दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) | उपलबmun आवृत | आवृतmuthauradala |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 501lbb-abag | - | ![]() | 5432 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501lbb | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 502mbe-abag | - | ![]() | 3381 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502mbe | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 502MCA-ADAF | - | ![]() | 8306 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502MCA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 501BAA50M0000BAF | - | ![]() | 8765 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ५० सभा | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | 336-2982 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |||||
![]() | 502JCE-ACAF | - | ![]() | 8797 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502JCE | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 504LCA-ADAF | - | ![]() | 7394 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI504 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 504LCA | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 80 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 501dam-abaf | - | ![]() | 3080 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501dam | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | ||||
![]() | 501GAJ-ABAF | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501GAJ | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | ||||
![]() | 503GBB-ABAF | - | ![]() | 7602 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503GBB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 504LCA-BDAG | - | ![]() | 1151 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI504 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 504LCA | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 503CCA-ACAG | - | ![]() | 9266 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503CCA | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 503NCA-ADAF | - | ![]() | 5081 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503NCA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 502lbd-abag | - | ![]() | 9510 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502LBD | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 503ABA-ACAF | - | ![]() | 5253 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503aba | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 501GBC-ABAG | - | ![]() | 7477 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501GBC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 501ABJ-ABAF | - | ![]() | 6954 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501ABJ | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 501fae-adag | - | ![]() | 2727 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501FAE | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | ||||
![]() | 503JCB-ACAG | - | ![]() | 7526 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503JCB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 502NAD-ABAF | - | ![]() | 9761 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502NAD | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | ||||
![]() | 501JCH-ACAG | - | ![]() | 5928 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501jch | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 502pbc-abaf | - | ![]() | 2659 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502pbc | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 501JCA20M0000CAFR | - | ![]() | 5881 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २० सभा | LVCMOS | 3.3 | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||||||
![]() | 503GBA-ADAG | - | ![]() | 2392 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503GBA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 502ABC-ABAG | - | ![]() | 6581 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502ABC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 501eba-Adaf | - | ![]() | 3240 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501eba | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 503pcb-abag | - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503pcb | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 501ABJ-ADAG | - | ![]() | 9850 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501ABJ | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | ||||
![]() | 501nam-adag | - | ![]() | 3443 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501nam | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | ||||
![]() | 502pce-ACAG | - | ![]() | 2321 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502pce | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | ||||
![]() | 502HAF-ACAF | - | ![]() | 2919 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502HAF | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm |
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