दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 501ACA100M000BAG | - | ![]() | 4516 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 100 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2989 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501JCA24M0000DAG | - | ![]() | 4138 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2927 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501AAA25M0000CAFR | - | ![]() | 7819 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २५ सभा | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501JCAM032768BAG | - | ![]() | 2142 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2857 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501BAA50M0000BAG | - | ![]() | 8127 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ५० सभा | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2983 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | SI50122-A3-GMR | - | ![]() | 2827 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI50122-A3 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 10-वीएफडीएफएन | CMEMS® | 100 सराय | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | 23ma | एमईएमएस | +100ppm | - | - | - | ||
![]() | 501JCA10M0000DAG | - | ![]() | 5833 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2885 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501HCA27M0000DAF | 0.8900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 27 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2962 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501AAA50M0000BAGR | - | ![]() | 4422 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ५० सभा | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501AAA27M0000BAGR | - | ![]() | 9151 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 27 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501JCA20M0000DAFR | - | ![]() | 9840 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २० सभा | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501AAA24M0000BAG | 0.9100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2911 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501AAA24M0000CAFR | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501HCA26M0000DAG | - | ![]() | 6427 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २६ सभा | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2951 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501JCA24M0000BAF | - | ![]() | 5895 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2922 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501EAA48M0000BAFR | - | ![]() | 8202 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501BAA50M0000CAGR | - | ![]() | 8275 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ५० सभा | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501ACA10M0000DAFR | - | ![]() | 3952 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501HCA27M0000CAFR | - | ![]() | 8254 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 27 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501BAA16M0000CAF | - | ![]() | 6462 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 16 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2900 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501EAA48M0000DAGR | - | ![]() | 5728 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501AAA24M0000CAF | - | ![]() | 3802 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | 336-2912 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501JAA40M0000CAF | 0.8700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 40 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2966 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | SI50122-A3-GM | - | ![]() | 1114 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI50122-A3 | थोक | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 10-वीएफडीएफएन | CMEMS® | 100 सराय | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | २ (१ सींग) | 336-3071 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 23ma | एमईएमएस | +100ppm | - | - | - | |
![]() | 501BCAM032768DAFR | - | ![]() | 4631 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501HCAM032768CAFR | - | ![]() | 2287 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501ABA8M00000BAGR | - | ![]() | 6226 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 8 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501ACA10M0000BAFR | - | ![]() | 5828 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501ACA10M0000CAGR | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501JCA10M0000BAFR | - | ![]() | 4772 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 10 सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma |
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