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अमीरस

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी कांपना तंग तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम लोड कैपेसिटेंस सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) तमाम
D32G-016.368M Connor Winfield D32G-016.368M 10.4000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 सींग D32G R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 16.368 तंग सीन वेव 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 2ma तिहाई ± 500ppb - -
CWX815-60.0M Connor Winfield CWX815-60.0M -
सराय
 ECAD 2035 0.00000000 सींग Cwx815 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.051 "(1.30 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 60 सराय एचसीएमओएस 5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 45ma तिहाई ± 25ppm - -
CWX815-44.736M Connor Winfield CWX815-44.736M -
सराय
 ECAD 1602 0.00000000 सींग Cwx815 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.051 "(1.30 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 44.736 तंग एचसीएमओएस 5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 45ma तिहाई ± 25ppm - -
M100V-020.0M Connor Winfield M100V-020.0M 27.0000
सराय
 ECAD 501 0.00000000 सींग M100 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 8-कोई, कोई लीड नहीं Vctcxo २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 3.3MA तिहाई ± 100ppb - -
LM113-425.0M-T Connor Winfield LM113-425.0MT 14.6300
सराय
 ECAD 6198 0.00000000 सींग LM113 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.077 "(1.95 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO ४२५ तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 75ma तिहाई ± 25ppm - -
OH200-51003CF-012.8M Connor Winfield OH200-51003CF-012.8m 74.2500
सराय
 ECAD 1635 0.00000000 सींग OH200 शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 1.417 "एल X 1.063" डबmuntur (36.00 मिमी x 27.00 मिमी) 0.500 "(12.70 मिमी) होल के kaytaumauth से 6-मॉड lect, 5 लीड OCXO 12.8 तंग सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CW832 Ear99 8542.39.0001 10 - - तिहाई ± 5ppb - -
LM113-288.0M Connor Winfield LM113-288.0M 16.5000
सराय
 ECAD 33 0.00000000 सींग LM113 कांपना शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.077 "(1.95 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 288 सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 25 अकmuth सक 75ma तिहाई ± 25ppm - -
T602-012.8M Connor Winfield T602-012.8m 19.1520
सराय
 ECAD 5452 0.00000000 सींग T602 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 12.8 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
AO320-CC-60103CF-025.0M Connor Winfield AO320-CC-60103CF-025.0M 192.5000
सराय
 ECAD 10 0.00000000 सींग AO320 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 1.000 "एल X 0.866" किलमग्यूट (25.40 मिमी x 22.00 मिमी) 0.567 "(14.40 मिमी) सतह rurcur 7-कोई, कोई लीड नहीं OCXO २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 222-AO320-CC-60103CF-025.0M Ear99 8541.60.0080 10 - 1.1 ए तिहाई ± 1ppb - -
CWX813-025.0M Connor Winfield CWX813-025.0M 4.3400
सराय
 ECAD 11 0.00000000 सींग Cwx813 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.051 "(1.30 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 30ma तिहाई ± 25ppm - -
T602-019.44M Connor Winfield T602-019.44m 18.9000
सराय
 ECAD 9557 0.00000000 सींग T602 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 19.44 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
V7223T-074.25M Connor Winfield V7223T-074.25M 9.0000
सराय
 ECAD 4932 0.00000000 सींग V7223t R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.055 "(1.40 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 74.25 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 100 अकmuth सक 25ma तिहाई - ± 50ppm -
T604-025.0M Connor Winfield T604-025.0M 21.6000
सराय
 ECAD 8019 0.00000000 सींग T605 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
TJ5F-050.0M-T Connor Winfield TJ5F-050.0MT 10.5625
सराय
 ECAD 1861 0.00000000 सींग Tj5f R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना ५० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 1ppm - -
XL-1CE-10.0000 Connor Winfield XL-1CE-10.0000 4.5400
सराय
 ECAD 6091 0.00000000 सींग - R टेप ray ryील (ther) शिर 60 ओम -40 ° C ~ 85 ° C - 0.300 "of x 0.200" डबthuthuth (7.62 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) 0.070 "(1.77 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं तमाम 10 सराय मौलिक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.60.0050 500 16PF - ± 100ppm
