दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कड़ा | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | अफ़र | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) | उपलबmun आवृत | आवृतmuthauradala |
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![]() | 501EAE-ADAF | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501eae | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 501BAE-ACAF | - | ![]() | 6681 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501BAE | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 501BAE-ACAG | - | ![]() | 8324 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501BAE | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 501CAC-ABAF | - | ![]() | 4088 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501CAC | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 501MBA-ACAG | - | ![]() | 3779 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501MBA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | SI501-PROG-DAX | - | ![]() | 7389 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | SI501 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | S सकth सक | रत्य (शरण दार्य | - | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm, ± 30ppm, ± 50ppm | |||
![]() | 502JCA-ADAG | - | ![]() | 7653 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502JCA | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |||
![]() | 501JCA24M0000DAFR | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |||||
![]() | 501EAF-ACAF | - | ![]() | 6065 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501EAF | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 502ACB-ABAG | - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502ACB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |||
![]() | 503eba-Adag | - | ![]() | 4563 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503eba | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501EAC-ACAF | - | ![]() | 2552 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501EAC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 504CBA-BCAF | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI504 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 504CBA | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501DBG-ACAF | - | ![]() | 4243 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501DBG | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501Jae-ACAG | - | ![]() | 9773 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501jae | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 501MBD-ADAF | - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501MBD | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501ABJ-ACAG | - | ![]() | 6454 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501ABJ | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 502haa-abag | - | ![]() | 9328 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502haa | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 502BBE-ACAG | - | ![]() | 9380 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502BBE | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 503GCA-ACAG | - | ![]() | 7831 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503GCA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |||
![]() | 502DBA-ACAG | - | ![]() | 4921 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502DBA | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501GBH-ACAG | - | ![]() | 4574 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501GBH | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501ABG-ABAG | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501ABG | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501GBF-ADAG | - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501GBF | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 502DBE-ADAG | - | ![]() | 7037 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502dbe | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 501GBK-ACAF | - | ![]() | 1380 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501GBK | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |||
![]() | 503LAA-ADAF | - | ![]() | 1454 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503LAA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 502kcd-abag | - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502KCD | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |||
![]() | 501hak-abaf | - | ![]() | 4107 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501hak | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |||
![]() | 501kck-abaf | - | ![]() | 1536 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501kck | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm |
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