SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8208AI-32-28E-32.768000 SiTime SIT8208AI-32-28E-32.768000 3.1700
सराय
 ECAD 1721 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 32.768 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9003AC-13-33DD-27.000T SiTime SIT9003AC-13-33DD-27.000T 1.1340
सराय
 ECAD 5109 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 27 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - ± 0.50%, पचुर 4.3 एंडा
SIT3372AC-2E3-25NY135.000000 SiTime SIT3372AC-2E3-25NY135.000000 9.9000
सराय
 ECAD 8649 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना १३५ सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT3372AC-4B3-30NC50.000000 SiTime SIT3372AC-4B3-30NC50.000000 9.9000
सराय
 ECAD 1091 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ५० सभा एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT3372AC-4B9-25NZ90.000000 SiTime SIT3372AC-4B9-25NZ90.000000 10.9200
सराय
 ECAD 5827 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 90 तंग एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm ± 1560ppm - -
SIT3373AC-4B3-28NE625.000000 SiTime SIT3373AC-4B3-28NE625.000000 9.9000
सराय
 ECAD 8163 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 625 तंग एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 45ppm -
SIT3372AI-2E2-30NX70.656000 SiTime SIT3372AI-2E2-30NX70.656000 13.2900
सराय
 ECAD 6129 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 70.656 तंग LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 370ppm - -
SIT3373AC-1B2-28NH614.000000 SiTime SIT3373AC-1B2-28NH614.000000 13.0000
सराय
 ECAD 4483 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ६१४ तंग LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 170ppm -
SIT8208AI-G3-33S-62.500000X SiTime SIT8208AI-G3-33S-62.500000X 1.6938
सराय
 ECAD 7819 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 62.5 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-33S-33.333000Y SiTime SIT8208AI-G3-33S-33.333000Y 1.3880
सराय
 ECAD 9554 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३३३ सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-33S-4.000000X SiTime SIT8208AI-G3-33S-4.000000X 1.6938
सराय
 ECAD 1031 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ४ सभ्य LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-33S-66.000000X SiTime SIT8208AI-G3-33S-66.000000X 1.6938
सराय
 ECAD 7855 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ६६ सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-33S-3.570000Y SiTime SIT8208AI-G3-33S-3.570000Y 1.3880
सराय
 ECAD 2588 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३.५ rautaurauthuthu LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-33S-66.666660T SiTime SIT8208AI-G3-33S-66.666660T 1.3174
सराय
 ECAD 7891 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 66.66666 LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT9365AI-4E2-28E148.351648 SiTime SIT9365AI-4E2-28E148.351648 13.2900
सराय
 ECAD 9137 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 148.351648 एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9365AI-1E2-25N122.880000 SiTime SIT9365AI-1E2-25N122.880000 13.2900
सराय
 ECAD 8833 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 122.88 अय्यहम LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-GF-18E-40.000000Y SiTime SIT8208AI-GF-18E-40.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 2586 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 40 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT1602BI-72-33E-66.600000 SiTime SIT1602BI-72-33E-66.600000 1.4100
सराय
 ECAD 5990 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६६.६ तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-3F-28S-74.176000X SiTime SIT8208AI-3F-28S-74.176000X 4.8668
सराय
 ECAD 2269 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.176 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT3372AC-4B3-30NC148.425787 SiTime SIT3372AC-4B3-30NC148.425787 9.9000
सराय
 ECAD 9725 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 148.425787 एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT1602BC-71-XXN-66.000000 SiTime SIT1602BC-71-XXN-66.000000 1.4800
सराय
 ECAD 3378 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६६ सराय HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT1602BI-72-25E-24.576000 SiTime SIT1602BI-72-25E-24.576000 1.4100
सराय
 ECAD 8591 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 24.576 तंग HCMOS, LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.2MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9003AC-33-33DQ-12.00000 SiTime SIT9003AC-33-33DQ-12.00000 3.0200
सराय
 ECAD 2216 0.00000000 तमाम Sit9003 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 12 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - -1.00%, अफ़स
SIT5356AI-FP-25E0-20.000000 SiTime SIT5356AI-FP-25E0-20.000000 85.5200
सराय
 ECAD 6012 0.00000000 तमाम Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना २० सभा LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 200ppb - -
SIT3373AI-2B9-28NG270.000000 SiTime SIT3373AI-2B9-28NG270.000000 11.2100
सराय
 ECAD 7460 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 270 तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 110ppm -
SIT9365AC-2B3-30E161.132813 SiTime SIT9365AC-2B3-30E161.132813 9.9000
सराय
 ECAD 4324 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 161.132813 LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3372AI-1B2-33NG100.000000 SiTime SIT3372AI-1B2-33NG100.000000 13.2900
सराय
 ECAD 9655 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 100 सराय LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 25ppm ± 120ppm - -
SIT8209AI-82-18E-148.351648 SiTime SIT8209AI-82-18E-148.351648 3.2900
सराय
 ECAD 7903 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 148.351648 LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AC-2B9-25NC184.320000 SiTime SIT3372AC-2B9-25NC184.320000 10.9200
सराय
 ECAD 9044 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 184.32 तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm - - -
SIT8208AI-32-25S-28.636300 SiTime SIT8208AI-32-25S-28.636300 3.1700
सराय
 ECAD 8972 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 28.6363 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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