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अरे (193576)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT1532AI-J4-AA2-32.768G SiTime SIT1532AI-J4-AA2-32.768G -
सराय
 ECAD 7490 0.00000000 तमाम Sit1532 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.061 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.54 मिमी x 0.84 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-UFBGA, CSPBGA XO Sit1532 32.768 kHz शराबी 1.5V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 250 - 1.4 ओना एमईएमएस +100ppm - - -
SIT1533AI-H4-AA2-32.768G SiTime SIT1533AI-H4-AA2-32.768G 1.5300
सराय
 ECAD 250 0.00000000 तमाम Sit1533 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1533 32.768 kHz शराबी 1.5V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 1.4 ओना एमईएमएस +100ppm - - -
SIT1533AI-H4-D26-32.768G SiTime SIT1533AI-H4-D26-32.768G 1.2217
सराय
 ECAD 5273 0.00000000 तमाम Sit1533 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1533 32.768 kHz शराबी 1.5V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 1.4 ओना एमईएमएस +100ppm - - -
SIT1533AI-H4-DCC-32.768G SiTime SIT1533AI-H4-DCC-32.768G 1.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम Sit1533 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1533 32.768 kHz LVCMOS 1.5V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 1.4 ओना एमईएमएस +100ppm - - -
SIT8208AC-G1-18E-50.000000X SiTime SIT8208AC-G1-18E-50.000000X 2.2505
सराय
 ECAD 504 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ५० सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 30ma
SIT8208AI-3F-33E-25.000000X SiTime SIT8208AI-3F-33E-2.000000X -
सराय
 ECAD 5744 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-G3-18E-75.000000X SiTime SIT8208AI-G3-18E-75.000000X 1.6938
सराय
 ECAD 32 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 75 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
SIT8208AI-G3-25E-25.000000X SiTime SIT8208AI-G3-25E-25000000X 1.7107
सराय
 ECAD 8201 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २५ सभा LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 31ma
SIT8208AI-G3-33E-75.000000X SiTime SIT8208AI-G3-33E-75.000000X 1.6938
सराय
 ECAD 5786 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 75 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 31ma
SIT9121AI-1D3-33E133.330000X SiTime SIT9121AI-1D3-33E133.330000X 4.1046
सराय
 ECAD 8703 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO १३३.३३ सरायम LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 69ma एमईएमएस ± 50ppm - - 35ma
SIT9003AC-13-18DD-5.0000Y SiTime SIT9003AC-13-18DD-5.0000Y 1.1948
सराय
 ECAD 2943 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 ५ सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 3.5MA एमईएमएस ± 50ppm - ± 0.50%, पचुर 0.8μA
SIT8004AI-12-33E-133.00000 SiTime SIT8004AI-12-33E-133.00000 -
सराय
 ECAD 1101 0.00000000 तमाम SIT8004 थोक Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १३३ सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 4.3 एंडा
SIT5000AI-GC-28N0-40.000000 SiTime SIT5000AI-GC-28N0-40.000000 -
सराय
 ECAD 3233 0.00000000 तमाम Sit5000 थोक Sic में बंद r क rur kay 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q8432170 Ear99 8542.39.0001 1 एमईएमएस - -
SIT9102AI-243N25E200.00000 SiTime SIT9102AI-243N25E200.00000 -
सराय
 ECAD 6719 0.00000000 तमाम Sit9102 थोक Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO २०० सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 76ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT9107AI-24HH25E250.00000 SiTime SIT9107AI-24HH25E250.00000 -
सराय
 ECAD 1695 0.00000000 तमाम Sit9107 थोक Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO २५० तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q8798546B Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 76ma एमईएमएस ± 15ppm - - 10μA
SIT8208AI-GF-18E-20.000000 SiTime SIT8208AI-GF-18E-20.000000 4.1989
सराय
 ECAD 8647 0.00000000 तमाम SIT8208 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT8102AC-33-33E-25.00000 SiTime SIT8102AC-33-33E-2.00000 -
सराय
 ECAD 1988 0.00000000 तमाम SIT8102 थोक Sic में बंद r क rur kay -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 26ma एमईएमएस ± 15ppm - - 50
SIT1533AC-H5-D14-32.768D SiTime SIT1533AC-H5-D14-32.768D 1.1900
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम Sit1533 R टेप ray ryील (ther) शिर -10 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1533 32.768 kHz शराबी 1.2V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 1.3μA एमईएमएस +75ppm - - -
SIT1533AC-H5-D13-32.768G SiTime SIT1533AC-H5-D13-32.768G 1.4500
सराय
 ECAD 6169 0.00000000 तमाम Sit1533 R टेप ray ryील (ther) शिर -10 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1533 32.768 kHz शराबी 1.2V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 1.3μA एमईएमएस +75ppm - - -
SIT5001AI-GC-33E0-24.000000 SiTime SIT5001AI-GC-33E0-24.000000 -
सराय
 ECAD 2958 0.00000000 तमाम Sit5001 थोक Sic में बंद r क rur kay 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q8504977A Ear99 8542.39.0001 1 एमईएमएस - -
SIT8103AC-23-18E-80.00000X SiTime SIT8103AC-23-18E-80.00000X 3.0679
सराय
 ECAD 1799 0.00000000 तमाम Sit8103 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit8103 80 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6.7ma एमईएमएस ± 50ppm - - 0.8μA
SIT9003AC-23-18SQ-40.00000X SiTime SIT9003AC-23-18SQ-40.00000X 2.2540
सराय
 ECAD 8569 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 40 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 3.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 0.8μA
SIT9003AC-23-18SQ-40.00000Y SiTime SIT9003AC-23-18SQ-40.00000Y 1.8676
सराय
 ECAD 9338 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 40 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 3.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 0.8μA
SIT9102AI-233N25E100.0000 SiTime SIT9102AI-233N25E100.0000 -
सराय
 ECAD 1831 0.00000000 तमाम Sit9102 थोक Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 100 सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q9187261 Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 76ma एमईएमएस ± 50ppm - - 10μA
SIT5000AICGE-33N0-25.000000Y SiTime SIT5000AICGE-33N0-25.000000Y 3.2200
सराय
 ECAD 756 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT9102AI-243H25E200.00000 SiTime SIT9102AI-243H25E200.00000 -
सराय
 ECAD 2566 0.00000000 तमाम Sit9102 थोक Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO २०० सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q8871415A Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 76ma एमईएमएस ± 15ppm - - 10μA
SIT9003AC-23-33DQ-48.00000X SiTime SIT9003AC-23-33DQ-48.00000X 2.2540
सराय
 ECAD 1714 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 ४ yathaurautautun LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - -1.00%, अफ़स 4.3 एंडा
SIT5000AICGD-33S0-25.000000X SiTime SIT5000AICGD-33S0-25.000000X 1.4400
सराय
 ECAD 2479 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q9134587 Ear99 8542.39.0001 250 एमईएमएस - -
SIT8002AI-13-18E-25.00000 SiTime SIT8002AI-13-18E-2.00000 -
सराय
 ECAD 1586 0.00000000 तमाम SIT8002 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा सीएमओएस 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q9259381 Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 19ma एमईएमएस ± 50ppm - - 50
SIT1534AC-H5-DCC-00.256G SiTime SIT1534AC-H5-DCC-00.256G 1.0819
सराय
 ECAD 2163 0.00000000 तमाम Sit1534 R टेप ray ryील (ther) शिर -10 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1534 256 LVCMOS 1.2V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 1.3μA एमईएमएस ± 75ppm - - -
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AD9208BBPZ-3000

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