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SIT8208AC-2F-28S-24.576000T	3.6149	सराय	9579	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		24.576 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-26.000000Y	3.6149	सराय	9740	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		२६ सभा	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-28.636300Y	3.6149	सराय	9187	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		28.6363 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-3.570000Y	3.6149	सराय	9338	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		३.५ rautaurauthuthu	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-32.768000X	4.3488	सराय	7304	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		32.768 अराध्य	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.000000T	3.6149	सराय	5742	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		३३ सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.000000X	4.3488	सराय	8401	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		३३ सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.333300T	3.6149	सराय	4008	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		33.3333 सरायम	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.333330T	3.6149	सराय	2983	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		33.33333 सोरप्युर	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.333330Y	3.6149	सराय	9315	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		33.33333 सोरप्युर	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-35.840000Y	3.6149	सराय	9010	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		35.84 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-38.000000T	3.6149	सराय	1244	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		38 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-38.400000Y	3.6149	सराय	9347	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		38.4 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-40.000000Y	3.6149	सराय	4016	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		40 सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-48.000000Y	3.6149	सराय	7123	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		४ yathaurautautun	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-62.500000X	4.3488	सराय	6576	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		62.5 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-65.000000T	3.6149	सराय	5859	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		६५ सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-18E-12.288000X	4.3488	सराय	1955	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		12.288 अय्यर	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	30ma
SIT8208AC-2F-18E-16.369000X	4.3488	सराय	4446	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		16.369 तंग	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	30ma
SIT8208AC-2F-18E-18.432000X	4.3488	सराय	5415	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		18.432 तंग	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	30ma
SIT8208AC-2F-18E-119.200000X	4.3488	सराय	3076	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		१ ९।	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	30ma
SIT8208AC-2F-18E-119.440000X	4.3488	सराय	9108	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		19.44 तंग	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	30ma
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SIT8208AC-G2-18S-33.333300Y	1.5196	सराय	7850	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	33.3333 सरायम	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	10μA
SIT8208AC-G2-18S-33.333330Y	1.5196	सराय	8170	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	33.33333 सोरप्युर	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	10μA
SIT8208AC-G2-18S-37.500000X	1.8340	सराय	9458	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	37.5 तंग	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	10μA
SIT8208AC-G2-18S-40.000000Y	1.5196	सराय	2481	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	40 सराय	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	10μA

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