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SIT5002AI-2E-33VM-121.500000Y	5.3958	सराय	3161	तमाम	Sit5002	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	Vctcxo	Sit5002	121.5 तंग	HCMOS, LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
Sit9003acz14-18ed-48.00000y	1.1948	सराय	7592	तमाम	Sit9003	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit9003	४ yathaurautautun	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	3.5MA	एमईएमएस	± 100ppm	-	-	0.8μA
SIT5021AI-2DE-33VM148.500000Y	13.4210	सराय	7110	तमाम	Sit5021	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	Vctcxo	Sit5021	148.5 तंग	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	55ma	एमईएमएस	± 5ppm	± 25ppm	-	-
SIT8225AI-GF-18E-2.000000Y	3.8969	सराय	3608	तमाम	Sit8225	R टेप ray ryील (ther)	नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit8225	२५ सभा	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	30ma
SIT5001AC-3E-33N0-40.000000Y	4.1270	सराय	9806	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	40 सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5001AC-2E-33E0-22.579200Y	3.9142	सराय	3703	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	22.5792 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	31ma
SIT5001AC-2E-18N0-37.125000Y	3.9142	सराय	6603	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	37.125 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	31ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5001AC-2E-33N0-54.000000Y	3.9142	सराय	6799	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	५४ तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT8208AI-G3-33S-14.745600Y	1.3880	सराय	3105	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	14.7456 सरायम	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-	70μA
SIT5001AI-2E-33VQ-51.840000Y	4.4967	सराय	4328	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	Vctcxo	Sit5001	५१.8४ तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT3822AI-1BF-33NM500.000000Y	-	सराय	4394	तमाम	Sit3822	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	Sit3822	५०० तंग	LVPECL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	69ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	35ma
SIT8208AI-3F-18S-33.333330Y	4.1097	सराय	4812	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		33.33333 सोरप्युर	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	10μA
SIT8208AI-3F-18S-2.000000Y	4.1097	सराय	1529	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		२५ सभा	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	10μA
SIT5001AC-8E-33N0-12.500000Y	4.1270	सराय	8430	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	12.5 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT8208AC-G3-25S-80.000000Y	1.2906	सराय	3919	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	80 सराय	LVCMOS, LVTTL	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-	70μA
Sit9121ai-2b1-33e10.000000y	2.9768	सराय	3256	तमाम	Sit9121	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		10 सराय	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	55ma	एमईएमएस	± 20ppm	-	-	35ma
SIT5001AC-8E-18E0-45.000000Y	4.1270	सराय	9864	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	४५ तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	30ma
SIT3922AC-1CF-33EM622.080000Y	56.0821	सराय	8015	तमाम	Sit3922	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	Sit3922	622.08 अराध्य	LVPECL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	69ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	-
SIT5001AI-3E-33N0-24.000000Y	4.7441	सराय	3704	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	२४ सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT9121AI-1C2-33E156.250000Y	2.9768	सराय	8503	तमाम	Sit9121	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		156.25 तंग	LVPECL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	69ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	35ma
SIT5001AC-8E-25E0-10.000000Y	4.1270	सराय	7958	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	10 सराय	LVCMOS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	31ma
SIT5001AI-GE-18N0-74.250000Y	4.4967	सराय	8539	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	74.25 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	31ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5001AIC3E-33N0-10.000000Y	4.7441	सराय	8424	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	10 सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5001AIC3E-33N0-16.777216Y	4.7441	सराय	4330	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5001	16.777216	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5001AI-2E-33VQ-36.600000Y	4.4967	सराय	4491	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	Vctcxo	Sit5001	३६.६ तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5001AI-2E-33VQ-14.400000Y	4.4967	सराय	5197	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	Vctcxo	Sit5001	14.4 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5001AI-2E-33VQ-16.000000Y	4.4967	सराय	2675	तमाम	Sit5001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	Vctcxo	Sit5001	16 सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-
SIT5002AI-2E-33E0-125.000000Y	5.3958	सराय	1640	तमाम	Sit5002	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5002	१२५ सराय	HCMOS, LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	31ma
SIT3907AI-2F-33NE-1.638400Y	9.7170	सराय	6756	तमाम	Sit3907	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit3907	1.6384 अय्यर	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	34ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	-
SIT5002AI-2E-33VQ-205.000000Y	7.0197	सराय	9750	तमाम	Sit5002	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	Vctcxo	Sit5002	२०५ सराय	HCMOS, LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	33ma	एमईएमएस	± 5ppm	-	-	-