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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
DSC6112HI2B-250K000 Microchip Technology DSC6112HI2B-250K000 -
सराय
ECAD 5829 0.00000000 तमाम DSC61XXB कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6112 250 kHz सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 100 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6101HE2A-012.0000 Microchip Technology DSC6101HE2A-012.0000 -
सराय
ECAD 3782 0.00000000 तमाम DSC61XX कसना शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6101 12 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6101HE2A-012.0000 Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1001CE2-003.5800 Microchip Technology DSC1001CE2-003.5800 0.9100
सराय
ECAD 3193 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 ३.५ yauraurauthut सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 6.3MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1121CM1-032.0000 Microchip Technology DSC1121CM1-032.0000 -
सराय
ECAD 3259 0.00000000 तमाम DSC1121 नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1121 ३२ सराय सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 50ppm - - 22ma
DSA1001CL3-033.3330TVAO Microchip Technology DSA1001CL3-033.3330TVAO -
सराय
ECAD 2531 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1001CL3-033.3330TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000
DSC6001JI2B-024.0000T Microchip Technology DSC6001JI2B-024.0000T 0.9120
सराय
ECAD 4960 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO DSC6001 २४ सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6001JI2B-024.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSA1001DL3-048.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL3-048.0000VAO -
सराय
ECAD 4032 0.00000000 तमाम DSA1001 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 ४ yathaurautautun सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DL3-048.0000VAO Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 10.5ma एमईएमएस ± 20ppm - - 15
DSC1123BI2-148.3516T Microchip Technology DSC1123BI2-148.3516T -
सराय
ECAD 4646 0.00000000 तमाम DSC1123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1123 148.3516 LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 25ppm - - 22ma
VPC1-B1E-50M0000000 Microchip Technology VPC1-B1E-50M0000000 -
सराय
ECAD 1201 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000
DSC1502AI3A-4M000000 Microchip Technology DSC1502AI3A-4M000000 -
सराय
ECAD 1603 0.00000000 तमाम DSC150X नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur ४-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को XO ४ सभ्य LVCMOS 2.5V ~ 3.3V तंग तमाम 150-DSC1502AI3A-4M000000 Ear99 8542.39.0001 50 तमाम (तंगर शेर) 7.5ma एमईएमएस ± 20ppm - - 1.8) (स्याह)
DSC1101CI5-045.0000 Microchip Technology DSC1101CI5-045.0000 -
सराय
ECAD 1146 0.00000000 तमाम DSC1101 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1101 ४५ तंग सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 110 तमाम (तंगर शेर) 35ma एमईएमएस ± 10ppm - - 95 ओना
DSC1121DI2-148.5000 Microchip Technology DSC1121DI2-148.5000 -
सराय
ECAD 7992 0.00000000 तमाम DSC1121 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1121 148.5 तंग सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 25ppm - - 22ma
DSC1103AE2-135.0000 Microchip Technology DSC1103AE2-135.0000 -
सराय
ECAD 8640 0.00000000 तमाम DSC1103 नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO DSC1103 १३५ सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 50 तमाम (तंगर शेर) 32ma एमईएमएस ± 25ppm - - 95 ओना
DSC1033AI2-133.0000 Microchip Technology DSC1033AI2-133.0000 -
सराय
ECAD 1737 0.00000000 तमाम DSC1033, PURESILICON ™ नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग XO १३३ सराय सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 50 तमाम (तंगर शेर) 10ma एमईएमएस ± 25ppm - - 1
DSC1122CI1-125.0000T Microchip Technology DSC1122CI1-125.0000T -
सराय
ECAD 3066 0.00000000 तमाम DSC1122 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1122 १२५ सराय LVPECL 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 58ma एमईएमएस ± 50ppm - - 22ma
VTC1-J3BE-20M4800000 Microchip Technology VTC1-J3BE-20M4800000 -
सराय
ECAD 6229 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000
DSC1123NI1-156.2500T Microchip Technology DSC1123NI1-156.2500T -
सराय
ECAD 7271 0.00000000 तमाम DSC1123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1123 156.25 तंग LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
VT-800-DFJ-1060-25M0000000 Microchip Technology VT-800-DFJ-1060-25M0000000 -
सराय
ECAD 7867 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000
DSA1121CA1-024.0000VAO Microchip Technology DSA1121CA1-024.0000VAO -
सराय
ECAD 3914 0.00000000 तमाम DSA1121 नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSA1121 २४ सराय सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1121CA1-024.0000VAO Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 50ppm - - 22ma
DSC6013JI2B-004.0960 Microchip Technology DSC6013JI2B-004.0960 -
सराय
ECAD 4370 0.00000000 तमाम Dsc60xxb नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO ४.० ९ ६ तंग सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6013JI2B-004.0960 Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - 1.5 ओ
DSC1101CL5-014.7456T Microchip Technology DSC1101CL5-014.7456T -
सराय
ECAD 1825 0.00000000 तमाम DSC1101 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO DSC1101 14.7456 सरायम सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 35ma एमईएमएस ± 10ppm - - 95 ओना
VS-702-ECE-KXAN-491M520000 Microchip Technology VS-702-ECE-KXAN-491M520000 -
सराय
ECAD 6039 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 200
VC-806-HDE-FAAN-108M000000 Microchip Technology VC-806-HDE-FAAN-108M000000 -
सराय
ECAD 8260 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250
DSC1001BC1-020.0000 Microchip Technology DSC1001BC1-020.0000 1.1700
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 २० सभा सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 72 तमाम (तंगर शेर) 6.3MA एमईएमएस ± 50ppm - - 15
VCC1-F2F-75M0000000 Microchip Technology VCC1-F2F-75M0000000 -
सराय
ECAD 9849 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000
DSA1001DI2-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-125.0000TVAO -
सराय
ECAD 3345 0.00000000 तमाम DSA1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 १२५ सराय सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DI2-125.0000TVAO Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1001DI2-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-048.0000 0.9100
सराय
ECAD 1119 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 ४ yathaurautautun सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 7.2ma एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC1003DL5-148.5000 Microchip Technology DSC1003DL5-148.5000 -
सराय
ECAD 2451 0.00000000 तमाम DSC1003 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1003 148.5 तंग सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 9.6MA एमईएमएस ± 10ppm - - 15
DSC1033DI1-025.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-025.0000 -
सराय
ECAD 4299 0.00000000 तमाम DSC1033, PURESILICON ™ नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 50ppm - - 1
DSC1001BI2-022.8000T Microchip Technology DSC1001BI2-022.8000T -
सराय
ECAD 8327 0.00000000 तमाम DSC1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO DSC1001 22.8 तंग सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 6.3MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम