SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT3373AI-1B2-30NY345.600000 SiTime SIT3373AI-1B2-30NY345.600000 13.2900
सराय
 ECAD 1260 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ३४५.६ तंग LVPECL 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 770ppm -
SIT1602BI-83-XXS-24.000000 SiTime SIT1602BI-83-XXS-24.000000 1.1800
सराय
 ECAD 8198 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २४ सराय HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BI-23-18S-26.000000 SiTime SIT1602BI-23-18S-26.000000 1.2900
सराय
 ECAD 8424 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २६ सभा HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3373AC-2B9-28NE250.000000 SiTime SIT3373AC-2B9-28NE250.000000 10.9200
सराय
 ECAD 5525 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २५० तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 60ppm -
SIT3372AI-2B2-30NG135.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NG135.000000 13.2900
सराय
 ECAD 4004 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना १३५ सराय LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 120ppm - -
SIT8208AC-8F-33E-38.400000T SiTime SIT8208AC-8F-33E-38.400000T 3.7918
सराय
 ECAD 8801 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 38.4 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT3372AI-4B3-28NG133.650000 SiTime SIT3372AI-4B3-28NG133.6500000000 10.1900
सराय
 ECAD 4174 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 133.65 तंग एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm ± 95ppm - -
SIT3373AC-4E3-30NE540.000000 SiTime SIT3373AC-4E3-30NE540.000000 9.9000
सराय
 ECAD 3778 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ५४० तंग एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 45ppm -
SIT3373AC-2E2-30NG622.000000 SiTime SIT3373AC-2E2-30NG622.000000 13.0100
सराय
 ECAD 1484 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ६२२ सभा LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 120ppm -
SIT8208AC-2F-18S-33.300000Y SiTime SIT8208AC-2F-18S-33.300000Y 3.6149
सराय
 ECAD 9967 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३३.३ तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 10μA
SIT3372AC-2E3-30NC75.000000 SiTime SIT3372AC-2E3-30NC75.000000 9.9000
सराय
 ECAD 7832 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 75 सराय LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT8208AC-21-18E-19.200000 SiTime SIT8208AC-21-18E-119.200000 3.2400
सराय
 ECAD 4001 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १ ९। LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8208AC-G3-33E-72.000000T SiTime SIT8208AC-G3-33E-72.000000T 1.2250
सराय
 ECAD 2885 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 72 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 31ma
SIT8208AC-2F-33S-16.000000X SiTime SIT8208AC-2F-33S-16.000000X 4.3488
सराय
 ECAD 6757 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 16 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT5002AI-2E-33VM-121.500000T SiTime SIT5002AI-2E-33VM-121.500000T 5.3958
सराय
 ECAD 4015 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5002 121.5 तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT3372AI-2B2-33NZ61.440000 SiTime SIT3372AI-2B2-33NZ61.440000 13.2900
सराय
 ECAD 3506 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 61.44 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT9365AC-4E3-33E75.000000 SiTime SIT9365AC-4E3-33E75.000000 9.9000
सराय
 ECAD 4131 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 75 सराय एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT9365AC-4E3-25E161.132813 SiTime SIT9365AC-4E3-25E161.132813 9.9000
सराय
 ECAD 4462 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 161.132813 एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BI-81-18E-4.096000 SiTime SIT1602BI-81-18E-4.096000 1.6000
सराय
 ECAD 6478 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४.० ९ ६ तंग HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8208AC-GF-18E-19.200000 SiTime SIT8208AC-GF-18E-119.200000 3.6511
सराय
 ECAD 4427 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 १ ९। LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT8208AC-GF-18E-119.200000TR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT3373AC-2B2-25NH256.000000 SiTime SIT3373AC-2B2-25NH256.000000 13.0000
सराय
 ECAD 7540 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २५६ सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 170ppm -
SIT1602BI-72-30E-19.200000 SiTime SIT1602BI-72-30E-119.200000 1.4100
सराय
 ECAD 1106 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १ ९। HCMOS, LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AI-4B2-25NZ90.000000 SiTime SIT3372AI-4B2-25NZ90.000000 11.1100
सराय
 ECAD 4847 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 90 तंग एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT5356AI-FN-28VT-38.880000 SiTime SIT5356AI-FN-28VT-38.880000 77.2900
सराय
 ECAD 2801 0.00000000 तमाम Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo 38.88 अय्योर LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 250ppb ± 6.25ppm -
SIT3373AC-2B2-25NX312.500000 SiTime SIT3373AC-2B2-25NX312.500000 13.0000
सराय
 ECAD 7787 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 312.5 तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 370ppm -
SIT8208AC-G1-18E-24.000000Y SiTime SIT8208AC-G1-18E-24.000000Y 1.8647
सराय
 ECAD 8682 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २४ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 30ma
SIT3372AI-2B3-25NX148.500000 SiTime SIT3372AI-2B3-25NX148.500000 10.1900
सराय
 ECAD 5181 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 148.5 तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT1602BI-23-25S-66.666600 SiTime SIT1602BI-23-25S-66.666600 1.2900
सराय
 ECAD 9017 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 66.6666 HCMOS, LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.2MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3372AI-2E9-33NE90.000000 SiTime SIT3372AI-2E9-33NE90.000000 11.2200
सराय
 ECAD 5486 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 90 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 60ppm - -
SIT1602BI-72-30N-65.000000 SiTime SIT1602BI-72-30N-65.000000 1.4100
सराय
 ECAD 5792 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६५ सराय HCMOS, LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    15,000 मीटर2

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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