SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8209AI-81-18E-100.000000 SiTime SIT8209AI-81-18E-100.000000 3.5100
सराय
 ECAD 3978 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 100 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AC-4B9-28NZ173.370750 SiTime SIT3372AC-4B9-28NZ173.370750 8.9700
सराय
 ECAD 4278 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 173.37075 अय्योर एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm ± 1560ppm - -
SIT8209AI-21-28E-98.304000 SiTime SIT8209AI-21-28E-98.304000 3.3000
सराय
 ECAD 7575 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 98.304 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 36ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT1602AI-12-33E-18.432000 SiTime SIT1602AI-12-33E-18.432000 1.4100
सराय
 ECAD 5751 0.00000000 तमाम Sit1602 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 18.432 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9365AC-2B2-30N98.304000 SiTime SIT9365AC-2B2-30N98.304000 12.8700
सराय
 ECAD 1508 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 98.304 तंग LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT5156AE-FD-33VT-24.553500 SiTime SIT5156AE-FD-33VT-24.553500 48.9100
सराय
 ECAD 4978 0.00000000 तमाम Sit5156, एलीट प पchurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.042 "(1.06 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5156 24.5535 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 57ma एमईएमएस ± 2.5ppm ± 6.25ppm - -
SIT8208AC-G1-18E-30.000000Y SiTime SIT8208AC-G1-18E-30.000000Y 1.8647
सराय
 ECAD 2778 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 30 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 30ma
SIT3373AC-4E9-30NG345.600000 SiTime SIT3373AC-4E9-30NG345.600000 10.9200
सराय
 ECAD 5049 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ३४५.६ तंग एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 110ppm -
SIT3373AC-1E2-28NE250.000000 SiTime SIT3373AC-1E2-28NE250.000000 13.0100
सराय
 ECAD 6622 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना २५० तंग LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 70ppm -
SIT3372AI-1E3-33NY98.304000 SiTime SIT3372AI-1E3-33NY98.304000 10.2000
सराय
 ECAD 2060 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 98.304 तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT8208AI-21-18E-12.800000 SiTime SIT8208AI-21-18E-12.800000 3.3000
सराय
 ECAD 7904 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 12.8 तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8208AC-G1-28E-8.192000T SiTime SIT8208AC-G1-28E-8.192000T 1.7361
सराय
 ECAD 6913 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 8.192 अफ़रपित LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
SIT8208AC-G1-28S-16.368000Y SiTime SIT8208AC-G1-28S-16.368000Y 1.8647
सराय
 ECAD 9344 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 16.368 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
SIT3372AI-2E3-33NZ70.656000 SiTime SIT3372AI-2E3-33NZ70.656000 10.2000
सराय
 ECAD 3331 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 70.656 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 1545ppm - -
SIT9120AC-2B2-25E150.000000 SiTime SIT9120AC-2B2-25E150.000000 5.3500
सराय
 ECAD 7567 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO १५० तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AI-2B9-25NX140.000000 SiTime SIT3372AI-2B9-25NX140.000000 11.2100
सराय
 ECAD 2866 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना १४० सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 360ppm - -
SIT3373AI-2E9-30NY280.550000 SiTime SIT3373AI-2E9-30NY280.550000 11.2200
सराय
 ECAD 7835 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 280.55 तंग LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 760ppm -
SIT9120AC-1B2-25S25.000000 SiTime SIT9120AC-1B2-25S25.000000 5.3500
सराय
 ECAD 3389 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO २५ सभा LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 69ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9003AC-14-18DQ-45.00000Y SiTime SIT9003AC-14-18DQ-45.00000Y 1.1948
सराय
 ECAD 6260 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 ४५ तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 3.5MA एमईएमएस ± 100ppm - -1.00%, अफ़स 0.8μA
SIT3373AI-4B2-28NH224.000000 SiTime SIT3373AI-4B2-28NH224.000000 11.0000
सराय
 ECAD 9441 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २२४ सराय एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 170ppm -
SIT3372AI-2B9-30NB77.760000 SiTime SIT3372AI-2B9-30NB77.760000 11.2100
सराय
 ECAD 1928 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 77.76 सरायम LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 10ppm - -
SIT3372AI-2B2-33NH204.800000 SiTime SIT3372AI-2B2-33NH204.800000 13.2900
सराय
 ECAD 7148 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २०४.8 सरायम LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 170ppm - -
SIT8208AC-3F-18S-20.000000T SiTime SIT8208AC-3F-18S-20.000000T 3.7918
सराय
 ECAD 1026 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 10μA
SIT8208AC-8F-33E-19.440000X SiTime SIT8208AC-8F-33E-119.440000X 4.5616
सराय
 ECAD 3098 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 19.44 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT3373AC-2B3-30NC224.000000 SiTime SIT3373AC-2B3-30NC224.000000 9.9000
सराय
 ECAD 3549 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २२४ सराय LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8924BAL13-33E-27.000000 SiTime SIT8924BAL13-33E-27.000000 4.0900
सराय
 ECAD 5721 0.00000000 तमाम Sit8924b कांपना शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit8924 27 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.8ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8208AI-3F-25S-66.000000T SiTime SIT8208AI-3F-25S-66.000000T 4.1097
सराय
 ECAD 6010 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६६ सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT8208AI-3F-25S-66.600000T SiTime SIT8208AI-3F-25S-66.600000T 4.1097
सराय
 ECAD 6908 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६६.६ तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT1602BI-73-XXS-33.330000 SiTime SIT1602BI-73-XXS-33.330000 1.2900
सराय
 ECAD 7351 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३३.३३ सरायम HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8208AI-G2-25E-66.600000X SiTime SIT8208AI-G2-25E-66.600000X 1.9722
सराय
 ECAD 6855 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ६६.६ तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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