SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) आवृतmume - आउटपुट 1 आवृतmut - आउटपुट 2 आवृतmume - आउटपुट 3 आवृतmut - आउटपुट 4
DSC1004DI2-076.0000 Microchip Technology DSC1004DI2-076.0000 -
सराय
ECAD 8553 0.00000000 तमाम DSC1004 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO 76 सराय सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1004DI2-076.0000 Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 10.5ma एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSC6001CI2A-012.1732 Microchip Technology DSC6001CI2A-012.1732 -
सराय
ECAD 9876 0.00000000 तमाम DSC60XX नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSC6001 12.1732 तंग सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6001CI2A-012.1732 Ear99 8542.39.0001 110 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6001ME2A-075.0000 Microchip Technology DSC6001ME2A-075.0000 -
सराय
ECAD 1500 0.00000000 तमाम DSC60XX कसना शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO 75 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira 150-DSC6001ME2A-075.0000 Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC6101JA2B-027.0000 Microchip Technology DSC6101JA2B-027.0000 -
सराय
ECAD 4792 0.00000000 तमाम DSC61XXB नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO DSC6101 27 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6101JA2B-027.0000 Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1123CI5-026.0000T Microchip Technology DSC1123CI5-026.0000T -
सराय
ECAD 3305 0.00000000 तमाम DSC1123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1123 २६ सभा LVDS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1123CI5-026.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 10ppm - - 22ma
DSC6111JI2B-027.0000 Microchip Technology DSC611111JI2B-027.0000 -
सराय
ECAD 2469 0.00000000 तमाम DSC61XXB नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 27 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC611111JI2B-027.0000 Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - १.५) (स्यांत्र)
DSC6331JI2AB-010.0000 Microchip Technology DSC6331JI2AB-010.0000 -
सराय
ECAD 6071 0.00000000 तमाम Dsc63xxb नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 10 सराय LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6331JI2AB-010.0000 Ear99 8542.39.0001 140 - 3ma एमईएमएस ± 25ppm - And 0.25%, पायता -
DSC1001CE1-006.1760 Microchip Technology DSC1001CE1-006.1760 -
सराय
ECAD 9895 0.00000000 तमाम DSC1001 नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO 6.176 सरायम सीएमओएस 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1001CE1-006.1760 Ear99 8542.39.0001 110 तमाम (तंगर शेर) 6.5ma एमईएमएस ± 50ppm - - 15
DSC1223BI2-50M00000T Microchip Technology DSC1223BI2-50M00000T -
सराय
ECAD 2786 0.00000000 तमाम Dsc12x3 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO ५० सभा LVDS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1223BI2-50M00000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 25ppm - - 23ma
DSA1121DL2-033.3333TVAO Microchip Technology DSA1121DL2-033.3333TVAO -
सराय
ECAD 8435 0.00000000 तमाम DSA1121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSA1121 33.3333 सरायम सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSA1121DL2-033.3333TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 25ppm - - 22ma
DSC6101HE2A-012.0000T Microchip Technology DSC6101HE2A-012.0000T -
सराय
ECAD 9572 0.00000000 तमाम DSC61XX R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6101 12 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6101HE2A-012.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
DSC1123CI3-125.0000T Microchip Technology DSC1123CI3-125.0000T -
सराय
ECAD 3265 0.00000000 तमाम DSC1123 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1123 १२५ सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1123CI3-125.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 20ppm - - 22ma
DSC6001JI3B-259K200 Microchip Technology DSC6001JI3B-259K200 -
सराय
ECAD 2648 0.00000000 तमाम Dsc60xxb नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 259.2 kHz सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6001JI3B-259K200 Ear99 8542.39.0001 140 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 20ppm - - -
DSC6102JI1B-080.0000T Microchip Technology DSC6102JI1B-080.0000T -
सराय
ECAD 7499 0.00000000 तमाम DSC61XXB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO 80 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6102JI1B-080.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC1121AE5-020.0000 Microchip Technology DSC1121AE5-020.0000 -
सराय
ECAD 6058 0.00000000 तमाम DSC1121 नली शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन ने ने पैड को को को को को को XO DSC1121 २० सभा सीएमओएस 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1121AE5-020.0000 Ear99 8542.39.0001 50 अकmuth सक 35ma एमईएमएस ± 10ppm - - 22ma
DSC6111HI3B-074.2500 Microchip Technology DSC6111HI3B-074.2500 -
सराय
