SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8009BC-23-33E-133.000000 SiTime SIT8009BC-23-33E-133.000000 1.2600
सराय
 ECAD 7677 0.00000000 तमाम SIT8009B कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १३३ सराय HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 7.5ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8208AI-82-28S-66.600000 SiTime SIT8208AI-82-28S-66.600000 3.2900
सराय
 ECAD 1622 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६६.६ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT5156AE-FA-33VT-38.880000 SiTime SIT5156AE-FA-33VT-38.880000 53.1800
सराय
 ECAD 2725 0.00000000 तमाम Sit5156, एलीट प पchurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.042 "(1.06 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5156 38.88 अय्योर LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 57ma एमईएमएस ± 1ppm ± 6.25ppm - -
SIT1602BC-13-XXE-4.096000 SiTime SIT1602BC-13-XXE-4.096000 1.2600
सराय
 ECAD 6215 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४.० ९ ६ तंग HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8209AI-31-28S-150.000000 SiTime SIT8209AI-31-28S-150.000000 3.3000
सराय
 ECAD 2493 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १५० तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 36ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3373AI-4B3-25NG307.695484 SiTime SIT3373AI-4B3-25NG307.695484 10.1900
सराय
 ECAD 7790 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 307.695484 SANTAURUTHUTHUNT एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 95ppm -
SIT8208AC-31-33E-74.250000 SiTime SIT8208AC-31-33E-74.250000 3.2400
सराय
 ECAD 6366 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.25 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8208AI-GF-18E-74.250000T SiTime SIT8208AI-GF-18E-74.250000T 3.8969
सराय
 ECAD 7076 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.25 तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT3373AI-4E9-25NH364.800000 SiTime SIT3373AI-4E9-25NH364.800000 11.2200
सराय
 ECAD 6772 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 364.8 अफ़रपद एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm -
SIT9501AE-02A1-3310-644.531250E SiTime SIT9501AE-02A1-3310-644.531250E 8.9350
सराय
 ECAD 6661 0.00000000 तमाम Sit9501 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO Sit9501 644.53125 सोरहम LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT9501AE-02A1-3310-644.531250ETR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 32ma एमईएमएस ± 20ppm - - -
SIT3372AI-4B9-33NU74.250000 SiTime SIT3372AI-4B9-33NU74.250000 11.2100
सराय
 ECAD 9281 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 74.25 तंग एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT8208AC-3F-33E-1.048576T SiTime SIT8208AC-3F-33E-1.048576T 3.7918
सराय
 ECAD 9060 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 1.048576 अय्योर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT3372AI-1E9-33NC35.328000 SiTime SIT3372AI-1E9-33NC35.328000 9.2000
सराय
 ECAD 2049 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 35.328 अय्यर LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 35ppm ± 40ppm - -
SIT9365AI-4B2-30E30.720000 SiTime SIT9365AI-4B2-30E30.720000 13.2900
सराय
 ECAD 5755 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 30.72 तंग एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AC-1B3-25NG98.304000 SiTime SIT3372AC-1B3-25NG98.304000 9.9000
सराय
 ECAD 3766 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 98.304 तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 95ppm - -
SIT3373AI-1B9-28NC312.500000 SiTime SIT3373AI-1B9-28NC312.500000 11.2100
सराय
 ECAD 5271 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 312.5 तंग LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm - -
SIT1602BC-22-28E-31.250000 SiTime SIT1602BC-22-28E-31.250000 1.3800
सराय
 ECAD 8738 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३१.२५ तंग HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AC-2E9-33NH184.320000 SiTime SIT3372AC-2E9-33NH184.320000 10.9200
सराय
 ECAD 3621 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 184.32 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm - -
SIT3372AC-2B9-25NU96.000000 SiTime SIT3372AC-2B9-25NU96.000000 10.9200
सराय
 ECAD 5233 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 96 सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT3372AC-1B3-33NC15.360000 SiTime SIT3372AC-1B3-33NC15.360000 9.9000
सराय
 ECAD 2654 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 15.36 तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT3373AI-1E2-28NC222.527472 SiTime SIT3373AI-1E2-28NC222.527472 11.1200
सराय
 ECAD 1402 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 222.527472 सरायम LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3373AI-2B3-33NX281.000000 SiTime SIT3373AI-2B3-33NX281.000000 10.1900
सराय
 ECAD 9318 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 281 सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 345ppm -
SIT3373AC-4E3-30NY307.695484 SiTime SIT3373AC-4E3-30NY307.695484 9.9000
सराय
 ECAD 5922 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 307.695484 SANTAURUTHUTHUNT एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 745ppm -
SIT3372AI-4E9-33NY10.000000 SiTime SIT3372AI-4E9-33NY10.000000 11.2200
सराय
 ECAD 7913 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 10 सराय एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm ± 760ppm - -
SIT9003AC-83-33EB-50.00000 SiTime SIT9003AC-83-33EB-50.00000 3.3100
सराय
 ECAD 3150 0.00000000 तमाम Sit9003 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 ५० सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT5356AE-FN-25VT-24.553500 SiTime SIT5356AE-FN-25VT-24.553500 94.4500
सराय
 ECAD 8430 0.00000000 तमाम Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 105 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo 24.5535 तंग LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 250ppb ± 6.25ppm -
SIT9120AC-2C1-33E133.333330 SiTime SIT9120AC-2C1-33E133.333330 5.7200
सराय
 ECAD 9547 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 133.33333 अफ़राहम LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT9120AC-2C3-XXE133.000000 SiTime SIT9120AC-2C3-XXE133.000000 4.4200
सराय
 ECAD 2177 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO १३३ सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3373AI-2B3-33NU364.800000 SiTime SIT3373AI-2B3-33NU364.800000 10.1900
सराय
 ECAD 2803 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 364.8 अफ़रपद LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 3145ppm -
SIT9365AI-4E1-28N160.000000 SiTime SIT9365AI-4E1-28N160.000000 14.0000
सराय
 ECAD 1083 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 160 तंग एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 20ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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