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अफ़रपदरी (700)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) उपलबmun आवृत आवृत आवृत
DSC6001HI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6001HI2A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
 ECAD 9723 0.00000000 तमाम DSC60XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC8101CL5 Microchip Technology DSC8101CL5 4.6900
सराय
 ECAD 4734 0.00000000 तमाम DSC8101 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4691 Ear99 8542.39.0001 110 सराय रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस - - 10 सरायम ± 10ppm
DSC8103BI2T Microchip Technology DSC8103BI2T -
सराय
 ECAD 2266 0.00000000 तमाम DSC8103 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC8103 LVDS 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 32ma एमईएमएस ± 25ppm - 95 µa 10 सरायमह -
DSC1000BL3-PROG Microchip Technology DSC1000BL3-PROG 1.0080
सराय
 ECAD 2759 0.00000000 तमाम DSC100 नली शिर - - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन - DSC1000 - - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1000BL3-PROG Ear99 8542.39.0001 72 - रत्य (शरण दार्य - एमईएमएस - - -
DSC6011JI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6011JI1A-000.0000 -
सराय
 ECAD 3253 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 सराय रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC6111JE1A-000.0000T Microchip Technology DSC61111JE1A-000.0000T -
सराय
 ECAD 1834 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC6112HE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6112HE1A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
 ECAD 5483 0.00000000 तमाम DSC61XX थोक शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC8122CI2 Microchip Technology DSC8122CI2 11.5300
सराय
 ECAD 7538 0.00000000 तमाम DSC8122 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8122 LVPECL 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4726 Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 58ma एमईएमएस - - 10 सरायमह ± 25ppm
DSC6102CI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6102CI1A-000.0000T -
सराय
 ECAD 3472 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 50ppm
DSC6102CI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6102CI2A-000.0000T -
सराय
 ECAD 6713 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 25ppm
DSC6001MA3B-PROGT Microchip Technology DSC6001MA3B-PROGT 1.6600
सराय
 ECAD 545 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6001 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 2 kHz ~ 80 सारा ± 20ppm
DSC8123CI2T Microchip Technology DSC8123CI2T -
सराय
 ECAD 9085 0.00000000 तमाम DSC8123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8123 LVDS 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 32ma एमईएमएस ± 25ppm - २२ सदा 10 सरायमह -
DSC8121BI5 Microchip Technology DSC8121BI5 6.1900
सराय
 ECAD 60 0.00000000 तमाम DSC8121 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC8121 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4715 Ear99 8542.39.0001 72 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस - - 10 सरायम ± 10ppm
DSC6112ME2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112ME2A-000.0000T 0.9300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC6003JA3B-PROG Microchip Technology DSC6003JA3B-PROG 1.4000
सराय
 ECAD 700 0.00000000 तमाम Dsc60xxb नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO DSC6003 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - ± 20ppm
DSC506-03FM2 Microchip Technology DSC506-03FM2 -
सराय
 ECAD 2009 0.00000000 तमाम सराय-कम ™ नली शिर - - - - - - XO DSC506 - - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 5A991B1 8542.39.0001 110 - रत्य (शरण दार्य - एमईएमएस - - -
DSC8001BL2 Microchip Technology DSC8001BL2 2.5700
सराय
 ECAD 720 0.00000000 तमाम DSC8001 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग XO DSC8001 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 72 सराय रत्य (शरण दार्य 12.2ma एमईएमएस ± 25ppm - 15 µa 1 सराय -
DSC6112HI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6112HI1A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
 ECAD 3302 0.00000000 तमाम DSC61XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC1000CL5-PROG Microchip Technology DSC1000CL5-PROG 1.7160
सराय
 ECAD 9253 0.00000000 तमाम DSC100 नली शिर - - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन - DSC1000 - - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1000CL5-PROG Ear99 8542.39.0001 110 - रत्य (शरण दार्य - एमईएमएस - - -
DSC6013HI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6013HH2A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
 ECAD 6972 0.00000000 तमाम DSC60XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC6102CI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6102CI1A-000.0000 0.8500
सराय
 ECAD 670 0.00000000 तमाम DSC61XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 50ppm
DSC8002BI2 Microchip Technology DSC8002BI2 -
सराय
 ECAD 2741 0.00000000 तमाम DSC8002 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4673 Ear99 8542.39.0001 72 सराय रत्य (शरण दार्य 10ma एमईएमएस - - 1 µa 1 सराय ± 25ppm
DSC8123CI5T Microchip Technology DSC8123CI5T -
सराय
 ECAD 7738 0.00000000 तमाम DSC8123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8123 LVDS 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 32ma एमईएमएस ± 10ppm - २२ सदा 10 सरायमह -
DSC6011CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6011CE2A -000.0000T -
सराय
 ECAD 2407 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC8001CI1 Microchip Technology DSC8001CI1 2.2100
सराय
 ECAD 7292 0.00000000 तमाम DSC8001 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC8001 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4661 Ear99 8542.39.0001 110 सराय रत्य (शरण दार्य 12.2ma एमईएमएस - - 15 µa 1 सराय ± 50ppm
DSC8104CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8104CI2-PROGRAMMABLE 13.3300
सराय
 ECAD 4372 0.00000000 तमाम DSC8104 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO एचसीएसएल 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 576-4709-‘ Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 42ma एमईएमएस - - 95 µa 10 सरायमह ± 25ppm
DSC6011MI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6011MI1A-PROGRAMMABLE -
सराय
 ECAD 3643 0.00000000 तमाम DSC60XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC6101HA3B-PROG Microchip Technology DSC6101HA3B-PROG 1.3080
सराय
 ECAD 7210 0.00000000 तमाम DSC61XXB कसना शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6101 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 3.5 kHz ~ 100 सारा ± 20ppm
DSC6111CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6111CE2A -000.0000T -
सराय
 ECAD 2671 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC8101AI5 Microchip Technology DSC8101AI5 -
सराय
 ECAD 9143 0.00000000 तमाम DSC8101 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4682 Ear99 8542.39.0001 50 सराय रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस - - 10 सरायम ± 10ppm
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