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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT9025AAB11H18DA25.000000 SiTime Sit9025AAB11H18DA25.000000 15.6500
सराय
 ECAD 3027 0.00000000 तमाम Sit9025 कांपना शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 8MA एमईएमएस ± 20ppm - Ant 0.125%, अफ़र्म -
SIT3373AI-1E2-25NY281.000000 SiTime SIT3373AI-1E2-25NY281.000000 13.2900
सराय
 ECAD 3268 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 281 सराय LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 770ppm -
SIT1602BI-22-25N-7.372800 SiTime SIT1602BI-22-25N-7.372800 1.4100
सराय
 ECAD 9224 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 7.3728 अराध्य HCMOS, LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.2MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT1602BC-72-18N-33.000000 SiTime SIT1602BC-72-18N-33.000000 1.3800
सराय
 ECAD 4130 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३३ सराय HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.1MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT1602BI-81-28E-50.000000 SiTime SIT1602BI-81-28E-50.000000 1.6000
सराय
 ECAD 4212 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT1602BI-33-28S-33.330000 SiTime SIT1602BI-33-28S-33.330000 1.1800
सराय
 ECAD 5306 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३३.३३ सरायम HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BC-22-18E-40.000000 SiTime SIT1602BC-22-18E-40.000000 1.3800
सराय
 ECAD 2678 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 40 सराय HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AC-1E2-33NC80.000000 SiTime SIT3372AC-1E2-33NC80.000000 13.0100
सराय
 ECAD 2682 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 80 सराय LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT1602BI-31-28E-24.576000 SiTime SIT1602BI-31-28E-24.576000 1.6000
सराय
 ECAD 6091 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 24.576 तंग HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3373AC-2B9-30NH307.695484 SiTime SIT3373AC-2B9-30NH307.695484 10.9200
सराय
 ECAD 4542 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 307.695484 SANTAURUTHUTHUNT LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm -
SIT1602AI-33-33E-33.000000 SiTime SIT1602AI-33-33E-33.000000 1.1800
सराय
 ECAD 5862 0.00000000 तमाम Sit1602 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३३ सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BI-22-28S-38.400000 SiTime SIT1602BI-22-28S-38.400000 1.4100
सराय
 ECAD 5491 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 38.4 तंग HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9365AC-1B3-25N166.666666 SiTime SIT9365AC-1B3-25N166.66666666 9.9000
सराय
 ECAD 4560 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 166.666666 LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8008BI-23-18E-80.000000 SiTime SIT8008BI-23-18E-80.000000 1.2900
सराय
 ECAD 1781 0.00000000 तमाम Sit8008b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 80 सराय HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - - 4ma
SIT3373AI-1B9-33NU540.000000 SiTime SIT3373AI-1B9-33NU540.00000000 11.2100
सराय
 ECAD 1861 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ५४० तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm -
SIT3373AC-1B3-25NY307.695484 SiTime SIT3373AC-1B3-25NY307.695484 9.9000
सराय
 ECAD 4321 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 307.695484 SANTAURUTHUTHUNT LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 745ppm -
SIT8209AC-83-28E-166.666600 SiTime SIT8209AC-83-28E-166.666600 2.6000
सराय
 ECAD 3773 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 166.6666 LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 36ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BC-13-33S-38.400000 SiTime SIT1602BC-13-33S-38.400000 1.2600
सराय
 ECAD 1470 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 38.4 तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3372AC-1B2-28NX96.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-28NX96.000000 13.0000
सराय
 ECAD 9307 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 96 सराय LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 25ppm ± 370ppm - -
SIT8208AI-33-28S-54.000000 SiTime SIT8208AI-33-28S-54.000000 2.5000
सराय
 ECAD 5675 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५४ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8208AI-3F-25S-50.000000T SiTime SIT8208AI-3F-25S-50.000000T 4.1097
सराय
 ECAD 7243 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT9005AI-22-33EA100.000000 SiTime SIT9005AI-22-33EA100.000000 5.4500
सराय
 ECAD 5280 0.00000000 तमाम Sit9005 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 100 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 6.5ma एमईएमएस ± 25ppm - Ant 0.125%, अफ़र्म 6.5ma
SIT3372AC-2B2-33NU90.000000 SiTime SIT3372AC-2B2-33NU90.000000 13.0000
सराय
 ECAD 8288 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 90 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 3170ppm - -
SIT8208AC-2F-33E-66.666000X SiTime SIT8208AC-2F-33E-66.666000X 4.3488
सराय
 ECAD 4912 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 66.666 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-33-25S-26.000000 SiTime SIT8208AI-33-25S-26.000000 2.5000
सराय
 ECAD 5655 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २६ सभा LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3373AI-2B2-28NB222.750000 SiTime SIT3373AI-2B2-28NB222.750000 11.0000
सराय
 ECAD 7216 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 222.75 तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 20ppm -
SIT5156AICFK-30N0-12.800000 SiTime SIT5156AICFK-30N0-12.800000 51.5800
सराय
 ECAD 2164 0.00000000 तमाम Sit5156, एलीट प पchurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.042 "(1.06 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5156 12.8 तंग सीन वेव 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 53ma एमईएमएस ± 500ppb - - -
SIT9375AI-02A1-1810-333.330000E SiTime SIT9375AI-02A1-1810-333.330000E 5.9766
सराय
 ECAD 5913 0.00000000 तमाम Sit9375 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO Sit9375 333.33 सरायम LVDS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT9375AI-02A1-1810-333.330000ETR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 39ma एमईएमएस ± 20ppm - - -
SIT9120AI-1D2-33S155.520000 SiTime SIT9120AI-1D2-33S155.520000 5.4600
सराय
 ECAD 6571 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 155.52 तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 69ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8209AI-G1-18S-100.000000 SiTime SIT8209AI-G1-18S-100.000000 3.3000
सराय
 ECAD 3561 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8209 100 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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