SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT3372AC-2E9-25NU35.328000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NU35.328000 10.9200
सराय
 ECAD 9767 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 35.328 अय्यर LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT3373AC-1B2-25NC364.800000 SiTime SIT3373AC-1B2-25NC364.800000 10.8900
सराय
 ECAD 1100 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 364.8 अफ़रपद LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-8F-18E-12.288000Y SiTime SIT8208AI-8F-18E-12.288000Y 4.1097
सराय
 ECAD 3676 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 12.288 अय्यर LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-8F-18E-10.000000Y SiTime SIT8208AI-8F-18E-10.000000Y 4.1097
सराय
 ECAD 5688 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 10 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT3372AI-1B9-25NU163.840000 SiTime SIT3372AI-1B9-25NU163.840000 11.2100
सराय
 ECAD 6352 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 163.84 तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT3373AC-4B3-33NY625.000000 SiTime SIT3373AC-4B3-33NY625.000000 9.9000
सराय
 ECAD 2448 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 625 तंग एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 745ppm -
SIT8209AI-81-25S-161.132800 SiTime SIT8209AI-81-25S-161.132800 3.5100
सराय
 ECAD 1870 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 161.1328 अय्योर LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 36ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AI-4B9-28NX50.000000 SiTime SIT3372AI-4B9-28NX50.000000 9.2000
सराय
 ECAD 9727 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ५० सभा एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm ± 360ppm - -
SIT3372AC-1B9-28NE15.360000 SiTime SIT3372AC-1B9-28NE15.360000 10.9200
सराय
 ECAD 4768 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 15.36 तंग LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 35ppm ± 60ppm - -
SIT9120AC-1D2-25S74.250000 SiTime SIT9120AC-1D2-25S74.250000 5.3500
सराय
 ECAD 9596 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 74.25 तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 69ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3373AI-2B9-30NY224.000000 SiTime SIT3373AI-2B9-30NY224.000000 9.2000
सराय
 ECAD 6109 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २२४ सराय LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 760ppm -
SIT8208AI-83-33E-40.000000 SiTime SIT8208AI-83-33E-40.000000 2.6600
सराय
 ECAD 8021 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 40 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8208AC-GF-25S-33.600000X SiTime SIT8208AC-GF-25S-33.600000X 4.3488
सराय
 ECAD 9382 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 33.6 LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT3373AI-4E2-33NY307.695484 SiTime SIT3373AI-4E2-33NY307.695484 13.2900
सराय
 ECAD 7175 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 307.695484 SANTAURUTHUTHUNT एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 770ppm -
SIT3372AI-2E9-30NH204.800000 SiTime SIT3372AI-2E9-30NH204.800000 11.2200
सराय
 ECAD 8451 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना २०४.8 सरायम LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm - -
SIT3372AI-2B3-25NC204.800000 SiTime SIT3372AI-2B3-25NC204.800000 10.1900
सराय
 ECAD 6110 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २०४.8 सरायम LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 25ppm - -
SIT8208AI-81-28E-16.369000 SiTime SIT8208AI-81-28E-16.369000 3.5100
सराय
 ECAD 4430 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 16.369 तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT1602BC-82-28E-25.000625 SiTime SIT1602BC-82-28E-2.000625 1.4700
सराय
 ECAD 4420 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५.०००६२५ सरायम HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-3F-33S-50.000000T SiTime SIT8208AI-3F-33S-50.000000T 4.1097
सराय
 ECAD 3728 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT8209AI-G1-18S-166.666660 SiTime SIT8209AI-G1-18S-166.666660 3.3000
सराय
 ECAD 7643 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8209 166.66666 LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
SIT1602BI-11-28E-27.000000 SiTime SIT1602BI-11-28E-27.000000 1.5100
सराय
 ECAD 5656 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 27 सराय HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AC-4E3-30NE15.360000 SiTime SIT3372AC-4E3-30NE15.360000 9.9000
सराय
 ECAD 5456 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 15.36 तंग एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT8208AC-33-25E-6.000000 SiTime SIT8208AC-33-25E-6.000000 2.4400
सराय
 ECAD 4491 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६ सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT9365AI-2E2-28E212.500000 SiTime SIT9365AI-2E2-28E212.500000 13.2900
सराय
 ECAD 8402 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 212.5 तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AI-4B3-33NC14.400000 SiTime SIT3372AI-4B3-33NC14.400000 10.1900
सराय
 ECAD 4182 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 14.4 तंग एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm ± 25ppm - -
SIT3373AI-2E3-25NC432.000000 SiTime SIT3373AI-2E3-25NC432.000000 10.2000
सराय
 ECAD 9103 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ४३२ तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT5156AICFD-28VT-16.369000 SiTime SIT5156AICFD-28VT-16.369000 40.0200
सराय
 ECAD 7741 0.00000000 तमाम Sit5156, एलीट प पchurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.042 "(1.06 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5156 16.369 तंग सीन वेव 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 57ma एमईएमएस ± 2.5ppm ± 6.25ppm - -
SIT3372AC-1E3-30NX148.425750 SiTime SIT3372AC-1E3-30NX148.425750 9.9000
सराय
 ECAD 6583 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 148.42575 तंग LVPECL 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT8208AI-23-33S-66.666000 SiTime SIT8208AI-23-33S-66.666000 2.5000
सराय
 ECAD 7140 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 66.666 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT5356AICFP-30N0-16.384000 SiTime SIT5356AICFP-30N0-16.384000 85.5200
सराय
 ECAD 4300 0.00000000 तमाम Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 16.384 तंग सीन वेव 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 200ppb - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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