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SIT8208AC-2F-25E-25000000X	4.3488	सराय	8971	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	२५ सभा	LVCMOS, LVTTL	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-28E-2.000625T	3.6149	सराय	8651	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	२५.०००६२५ सरायम	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-28E-3.570000X	4.3488	सराय	6313	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	३.५ rautaurauthuthu	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-28E-30.000000Y	3.6149	सराय	3429	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	30 सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-28E-37.500000X	4.3488	सराय	3387	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	37.5 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-28E-66.600000T	3.6149	सराय	3109	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	६६.६ तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-28S-12.288000X	4.3488	सराय	8910	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.288 अय्यर	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-16.367667Y	3.6149	सराय	2095	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	16.367667	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-16.369000Y	3.6149	सराय	3002	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	16.369 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-119.200000X	4.3488	सराय	7774	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	१ ९।	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-24.576000T	3.6149	सराय	9579	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	24.576 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-26.000000Y	3.6149	सराय	9740	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	२६ सभा	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-28.636300Y	3.6149	सराय	9187	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	28.6363 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-3.570000Y	3.6149	सराय	9338	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	३.५ rautaurauthuthu	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-32.768000X	4.3488	सराय	7304	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	32.768 अराध्य	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.000000T	3.6149	सराय	5742	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	३३ सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.000000X	4.3488	सराय	8401	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	३३ सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.333300T	3.6149	सराय	4008	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	33.3333 सरायम	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-33.333330Y	3.6149	सराय	9315	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	33.33333 सोरप्युर	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-35.840000Y	3.6149	सराय	9010	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	35.84 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-38.000000T	3.6149	सराय	1244	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	38 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-38.400000Y	3.6149	सराय	9347	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	38.4 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-40.000000Y	3.6149	सराय	4016	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	40 सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-48.000000Y	3.6149	सराय	7123	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	४ yathaurautautun	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-62.500000X	4.3488	सराय	6576	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	62.5 तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-28S-65.000000T	3.6149	सराय	5859	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	६५ सराय	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT8208AC-2F-33E-10.000000X	4.3488	सराय	8010	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	10 सराय	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-33E-12.800000Y	3.6149	सराय	5561	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.8 तंग	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-33E-14.000000Y	3.6149	सराय	8184	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	१४ सराय	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AC-2F-33E-16.000000Y	3.6149	सराय	2704	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	16 सराय	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma

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