SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) उपलबmun आवृत आवृत आवृत
DSC6013MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6013MI2A-000.0000T 1.5700
सराय
ECAD 900 0.00000000 तमाम DSC60XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC8004AL2 Microchip Technology DSC8004AL2 -
सराय
ECAD 3210 0.00000000 तमाम DSC8004 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC8004 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4678 Ear99 8542.39.0001 50 सराय रत्य (शरण दार्य 16.6ma एमईएमएस - - 15 µa 1 सराय ± 25ppm
DSC6003CI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003CI1A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 9379 0.00000000 तमाम DSC60XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 1.3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 50ppm
DSC8104AI2 Microchip Technology DSC8104AI2 2.1625
सराय
ECAD 7753 0.00000000 तमाम DSC8104 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग XO DSC8104 एचसीएसएल 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 50 सराय रत्य (शरण दार्य 95 ओना एमईएमएस ± 25ppm - 10 सरायमह -
DSC6102CE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6102CE2A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 1924 0.00000000 तमाम DSC61XX थोक शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 25ppm
DSC8101CI5T Microchip Technology DSC8101CI5T -
सराय
ECAD 5853 0.00000000 तमाम DSC8101 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस ± 10ppm - 95 µa 10 सरायम -
DSC1100BL3-PROG Microchip Technology DSC1100BL3-PROG 1.9440
सराय
ECAD 1106 0.00000000 तमाम DSC1100 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1100 - - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSC1100BL3-PROG Ear99 8542.39.0001 72 - रत्य (शरण दार्य - एमईएमएस ± 20ppm - -
DSC6102MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6102MI2A-000.0000T 0.9500
सराय
ECAD 700 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 25ppm
DSC6112JI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6112JI1A-000.0000T -
सराय
ECAD 5799 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC8103BI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8103BI5-PROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 9829 0.00000000 तमाम DSC8103 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO LVDS 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4703-‘ Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 32ma एमईएमएस - - 95 µa 10 सरायमह ± 10ppm
DSC6003HE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003HE1A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 2078 0.00000000 तमाम DSC60XX थोक शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 1.3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 50ppm
DSC8002DI2 Microchip Technology DSC8002DI2 -
सराय
ECAD 5795 0.00000000 तमाम DSC8002 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 576-4677 Ear99 8542.39.0001 140 सराय रत्य (शरण दार्य 10ma एमईएमएस - - 1 µa 1 सराय ± 25ppm
DSC1101AL5-PROGT Microchip Technology DSC1101AL5-PROGT 2.5600
सराय
ECAD 580 0.00000000 तमाम DSC1101 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को को XO DSC1101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस - - २.३ सरायस ± 10ppm
DSC6101CA3B-PROG Microchip Technology DSC6101CA3B-PROG -
सराय
ECAD 3389 0.00000000 तमाम DSC61XXB थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSC6101 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 150-DSC6101CA3B-PROG Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस ± 20ppm - 1.5 µa 3.5 kHz ~ 100 सारा -
DSC8102BI2T Microchip Technology DSC8102BI2T -
सराय
ECAD 6152 0.00000000 तमाम DSC8102 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC8102 LVPECL 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 58ma एमईएमएस ± 25ppm - 95 µa 10 सरायमह -
DSC6112CI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6112CI1A-000.0000 0.8500
सराय
ECAD 764 0.00000000 तमाम DSC61XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 सराय रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC6112JI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6112JI1A-000.0000 0.8400
सराय
ECAD 700 0.00000000 तमाम DSC61XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 सराय रत्य (शरण दार्य 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 50ppm
DSC6003CI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6003CI2A-000.0000T -
सराय
ECAD 8163 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 25ppm
DSC8103DI2T Microchip Technology DSC8103DI2T -
सराय
ECAD 6724 0.00000000 तमाम DSC8103 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8103 LVDS 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 32ma एमईएमएस ± 25ppm - 95 µa 10 सरायमह -
DSC6003JI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003JI1A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 2625 0.00000000 तमाम DSC60XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 1.3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 50ppm
DSC6003JA3B-PROG Microchip Technology DSC6003JA3B-PROG 1.4000
सराय
ECAD 700 0.00000000 तमाम Dsc60xxb नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO DSC6003 सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - ± 20ppm
DSC8101CL5 Microchip Technology DSC8101CL5 4.6900
सराय
ECAD 4734 0.00000000 तमाम DSC8101 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4691 Ear99 8542.39.0001 110 सराय रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस - - 10 सरायम ± 10ppm
DSC8001CL2T Microchip Technology DSC8001CL2T -
सराय
ECAD 7663 0.00000000 तमाम DSC8001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC8001 सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय रत्य (शरण दार्य 12.2ma एमईएमएस ± 25ppm - 15 µa 1 सराय -
DSC8121CI2 Microchip Technology DSC8121CI2 3.4100
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम DSC8121 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC8121 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4717 Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस - - 10 सरायम ± 25ppm
DSC8101BL2 Microchip Technology DSC8101BL2 4.2000
सराय
ECAD 9590 0.00000000 तमाम DSC8101 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC8101 सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 72 सराय रत्य (शरण दार्य 35ma एमईएमएस ± 25ppm - 95 µa 10 सरायम -
DSC6112MI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6112MI2A-PROGROGRAMMABLE -
सराय
ECAD 2653 0.00000000 तमाम DSC61XX थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 सराय Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC8123CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8123CI2-PROGRAMMABLE 27.1400
सराय
ECAD 3962 0.00000000 तमाम DSC8123 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO LVDS 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 576-4731-‘ Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक Sic दthabara पtrauthaurak kana rana 32ma एमईएमएस - - २२ सदा 10 सरायमह ± 25ppm
DSC6001CE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6001CE2A-000.0000 -
सराय
ECAD 7624 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC6001JE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6001JE2A-000.0000 -
सराय
ECAD 7735 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 12 µa 1 सरायस ± 25ppm
DSC6003JI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6003JI2A-000.0000 -
सराय
ECAD 9247 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक रत्य (शरण दार्य 1.3ma एमईएमएस - - 1 सरायस ± 25ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम