दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIT8208AC-82-33E-66.000000 | 3.2300 | ![]() | 6598 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ६६ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | ||||
![]() | SIT3372AC-1E9-33NH200.000000 | 10.9200 | ![]() | 3282 | 0.00000000 | तमाम | Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | २०० सराय | LVPECL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 92ma | एमईएमएस | ± 35ppm | ± 160ppm | - | - | ||||
![]() | SIT5356AI-FP-25VT-16.384000 | 85.5200 | ![]() | 1964 | 0.00000000 | तमाम | Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | 16.384 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | एमईएमएस | ± 200ppb | ± 6.25ppm | - | ||||||
![]() | SIT3372AC-1E2-30NX35.437431 | 13.0100 | ![]() | 3918 | 0.00000000 | तमाम | Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | 35.437431 सरायम | LVPECL | 3 वी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 92ma | एमईएमएस | ± 25ppm | ± 370ppm | - | - | ||||
![]() | SIT3373AC-4E9-28NB222.750000 | 10.9200 | ![]() | 8538 | 0.00000000 | तमाम | Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | 222.75 तंग | एचसीएसएल | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | एमईएमएस | ± 35ppm | ± 10ppm | - | ||||||
![]() | SIT3372AC-1B2-33NC133.516483 | 13.0000 | ![]() | 1483 | 0.00000000 | तमाम | Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | 133.516483 | LVPECL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 92ma | एमईएमएस | ± 25ppm | ± 50ppm | - | - | ||||
![]() | SIT8208AI-GF-25E-4.096000T | 3.8969 | ![]() | 4313 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.० ९ ६ तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
![]() | SIT9005AIL22-33EP33.0000000000 | 5.4500 | ![]() | 9198 | 0.00000000 | तमाम | Sit9005 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३ सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | Ants 2.06%, पोरसुरी | 6.5ma | |||
![]() | SIT8209AC-82-33E-156.250000 | 3.2300 | ![]() | 3015 | 0.00000000 | तमाम | SIT8209 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 156.25 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |||
![]() | SIT9120AC-1D1-XXS166.666000 | 5.7200 | ![]() | 9454 | 0.00000000 | तमाम | Sit9120 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | 166.666 सरायम | LVPECL | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | तमाम (तंगर शेर) | 69ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | ||||
![]() | SIT8208AC-21-33E-33.330000 | 3.2400 | ![]() | 6809 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३.३३ सरायम | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | ||||
![]() | SIT3372AC-4E9-33NZ74.175820 | 10.9200 | ![]() | 6939 | 0.00000000 | तमाम | Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | 74.17582 सोरहम | एचसीएसएल | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 97ma | एमईएमएस | ± 35ppm | ± 1560ppm | - | - | ||||
![]() | SIT3373AI-1E2-30NY223.000000 | 13.2900 | ![]() | 8619 | 0.00000000 | तमाम | Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | २२३ सराय | LVPECL | 3 वी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | एमईएमएस | ± 25ppm | ± 770ppm | - | ||||||
![]() | SIT9365AI-4B2-33E98.304000 | 13.1600 | ![]() | 1935 | 0.00000000 | तमाम | Sit9365, rana theircuti ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | 98.304 तंग | एचसीएसएल | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |||||
![]() | SIT9365AI-2B2-28N156.250000 | 13.2900 | ![]() | 1711 | 0.00000000 | तमाम | Sit9365, rana theircuti ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | 156.25 तंग | LVDS | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |||||
![]() | SIT1618AE-71-33E-8.000000 | 2.9300 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | तमाम | Sit1618 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | 4.7ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | ||||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-26.000000X | 4.3488 | ![]() | 3969 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २६ सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | ||
![]() | SIT8256AI-8F-33E-156.250000T | 7.6010 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | तमाम | Sit8256 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8256 | 156.25 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |
![]() | SIT3373AI-4B9-30NY280.550000 | 11.2100 | ![]() | 5897 | 0.00000000 | तमाम | Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | 280.55 तंग | एचसीएसएल | 3 वी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | एमईएमएस | ± 35ppm | ± 760ppm | - | ||||||
![]() | SIT8208AC-G1-33S-2.00000000T | 1.7361 | ![]() | 1888 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 70μA | |
![]() | SIT3372AC-1E3-33NU125.000000 | 9.9000 | ![]() | 3098 | 0.00000000 | तमाम | Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | १२५ सराय | LVPECL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 92ma | एमईएमएस | ± 50ppm | ± 3145ppm | - | - | ||||
![]() | SIT3372AI-4B2-30NZ76.800000 | 13.2900 | ![]() | 1540 | 0.00000000 | तमाम | Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | 76.8 अफ़रपित | एचसीएसएल | 3 वी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 97ma | एमईएमएस | ± 25ppm | ± 1570ppm | - | - | ||||
![]() | SIT3372AC-4E9-33NH216.0000000000 | 10.9200 | ![]() | 7582 | 0.00000000 | तमाम | Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | २१६ सराय | एचसीएसएल | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 97ma | एमईएमएस | ± 35ppm | ± 160ppm | - | - | ||||
![]() | SIT5356AICFP-28E0-26.000000 | 85.5200 | ![]() | 6726 | 0.00000000 | तमाम | Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | २६ सभा | सीन वेव | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | एमईएमएस | ± 200ppb | - | - | ||||||
![]() | SIT3373AI-2E2-33NG625.000000 | 13.2900 | ![]() | 5997 | 0.00000000 | तमाम | Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग | कांपना | 625 तंग | LVDS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | एमईएमएस | ± 25ppm | ± 120ppm | - | ||||||
![]() | SIT8208AI-G3-25S-48.000000T | 1.3174 | ![]() | 2544 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | ४ yathaurautautun | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | |
![]() | SIT8208AI-33-28S-66.666600 | 2.5000 | ![]() | 3427 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.6666 | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | SIT8208AC-3F-18E-35.840000Y | 3.7918 | ![]() | 6049 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 35.84 तंग | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | ||
![]() | SIT8256AI-G1-25S-156.250000T | 4.0033 | ![]() | 7956 | 0.00000000 | तमाम | Sit8256 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8256 | 156.25 तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 70μA | |
![]() | SIT8208AC-8F-25E-33.000000Y | 3.7918 | ![]() | 7705 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३ सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma |
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