCAM032768DAG -
सराय
 ECAD 6044 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 - २ (१ सींग) 336-2861 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
SI50122-A1-GMR Silicon Labs SI50122-A1-GMR -
सराय
 ECAD 8743 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI50122-A1 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 10-वीएफडीएफएन CMEMS® 100 सराय HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 - 23ma एमईएमएस +100ppm - - -
SI50122-A5-GMR Silicon Labs SI50122-A5-GMR -
सराय
 ECAD 1404 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI50122-A5 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 10-वीएफडीएफएन CMEMS® 100 सराय HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 - 23ma एमईएमएस +100ppm - - -
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    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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