SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT5000AC-2E-33E0-40.000000Y SiTime SIT5000AC-2E-33E0-40.000000Y 1.8850
सराय
ECAD 5888 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 40 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AC-2E-33N0-24.000000Y SiTime SIT5000AC-2E-33N0-24.000000Y 1.8850
सराय
ECAD 6989 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २४ सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-2E-33VQ-10.000000Y SiTime SIT5000AC-2E-33VQ-10.000000Y 1.8850
सराय
ECAD 7065 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-2E-33VQ-38.400000Y SiTime SIT5000AC-2E-33VQ-38.400000Y 1.8850
सराय
ECAD 9222 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 38.4 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-3E-33N0-12.288000Y SiTime SIT5000AC-3E-33N0-12.288000Y 1.9807
सराय
ECAD 3172 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 12.288 अय्यर LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-8E-33N0-16.000000Y SiTime SIT5000AC-8E-33N0-16.000000Y 1.9807
सराय
ECAD 6048 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 16 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-8E-33VQ-10.000000Y SiTime SIT5000AC-8E-33VQ-10.000000Y 1.9807
सराय
ECAD 2552 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-GE-33VQ-26.000000Y SiTime SIT5000AC-GE-33VQ-26.000000Y 1.8850
सराय
ECAD 3552 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 २६ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-2E-18N0-26.000000Y SiTime SIT5000AI-2E-18N0-26.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 2237 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २६ सभा LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-2E-30E0-40.000000Y SiTime SIT5000AI-2E-30E0-40.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 9635 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 40 सराय LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-2E-33E0-25.000000Y SiTime SIT5000AI-2E-33E0-25.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 7198 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-2E-33E0-26.000000Y SiTime SIT5000AI-2E-33E0-26.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 9569 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २६ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-2E-33N0-12.000000Y SiTime SIT5000AI-2E-33N0-12.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 6551 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 12 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-2E-33N0-25.000000Y SiTime SIT5000AI-2E-33N0-25.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 7272 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-3E-18VQ-26.000000Y SiTime SIT5000AI-3E-18VQ-26.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 4394 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 २६ सभा LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-3E-33E0-12.000000Y SiTime SIT5000AI-3E-33E0-12.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 1891 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 12 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-3E-33N0-40.000000Y SiTime SIT5000AI-3E-33N0-40.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 6708 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 40 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-3E-33VQ-10.000000Y SiTime SIT5000AI-3E-33VQ-10.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 8781 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-3E-33VQ-20.000000Y SiTime SIT5000AI-3E-33VQ-20.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 7666 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-8E-28N0-20.000000Y SiTime SIT5000AI-8E-28N0-20.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 9937 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २० सभा LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-8E-33E0-25.000000Y SiTime SIT5000AI-8E-33E0-25.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 3286 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-8E-33E0-40.000000Y SiTime SIT5000AI-8E-33E0-40.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 6729 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 40 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-8E-33N0-19.440000Y SiTime SIT5000AI-8E-33N0-19.440000Y 2.1910
सराय
ECAD 5541 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 19.44 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AIC2E-33E0-40.000000Y SiTime SIT5000AIC2E-33E0-40.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 1850 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 40 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AIC3E-33N0-16.000000Y SiTime SIT5000AIC3E-33N0-16.000000Y 2.1910
सराय
ECAD 7903 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 16 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AICGE-18E0-40.000000Y SiTime SIT5000AICGE-18E0-40.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 4904 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 40 सराय LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - 30ma
SIT5000AICGE-33E0-25.000000Y SiTime SIT5000AICGE-33E0-25.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 6881 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-GE-18N0-20.000000Y SiTime SIT5000AI-GE-18N0-20.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 9676 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २० सभा LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-GE-18N0-26.000000Y SiTime SIT5000AI-GE-18N0-26.000000Y 2.1533
सराय
ECAD 7342 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २६ सभा LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-GE-28VQ-38.400000Y SiTime SIT5000AI-GE-28VQ-38.400000Y 2.1533
सराय
ECAD 8769 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 38.4 तंग LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम