दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | तमाम | वोलmume - | अफ़र | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) | उपलबmun आवृत | आवृत आवृत |
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![]() | 502JCA-ADAG | - | ![]() | 7653 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502JCA | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
![]() | 501ABJ-ACAG | - | ![]() | 6454 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501ABJ | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 501EAF-ACAF | - | ![]() | 6065 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501EAF | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501MBD-ADAF | - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501MBD | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 504CBA-BCAF | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI504 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 504CBA | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 501DBG-ACAF | - | ![]() | 4243 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501DBG | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 503eba-abaf | - | ![]() | 6521 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503eba | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | SI501-PROG-DAXR | - | ![]() | 2109 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | SI501 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | S सकth सक | रत्य (शरण दार्य | - | एमईएमएस | - | - | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm, ± 30ppm, ± 50ppm | ||
![]() | 501lbj-abaf | - | ![]() | 6136 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501lbj | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 502CCD-ACAG | - | ![]() | 9465 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502CCD | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
![]() | 501BAM-ACAG | - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501bam | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 502CAA-ABAF | - | ![]() | 9418 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502CAA | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501DBA-ACAF | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501DBA | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 501MBJ-ABAF | - | ![]() | 6522 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501MBJ | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 502had-Adaf | - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502had | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501KBH-ACAF | - | ![]() | 6837 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501kbh | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 501pbl-ACAG | - | ![]() | 6305 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501pbl | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 501MAC-ADAG | - | ![]() | 3787 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501MAC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 504CAA-ADAG | - | ![]() | 3362 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI504 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 504CAA | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 80 सारा | ± 50ppm | |
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![]() | 501FCJ-ACAG | - | ![]() | 8197 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501FCJ | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
![]() | 501GBE-ADAG | - | ![]() | 3085 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501GBE | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 501ECB-ADAF | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501ECB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
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![]() | 501BAL-ADAG | - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501BAL | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
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![]() | 502GBA-ABAF | - | ![]() | 9296 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502GBA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
![]() | 502CCE-ABAG | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502CCE | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
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![]() | 501CCD-ADAF | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501CCD | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm |
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