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अमीर, क्योर, अयरा (66766)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ASDMPC-50.000MHz-LR-T3 | - |  | 7704 | 0.00000000 | तमाम | एएसडीएमपी, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | ५० सभा | सीएमओएस | 2.25V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 35ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 95 ओना | ||
 | ASDMPC-32.000MHz-LR-T3 | - | | 9245 | 0.00000000 | तमाम | एएसडीएमपी, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | ३२ सराय | सीएमओएस | 2.25V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 35ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 95 ओना | ||
 | ASCSM-3.6864MHz-LR-T | - | | 4624 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | 3.6864 अय्यर | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 15 | ||
| ASCSM-4.000MHz-ly-T | - | | 4235 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | ४ सभ्य | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 15 | ||
| ASCSM-4.000MHz-LR-T | - | | 8603 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | ४ सभ्य | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 15 | ||
| ASCSM-68.000MHz-LR-T | - | | 5955 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | 68 सराय | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 15 | ||
| ASDMPC-14.31818MHz-LR-T3 | - | | 3429 | 0.00000000 | तमाम | एएसडीएमपी, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | 14.31818 अय्योर | सीएमओएस | 2.25V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 35ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 95 ओना | ||
| ASDMPC-133.000MHz-LR-T3 | - | | 3448 | 0.00000000 | तमाम | एएसडीएमपी, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | १३ सराय | सीएमओएस | 2.25V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 35ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 95 ओना | ||
| ASCSM-125.000MHz-ly-T | - | | 2252 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | १२५ सराय | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 15 | ||
| ASCSM-1.544MHz-ly-T | - | | 5984 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | १.५४४ तंग | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 15 | ||
| ASDMPC-26.000MHz-LR-T3 | - | | 8064 | 0.00000000 | तमाम | एएसडीएमपी, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | २६ सभा | सीएमओएस | 2.25V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 35ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 95 ओना | ||
| ASDMPC-255.000MHz-LR-T3 | 1.2443 | | 2776 | 0.00000000 | तमाम | एएसडीएमपी, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | २५ सभा | सीएमओएस | 2.25V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 35ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 22ma | ||
| ASCSM-6.000MHz-LR-T | - | | 5674 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | ६ सराय | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 15 | ||
| ASCSM-54.000MHz-ly-T | - | | 9420 | 0.00000000 | तमाम | एएससीएसएम, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.070 "एल x 0.049" डबthutum (1.79 मिमी x 1.25 मिमी) | 0.027 "(0.69 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | ५४ तंग | सीएमओएस | 1.7V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 15 | ||
| ASDMPC-125.000MHz-LR-T | - | | 4650 | 0.00000000 | तमाम | एएसडीएमपी, शुद, शुद सिलिकॉन सिलिकॉन ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | १२५ सराय | सीएमओएस | 2.25V ~ 3.6V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 35ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | 22ma | ||
 | Ablno-96.000MHz | 23.2604 | | 5588 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 96 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 535-12346 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 25ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | |
| ABLNO-120.000MHz-T2 | - | | 2100 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 35ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| ABLNO-150.000MHz-T | - | | 9701 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १५० तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 40ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
 | ABLNO-155.520MHz | 24.8648 | | 9668 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 155.52 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 40ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| ABLNO-156.250MHz-T2 | - | | 4575 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 156.25 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 40ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-98.304MHz | 23.2604 | | 4231 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 98.304 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 25ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-V-100.000MHz | 24.3916 | | 7993 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | 100 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 35ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-V-120.000MHz | 24.3916 | | 3950 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | १२० सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 35ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| ABLNO-V-156.250MHz-T2 | 16.0360 | | 7762 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | 156.25 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 40ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-V-80.000MHz-T | - | | 2759 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | 80 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 25ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-V-81.920MHz-T | - | | 7470 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | 81.92 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 25ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-V-92.160MHz-T | - | | 3360 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | ९ २.१६ सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 25ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-V-92.160MHz-T2 | - | | 7796 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | ९ २.१६ सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 25ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
| Ablno-V-98.304MHz-T | - | | 4080 | 0.00000000 | तमाम | अबनो | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "एल x 0.343" डबmuntum (14.30 मिमी x 8.70 मिमी) | 0.217 "(5.50 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | 98.304 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 25ma | तिहाई | ± 18ppm | - | - | ||
 | AST3TQ-10.00MHz-1 | - | | 1018 | 0.00000000 | तमाम | Ast3tq | कांपना | Sic में बंद r क rur kay | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.079 "(2.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | 10 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 7MA | तिहाई | ± 100ppb | - | - |
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