ECAD 8042 0.00000000 तमाम DSC61XXB कसना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6111 74.25 तंग सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6111HI3B-074.2500 Ear99 8542.39.0001 100 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 20ppm - - १.५) (स्यांत्र)
DSC6001ME1B-052.4280T Microchip Technology DSC6001M1B-052.4280T -
सराय
ECAD 8152 0.00000000 तमाम Dsc60xxb R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएफएलजीए XO DSC6001 ५२.४२ ofer सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC6001M1B-052.4280TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 1.3ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
DSC1103CL5-212.5000 Microchip Technology DSC1103CL5-212.5000 -
सराय
ECAD 3463 0.00000000 तमाम DSC1103 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSC1103 212.5 तंग LVDS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC1103CL5-212.5000 Ear99 8542.39.0001 110 तमाम (तंगर शेर) 32ma एमईएमएस ± 10ppm - - 95 ओना
DSC6111JI2B-100.0000T Microchip Technology DSC611111JI2B-100.0000T -
सराय
ECAD 6372 0.00000000 तमाम DSC61XXB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.89 मिमी) सतह rurcur 4-वीएलजीए XO DSC6111 100 सराय सीएमओएस 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC611111JI2B-100.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 3ma एमईएमएस ± 25ppm - - १.५) (स्यांत्र)
DSC613PE2A-01KCT Microchip Technology DSC613PE2A-01KCT -
सराय
ECAD 9551 0.00000000 तमाम DSC613 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "एल x 0.047" डबthutugh (1.60 मिमी x 1.20 मिमी) 6-वीएफएलजीए XO DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-DSC613PE2A-01KTR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 6.5ma 0.035 "(0.89 मिमी) एमईएमएस ± 25ppm ३ तंग - - - -
MX553ABA106M250 Microchip Technology MX553ABA106M250 -
सराय
ECAD 2874 0.00000000 तमाम MX55 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.055 "(1.40 मिमी) सतह rurcur ६- XO 106.25 तंग LVPECL 2.375V ~ 3.63V तंग Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 120ma तिहाई ± 50ppm - - -
DSA1001DI2-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-025.0000TVAO -
सराय
ECAD 9008 0.00000000 तमाम DSA1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 २५ सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DI2-025.0000TVAO Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSA1001DI2-026.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-026.0000TVAO -
सराय
ECAD 4512 0.00000000 तमाम DSA1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 २६ सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DI2-026.0000TVAO Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSA1001DI2-026.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI2-026.0000VAO -
सराय
ECAD 7130 0.00000000 तमाम DSA1001 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 २६ सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DI2-026.0000VAO Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSA1001DI3-020.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI3-020.0000VAO -
सराय
ECAD 2223 0.00000000 तमाम DSA1001 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 २० सभा सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DI3-020.0000VAO Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 20ppm - - 15
DSA1001DL1-060.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL1-060.0000TVAO -
सराय
ECAD 1704 0.00000000 तमाम DSA1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 60 सराय सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DL1-060.0000TVAO Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 10.5ma एमईएमएस ± 50ppm - - 15
DSA1001DL2-006.0053VAO Microchip Technology DSA1001DL2-006.0053VAO -
सराय
ECAD 7379 0.00000000 तमाम DSA1001 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 6.0053 सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DL2-006.0053VAO Ear99 8542.39.0001 140 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 25ppm - - 15
DSA1001DL3-008.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-008.0000TVAO -
सराय
ECAD 2028 0.00000000 तमाम DSA1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 8 सराय सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DL3-008.0000TVAO Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 8MA एमईएमएस ± 20ppm - - 15
DSA1001DL3-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-100.0000TVAO -
सराय
ECAD 4573 0.00000000 तमाम DSA1001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 4-वीडीएफएन XO DSA1001 100 सराय सीएमओएस 1.7V ~ 3.6V तंग 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1001DL3-100.0000TVAO Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 16.6ma एमईएमएस ± 20ppm - - 15
DSA1101BI3-034.3680VAO Microchip Technology DSA1101BI3-034.3680VAO -
सराय
ECAD 2135 0.00000000 तमाम DSA1101 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-वीडीएफएन XO DSA1101 34.368 अराध्य सीएमओएस 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 150-DSA1101BI3-034.3680VAO Ear99 8542.39.0001 72 तमाम (तंगर शेर) 35ma एमईएमएस ± 20ppm - - 95 ओना
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम