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अरे (312)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी कांपना तमाम वोलmume - अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
501JCA25M0000BAF Silicon Labs 501JCA25M0000BAF -
सराय
 ECAD 5261 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2940 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501BAA50M0000CAG Silicon Labs 501BAA50M0000CAG -
सराय
 ECAD 6354 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® ५० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2985 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501BCAM032768DAFR Silicon Labs 501BCAM032768DAFR -
सराय
 ECAD 4631 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501HCAM032768BAFR Silicon Labs 501HCAM032768BAFR -
सराय
 ECAD 1851 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501HCAM032768CAFR Silicon Labs 501HCAM032768CAFR -
सराय
 ECAD 2287 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501ABA8M00000BAGR Silicon Labs 501ABA8M00000BAGR -
सराय
 ECAD 6226 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 8 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 30ppm - - 2.5MA
501ACA10M0000BAFR Silicon Labs 501ACA10M0000BAFR -
सराय
 ECAD 5828 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501ACA10M0000CAGR Silicon Labs 501ACA10M0000CAGR -
सराय
 ECAD 5890 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501JCA10M0000BAFR Silicon Labs 501JCA10M0000BAFR -
सराय
 ECAD 4772 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA10M0000BAGR Silicon Labs 501JCA10M0000BAGR -
सराय
 ECAD 2148 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 10 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501HCA12M0000DAGR Silicon Labs 501HCA12M0000DAGR -
सराय
 ECAD 6183 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 12 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501BCA16M0000DAGR Silicon Labs 501BCA16M0000DAGR -
सराय
 ECAD 3000 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501BAA16M0000BAGR Silicon Labs 501BAA16M0000BAGR -
सराय
 ECAD 4467 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501BAA16M0000DAFR Silicon Labs 501BAA16M0000DAFR -
सराय
 ECAD 7874 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501BAA16M0000DAGR Silicon Labs 501BAA16M0000DAGR -
सराय
 ECAD 1001 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JCA20M0000BAFR Silicon Labs 501JCA20M0000BAFR -
सराय
 ECAD 1773 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA20M0000BAGR Silicon Labs 501JCA20M0000BAGR -
सराय
 ECAD 3813 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA20M0000CAGR Silicon Labs 501JCA20M0000CAGR -
सराय
 ECAD 7196 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA20M0000DAGR Silicon Labs 501JCA20M0000DAGR -
सराय
 ECAD 1958 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २० सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501AAA24M0000DAFR Silicon Labs 501AAA24M0000DAFR -
सराय
 ECAD 2981 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २४ सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA25M0000BAFR Silicon Labs 501AAA25M0000BAFR -
सराय
 ECAD 6439 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 1,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501JCA25M0000CAFR Silicon Labs 501JCA25M0000CAFR -
सराय
 ECAD 5067 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA25M0000DAFR Silicon Labs 501JCA25M0000DAFR -
सराय
 ECAD 6619 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® २५ सभा LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501AAA27M0000CAFR Silicon Labs 501AAA27M0000CAFR -
सराय
 ECAD 7031 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA27M0000CAGR Silicon Labs 501AAA27M0000CAGR -
सराय
 ECAD 5636 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 27 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) Ear99 8542.39.0001 2,500 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501ABA8M00000CAG Silicon Labs 501ABA8M00000CAG -
सराय
 ECAD 6713 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 8 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2871 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 30ppm - - 2.5MA
501HCA12M0000CAG Silicon Labs 501HCA12M0000CAG -
सराय
 ECAD 2811 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 12 सराय LVCMOS 1.7V ~ 3.6V २ (१ सींग) 336-2889 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 4.9ma एमईएमएस ± 20ppm - - 4.9ma
501BCA16M0000DAG Silicon Labs 501BCA16M0000DAG -
सराय
 ECAD 1723 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2897 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 2.5MA
501BAA16M0000BAF Silicon Labs 501BAA16M0000BAF -
सराय
 ECAD 1008 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2898 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
501BAA16M0000CAG Silicon Labs 501BAA16M0000CAG -
सराय
 ECAD 3837 0.00000000 सिलिकॉन लैब SI501 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं CMEMS® 16 सराय LVCMOS 3.3 २ (१ सींग) 336-2901 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 2.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 2.5MA
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