D75A-010.0M-T Connor Winfield D75A-010.0MT 14.2500
सराय
 ECAD 2911 0.00000000 सींग डी 75 ए R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
D75A-020.0M-T Connor Winfield D75A-020.0MT 14.2500
सराय
 ECAD 9399 0.00000000 सींग डी 75 ए R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
T604-012.8M Connor Winfield T604-012.8m 19.1520
सराय
 ECAD 3381 0.00000000 सींग T605 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo 12.8 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
T604-019.2M Connor Winfield T604-019.2M 19.1520
सराय
 ECAD 9561 0.00000000 सींग T605 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo १ ९। LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
T100F-020.0M Connor Winfield T100F-020.0M 27.0000
सराय
 ECAD 9698 0.00000000 सींग T100/200 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.094 "(2.40 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 2.1MA तिहाई ± 100ppb - -
T602-020.0M Connor Winfield T602-020.0m 21.6000
सराय
 ECAD 828 0.00000000 सींग T602 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.094 "(2.40 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 6ma तिहाई ± 280ppb - -
OH100-70503CF-020.0M Connor Winfield OH100-70503CF-020.0m 77.0000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 सींग OH100 शिर शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 1.000 "एल X 1.000" डबthuthut (25.40 मिमी x 25.40 मिमी) 0.500 "(12.70 मिमी) होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.750 ", 19.05 मिमी), 5 लीड OCXO २० सभा सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CW870 Ear99 8542.39.0001 10 - - तिहाई ± 5ppb - -
OH100-70503CF-024.576M Connor Winfield OH100-70503CF-024.576M 87.7500
सराय
 ECAD 7191 0.00000000 सींग OH100 शिर शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 1.000 "एल X 1.000" डबthuthut (25.40 मिमी x 25.40 मिमी) 0.500 "(12.70 मिमी) होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.750 ", 19.05 मिमी), 5 लीड OCXO 24.576 तंग सीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CW871 Ear99 8542.39.0001 10 - - तिहाई ± 5ppb - -
HSM613-114.285M Connor Winfield HSM613-114.285M 4.3400
सराय
 ECAD 81 0.00000000 सींग Hsm6 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "एल x 0.197" डबmuthut (7.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.055 "(1.40 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 114.285 तंग एचसीएमओएस 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 40ma तिहाई ± 25ppm - 10μA
DOC020F-025.0M Connor Winfield DOC020F-025.0M -
सराय
 ECAD 4497 0.00000000 सींग कड़ा R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C - 0.555 "एल x 0.358" डबthutum (14.10 मिमी x 9.10 मिमी) 0.307 "(7.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं OCXO २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q9017021 Ear99 8542.39.0001 1 - - तिहाई ± 20ppb - -
M200F-020.0M Connor Winfield M200F-020.0M 27.0000
सराय
 ECAD 51 0.00000000 सींग M200 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 8-कोई, कोई लीड नहीं कांपना २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 3.3MA तिहाई ± 200ppb - -
M602-025.0M Connor Winfield M602-025.0M 27.2700
सराय
 ECAD 1464 0.00000000 सींग M602 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 8-कोई, कोई लीड नहीं कांपना २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - - तिहाई ± 280ppb - -
TB602-049.152M Connor Winfield TB602-049.152M 27.0000
सराय
 ECAD 59 0.00000000 सींग टीबी R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.079 "(2.00 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना ४ ९ .१५२ सरायम LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 6ma तिहाई ± 280ppb - -
OHSM100-60803CF-020.0M Connor Winfield OHSM100-60803CF-020.0M -
सराय
 ECAD 1119 0.00000000 सींग OHSM100-60803CF कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 1.000 "एल X 1.000" डबthuthut (25.40 मिमी x 25.40 मिमी) 0.613 "(15.57 मिमी) सतह rurcur 6-कोई, कोई लीड नहीं, 5 लीड OCXO २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - - तिहाई ± 8ppm - -
VBLD861-122.88M Connor Winfield VBLD861-122.88M 18.7500
सराय
 ECAD 34 0.00000000 सींग Vbld861 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.550 "एल x 0.355" डब97 (13.97 मिमी x 9.02 मिमी) 0.202 "(5.13 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 122.88 अय्यहम LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 100 - 30ma तिहाई ± 10ppm ± 5ppm -
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