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अमीर, क्योर, अयरा (193603)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-8F-28E-66.000000T | 4.1097 |  | 9872 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ६६ सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |
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| SIT8208AI-8F-28S-33.600000Y | 4.1097 | | 6357 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 33.6 | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |
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| SIT8208AI-8F-28S-40.000000Y | 4.1097 | | 6937 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 40 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |
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| SIT8208AI-8F-28S-75.000000T | 4.1097 | | 9052 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 75 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |
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| SIT8208AI-8F-33E-33.000000X | 4.8668 | | 7289 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |
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| SIT8208AI-8F-33E-38.000000Y | 4.1097 | | 2124 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 38 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |
| SIT8208AI-8F-33E-4.096000Y | 4.1097 | | 2242 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.० ९ ६ तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |
 | SIT8208AI-3F-28S-3.570000X | 4.8668 | | 5700 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३.५ rautaurauthuthu | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |
| SIT8208AI-3F-28S-30.000000Y | 4.1097 | | 3841 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 30 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |
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| SIT8208AI-3F-28S-33.333300X | 4.8668 | | 8900 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 33.3333 सरायम | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |
| SIT8208AI-3F-28S-35.840000X | 4.8668 | | 6251 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 35.84 तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA |
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