SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) उपलबmun आवृत आवृत आवृत
DSC8001DL5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001DL5-PROGRAMMABLE 10.3500
सराय
ECAD 7228 0.00000000 तमाम DSC8001 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 576-4670-‘ Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 12.2ma एमईएमएस - - 15 µa 1 सराय ± 10ppm
DSC6112JI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6112JI1A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 1294 0.00000000 तमाम DSC61XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC6112HI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6112HI1A-000.0000T 1.2300
सराय
ECAD 985 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC8001CI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001CI5-PROGRAMMABLE 12.3200
सराय
ECAD 3452 0.00000000 तमाम DSC8001 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 576-4663-‘ Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 12.2ma एमईएमएस - - 15 µa 1 सराय ± 10ppm
DSC6001JE1A-000.0000T Microchip Technology DSC6001JE1A-000.0000T -
सराय
ECAD 9778 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC1200NL3-PROG Microchip Technology DSC1200NL3-PROG 2.0880
सराय
ECAD 4632 0.00000000 तमाम DSC1200 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1200 - 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1200NL3-PROG Ear99 8542.39.0001 50 तमाम (तंगर शेर) रत्य (शरण दार्य - एमईएमएस - - २.५ सरायमह ± 20ppm
DSC1201NA3-PROGT Microchip Technology DSC1201NA3-PROGT 1.5840
सराय
ECAD 9128 0.00000000 तमाम Dsc12x1 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1201 सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1201NA3-PROGTTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) रत्य (शरण दार्य 27ma एमईएमएस - - २.५ सराय ± 20ppm
DSC1201BA3-PROGT Microchip Technology DSC1201BA3-PROGT 1.5600
सराय
ECAD 6453 0.00000000 तमाम Dsc12x1 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1201 सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1201BA3-PROGTTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) रत्य (शरण दार्य 27ma एमईएमएस - - २.५ सराय ± 20ppm
DSC6003JA3B-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003JA3B-PROGROGRAMMABLE 9.3900
सराय
ECAD 3358 0.00000000 तमाम Dsc60xxb थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 150-DSC6003JA3B PROGROGRAMMABLE Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक - 1.3ma एमईएमएस ± 20ppm - 2 kHz ~ 80 सारा ± 20ppm
DSC8123AL2T Microchip Technology DSC8123AL2T -
सराय
ECAD 2248 0.00000000 तमाम DSC8123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को को XO DSC8123 LVDS 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC8123AL2TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 32ma एमईएमएस ± 25ppm - 10 सरायमह -
DSC1100AL5-PROG Microchip Technology DSC1100AL5-PROG 2.9520
सराय
ECAD 4847 0.00000000 तमाम DSC1100 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को को - DSC1100 - - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1100AL5-PROG Ear99 8542.39.0001 50 - रत्य (शरण दार्य - एमईएमएस - - -
DSC1101NL5-PROG Microchip Technology DSC1101NL5-PROG 1.8120
सराय
ECAD 5820 0.00000000 तमाम DSC1101 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1101NL5-PROG Ear99 8542.39.0001 50 तमाम (तंगर शेर) रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस ± 10ppm - ३.३ सरायमह -
DSC6003MA3B-PROGT Microchip Technology DSC6003MA3B-PROGT 1.6600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6003 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 2 kHz ~ 80 सारा ± 20ppm
DSC6001JA3B-PROGT Microchip Technology DSC6001JA3B-PROGT 1.5300
सराय
ECAD 915 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO DSC6001 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 2 kHz ~ 80 सारा ± 20ppm
DSC1000AL3-PROGT Microchip Technology DSC1000AL3-PROGT 1.4500
सराय
ECAD 985 0.00000000 तमाम DSC100 R टेप ray ryील (ther) शिर - - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur ४-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को - DSC1000 - - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - रत्य (शरण दार्य - - - - -
DSC1000BL3-PROGT Microchip Technology DSC1000BL3-PROGT 1.4300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम DSC100 R टेप ray ryील (ther) शिर - - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन - DSC1000 - - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - रत्य (शरण दार्य - - - - -
DSC1100NL5-PROGT Microchip Technology DSC1100NL5-PROGT 4.2000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम DSC1100 R टेप ray ryील (ther) शिर - - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन - DSC1100 - - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - रत्य (शरण दार्य - - - - -
DSC6003JE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6003JE2A-000.0000 0.8700
सराय
ECAD 683 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 25ppm
DSC6003CE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6003CE2A-000.0000 -
सराय
ECAD 4304 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 25ppm
DSC6010JI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6010JI2A-000.0000T -
सराय
ECAD 1993 0.00000000 तमाम DSC6100 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 3MA एमईएमएस - - 10.5 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC8001CL5 Microchip Technology DSC8001CL5 2.8200
सराय
ECAD 189 0.00000000 तमाम DSC8001 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC8001 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4665 Ear99 8542.39.0001 110 सराय रत्य (शरण दार्य 12.2ma एमईएमएस - - 15 µa 1 सराय ± 10ppm
DSC8002DI1T Microchip Technology DSC8002DI1T -
सराय
ECAD 3714 0.00000000 तमाम DSC8002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC8002 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 10ma एमईएमएस ± 50ppm - 1 µa 1 सराय -
DSC6101CI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6101CI1A-000.0000T -
सराय
ECAD 5303 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 50ppm
DSC8001BL5T Microchip Technology DSC8001BL5T -
सराय
ECAD 4147 0.00000000 तमाम DSC8001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC8001 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 12.2ma एमईएमएस ± 10ppm - 15 µa 1 सराय -
DSC1101DL3-PROG Microchip Technology DSC1101DL3-PROG 1.1040
सराय
ECAD 1510 0.00000000 तमाम DSC1101 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1101DL3-PROG Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस ± 20ppm - ३.३ सरायमह -
DSC1101DM2-PROG Microchip Technology DSC1101DM2-PROG 2.2800
सराय
ECAD 80 0.00000000 तमाम DSC1101 नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1101DM2-PROG Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस ± 25ppm - ३.३ सरायमह -
DSC6011JI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6011JI2A-000.0000 -
सराय
ECAD 7248 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 सराय रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC610NA3A-PROG Microchip Technology DSC610NA3A-PROG -
सराय
ECAD 3711 0.00000000 तमाम DSC61XX कसना शिर DSC610 - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 100 एमईएमएस
DSC6011JE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6011JE1A-PROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 4265 0.00000000 तमाम DSC60XX थोक शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC6001CA3B-PROG Microchip Technology DSC6001CA3B-PROG 0.9960
सराय
ECAD 4328 0.00000000 तमाम Dsc60xxb नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSC6001 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6001CA3B-PROG Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस ± 20ppm - 2 kHz ~ 80 सारा -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम