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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8208AI-G2-28E-31.250000Y SiTime SIT8208AI-G2-28E-31.250000Y 1.6342
सराय
 ECAD 9513 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३१.२५ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 8388 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 32.768 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 7610 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 32.768 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 3237 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३३३ सरायम LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 8079 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 33.33333 सोरप्युर LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 3365 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 35.84 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 8266 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 38 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 2777 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 38 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 3429 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 38.4 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 7998 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ४ सभ्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 9291 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ४.० ९ ६ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 6495 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ५० सभा LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 9775 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ५४ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 1356 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ६६.६ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 4563 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ६६.६६ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 2314 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 72 सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 1708 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 74.175824 दार LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
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सराय
 ECAD 6100 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 12 सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 8074 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 16 सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 6486 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 १ ९। LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 3957 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 27 सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 6603 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३.५ rautaurauthuthu LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 2391 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 30 सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 5105 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 1541 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३३३ सरायम LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 3820 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 33.33333 सोरप्युर LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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सराय
 ECAD 1997 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ४ सभ्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
SIT8208AI-G1-28S-40.000000T SiTime SIT8208AI-G1-28S-40.000000T 1.8792
सराय
 ECAD 9281 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 40 सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
SIT8208AI-G1-28S-40.500000T SiTime SIT8208AI-G1-28S-40.500000T 1.8792
सराय
 ECAD 7115 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 40.5 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
SIT8208AI-G1-28S-48.000000Y SiTime SIT8208AI-G1-28S-48.000000Y 2.0184
सराय
 ECAD 9168 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ४ yathaurautautun LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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