SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8208AI-G2-28S-66.000000X SiTime SIT8208AI-G2-28S-66.000000X 1.9722
सराय
ECAD 6392 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ६६ सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-28S-66.666600T SiTime SIT8208AI-G2-28S-66.666600T 1.5215
सराय
ECAD 5110 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 66.6666 LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-28S-66.666660T SiTime SIT8208AI-G2-28S-66.666660T 1.5215
सराय
ECAD 4595 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 66.66666 LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-28S-7.372800Y SiTime SIT8208AI-G2-28S-7.372800Y 1.6342
सराय
ECAD 9997 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 7.3728 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-28S-74.176000T SiTime SIT8208AI-G2-28S-74.176000T 1.5215
सराय
ECAD 5966 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 74.176 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-33E-12.288000Y SiTime SIT8208AI-G2-33E-12.288000Y 1.6342
सराय
ECAD 4959 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 12.288 अय्यर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 1439 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 19.44 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AI-G2-33E-25.000625X SiTime SIT8208AI-G2-33E-55.000625X 1.9722
सराय
ECAD 7447 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २५.०००६२५ सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AI-G2-33E-31.250000T SiTime SIT8208AI-G2-33E-31.250000T 1.5215
सराय
ECAD 1599 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३१.२५ तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 7369 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३३ सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AI-G2-33E-33.333000T SiTime SIT8208AI-G2-33E-33.333000T 1.5215
सराय
ECAD 8878 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३३३ सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AI-G2-33E-33.333300Y SiTime SIT8208AI-G2-33E-33.333300Y 1.6342
सराय
ECAD 6813 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 33.3333 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AI-G2-33E-37.500000X SiTime SIT8208AI-G2-33E-37.500000X 1.9722
सराय
ECAD 8245 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 37.5 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AI-G2-33E-37.500000Y SiTime SIT8208AI-G2-33E-37.500000Y 1.6342
सराय
ECAD 1047 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 37.5 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AI-G2-33E-4.000000T SiTime SIT8208AI-G2-33E-4.000000T 1.5215
सराय
ECAD 2608 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ४ सभ्य LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 3770 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 40 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 31ma
SIT8208AI-G3-25E-66.666600X SiTime SIT8208AI-G3-25E-66.666600X 1.6938
सराय
ECAD 2274 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 66.6666 LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 31ma
SIT8208AI-G3-25S-12.000000T SiTime SIT8208AI-G3-25S-12.000000T 1.3174
सराय
ECAD 7844 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 12 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-12.000000X SiTime SIT8208AI-G3-25S-12.000000X 1.6938
सराय
ECAD 5261 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 12 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-12.800000T SiTime SIT8208AI-G3-25S-12.800000T 1.3174
सराय
ECAD 6400 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 12.8 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-12.800000Y SiTime SIT8208AI-G3-25S-12.800000Y 1.3880
सराय
ECAD 8359 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 12.8 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-18.432000T SiTime SIT8208AI-G3-25S-18.432000T 1.3174
सराय
ECAD 7010 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 18.432 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-24.576000X SiTime SIT8208AI-G3-25S-24.576000X 1.6938
सराय
ECAD 6235 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 24.576 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 4625 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २५ सभा LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 1564 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३ तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-38.000000T SiTime SIT8208AI-G3-25S-38.000000T 1.3174
सराय
ECAD 5009 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 38 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-60.000000T SiTime SIT8208AI-G3-25S-60.000000T 1.3174
सराय
ECAD 9114 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 60 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-66.666660Y SiTime SIT8208AI-G3-25S-66.666660Y 1.3880
सराय
ECAD 9311 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 66.66666 LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-74.176000T SiTime SIT8208AI-G3-25S-74.176000T 1.3174
सराय
ECAD 6435 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 74.176 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT8208AI-G3-25S-74.250000X SiTime SIT8208AI-G3-25S-74.250000X 1.6938
सराय
ECAD 7024 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 74.25 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम