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अमीर, क्योर, अयरा (193603)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-G2-33E-26.000000T | 1.5215 |  | 1297 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २६ सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 31ma | |
| SIT8208AI-G2-33S-255000000T | 1.5215 | | 8417 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 70μA | |
| SIT8208AI-GF-18E-26.000000T | 3.8969 | | 2721 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २६ सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | ||
| SIT8208AI-GF-18E-27.000000T | 3.8969 | | 7026 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | ||
| SIT8208AI-GF-18E-37.400000T | 3.8969 | | 8052 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 37.4 तंग | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | ||
| SIT8208AI-GF-18E-38.400000T | 3.8969 | | 9674 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 38.4 तंग | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | ||
| SIT8208AI-GF-33E-2.000000T | 3.8969 | | 9271 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-GF-33E-40.000000T | 3.8969 | | 4337 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 40 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-GF-33E-80.000000T | 3.8969 | | 4857 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 80 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AIRGF-33E-33.333300T | 3.8969 | | 1692 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 33.3333 सरायम | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
 | SIT8208AIU2F-33E-24.000000T | 3.8969 | | 9802 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २४ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AUG1-33E-16.384000T | 1.8792 | | 1381 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 16.384 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 31ma | |
 | SIT8209AI-G2-33E-180.005000T | - | | 7347 | 0.00000000 | तमाम | SIT8209 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 180.005 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8209AI-G3-33E-100.000000T | - | | 9581 | 0.00000000 | तमाम | SIT8209 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 100 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8209AI-G3-33E-125.000000T | - | | 7077 | 0.00000000 | तमाम | SIT8209 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२५ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
 | SIT8225AC-8F-18E-2.000000T | 3.7918 | | 3061 | 0.00000000 | तमाम | Sit8225 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8225 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | |
| SIT8225AI-G1-18E-55.000625T | 1.8792 | | 8729 | 0.00000000 | तमाम | Sit8225 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8225 | २५.०००६२५ सरायम | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 30ma | |
| SIT8256AI-2F-33S-156.250000T | 7.2139 | | 2642 | 0.00000000 | तमाम | Sit8256 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8256 | 156.25 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |
| SIT8256AI-8F-33E-156.250000T | 7.6010 | | 7727 | 0.00000000 | तमाम | Sit8256 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8256 | 156.25 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |
| SIT8256AI-8F-33E-156.257800T | 7.6010 | | 8537 | 0.00000000 | तमाम | Sit8256 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8256 | 156.2578 | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |
| SIT9001AC-43-33E4-27.00000T | - | | 5117 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | 27 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 27ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 50 | |
| SIT9001AI-43-33D6-7.62750T | - | | 4313 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | 7.6275 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 27ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | -0.50%, अफ़स | 50 | |
| SIT9001AI-44-33E2-16.00000T | - | | 7854 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | 16 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 27ma | एमईएमएस | ± 100ppm | - | - | 50 | |
 | SIT9002AI-143N333EB156.25000T | 14.6198 | | 4374 | 0.00000000 | तमाम | Sit9002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | XO | Sit9002 | 156.25 तंग | LVPECL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 84ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | - | |
 | SIT9003AC-13-18DB-20.00000T | 1.1340 | | 9344 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | २० सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 3.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | And 0.25%, पायता | 0.8μA | |
| SIT9003AC-13-18DB-40.00000T | 1.1340 | | 8400 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 40 सराय | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 3.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | And 0.25%, पायता | 0.8μA | |
| SIT9003AC-13-18DO-52.000000T | 1.7388 | | 1793 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | ५२ सराय | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 3.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | -0.50%, अफ़स | 0.8μA | |
| SIT9003AC-13-18DO-75.00000T | 1.1340 | | 4924 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 75 सराय | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 3.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | -0.50%, अफ़स | 0.8μA | |
| SIT9003AC-13-33DB-27.12000T | 1.7388 | | 1668 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 27.12 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | And 0.25%, पायता | 4.3 एंडा | |
| SIT9003AC-13-33DD-27.000T | 1.1340 | | 5109 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 27 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | ± 0.50%, पचुर | 4.3 एंडा |
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