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अमीर, क्योर, अयरा (193603)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-G3-18E-33.33333333T | 1.3174 |  | 7890 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 33.333333 सोरहम | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 30ma | |
 | SIT3921AC-2CF-33NZ125.000000X | 24.0384 | | 2521 | 0.00000000 | तमाम | Sit3921 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | Sit3921 | १२५ सराय | LVDS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 55ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | - | |
 | SIT9001AI-44-33E1-48.00000Y | - | | 8764 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 34ma | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | 50 | |
 | SIT1534AC-J5-DCC-00.256E | 1.3600 | | 1029 | 0.00000000 | तमाम | Sit1534 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.061 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.54 मिमी x 0.84 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | XO | Sit1534 | 256 | LVCMOS | 1.2V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.3μA | एमईएमएस | ± 75ppm | - | - | - | |
| SIT3921AC-2C3-25NZ148.425000X | 20.8983 | | 7408 | 0.00000000 | तमाम | Sit3921 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | Sit3921 | 148.425 तंग | LVDS | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 55ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | - | |
 | SIT5001AC-2E-33N0-7.680000Y | 3.9142 | | 3083 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 7.68 तंग्य | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
 | SIT9003AI-13-33EB-24.00000Y | 1.4455 | | 1641 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | २४ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 4.3 एंडा | |
| SIT5001AIC8E-25N0-4.915200Y | 4.7441 | | 1351 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | ४. ९ १५२ सराय | LVCMOS | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT8208AC-2F-33E-50.000000Y | 3.6149 | | 7970 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT9003AC-13-33DQ-46.08000X | 2.2540 | | 8674 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 46.08 दार्य | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | -1.00%, अफ़स | 4.3 एंडा | |
 | SIT8208AC-3F-33E-14.318100Y | 3.7918 | | 3783 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 14.3181 सरायम | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
 | SIT1630AI-H4-DCC-32.768E | 1.6183 | | 1212 | 0.00000000 | तमाम | Sit1630 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit1630 | 32.768 kHz | LVCMOS | 1.5V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 2.2 ओना | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | - | |
| SIT1534AI-H4-DCC-00.001E | 1.4800 | | 3 | 0.00000000 | तमाम | Sit1534 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit1534 | 1 सींग | LVCMOS | 1.5V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.4 ओना | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | - | |
 | SIT9121AI-1D1-33E125.000000X | 4.4704 | | 9360 | 0.00000000 | तमाम | Sit9121 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | १२५ सराय | LVPECL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 69ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 35ma | ||
| SIT9121AI-1D1-33E125.000000Y | 2.9768 | | 3313 | 0.00000000 | तमाम | Sit9121 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | १२५ सराय | LVPECL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 69ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 35ma | ||
| SIT8208AI-2F-28S-40.000000Y | 3.8969 | | 5212 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 40 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT3907AI-C2-25NB-200.000000Y | 16.1023 | | 1688 | 0.00000000 | तमाम | Sit3907 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | Sit3907 | २०० सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 34ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | - | |
| SIT9003AC-24-33ED-24.39500X | 2.2540 | | 9721 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | २४.३ ९ ५ तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 4.1MA | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | 4.3 एंडा | |
| SIT9003AC-14-33ED-72.000000Y | 1.8676 | | 6065 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 72 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 4.1MA | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | 4.3 एंडा | |
| SIT1552AI-J1-DCC-32.768E | 0.8219 | | 8796 | 0.00000000 | तमाम | Sit1552 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.061 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.54 मिमी x 0.84 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | 4-UFBGA, CSPBGA | कांपना | Sit1552 | 32.768 kHz | LVCMOS | 1.5V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.52 एटीएए | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-2E-33VQ-40.000000X | 5.3251 | | 1102 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5001 | 40 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT9003AI-23-33EB-50.00000Y | 1.4744 | | 2762 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | ५० सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 4.3 एंडा | |
| SIT9003AI-23-28EB-2.00000Y | 1.4744 | | 2528 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.2 ओना | |
| SIT5000AC-3E-33E0-19.440000Y | 1.9807 | | 8699 | 0.00000000 | तमाम | Sit5000 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5000 | 19.44 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5000AC-8E-33E0-25.000000Y | 1.9807 | | 4106 | 0.00000000 | तमाम | Sit5000 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5000 | २५ सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5001AI-8E-33E0-30.720000T | 4.7441 | | 3550 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 30.72 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT9003AI-13-25EB-47.38850Y | 2.1840 | | 8753 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 47.3885 तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.2 ओना | |
| SIT9001AI-43-33E1-100.00000Y | - | | 9243 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | 100 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 34ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 50 | |
| SIT9001AC-44-33E5-125.00000Y | - | | 9556 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | १२५ सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 34ma | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | 50 | |
| SIT9001AI-44-33E4-40.00000Y | - | | 2778 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | 40 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 34ma | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | 50 |
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